Produkte > NVT

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
NVT0402S160J270TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0402S300M420TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S110S180TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S130S220TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S160J270TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S160L270TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S160Q270TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S260Q270TRF
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S260Q330TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S300N420TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S6R7S120TRF
auf Bestellung 68500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT0603S6R7T120TRF
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT12000OHAUSOHS-NVT12000 Warehouse Devices
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+259.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT16000MOHAUSOHS-NVT16000M Warehouse Devices
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Kind of display used: LCD
Standard equipment: power supply
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Measuring unit: g; kg
Battery/ rechargeable battery: none
Scale pan dimension: 230x174mm
Readout graduation: 0.5g
Supply voltage: 230V AC
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Scale load capacity max.: 1.6kg
Kind of scales: counting; electronic; precision
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Manufacturer series: Navigator
Type of device: scales
Legalization certificate: yes
Operating temperature: 0...40°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Kind of display used: LCD
Standard equipment: power supply
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Measuring unit: g; kg
Battery/ rechargeable battery: none
Scale pan dimension: 230x174mm
Readout graduation: 0.5g
Supply voltage: 230V AC
Max. environment humidity: 85%
Battery life: ~270h
Scale load capacity max.: 1.6kg
Kind of scales: counting; electronic; precision
Connectors for the country: Europe
Illumination: yes
Manufacturer series: Navigator
Type of device: scales
Legalization certificate: yes
Operating temperature: 0...40°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Bulk
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 460205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
792+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 792
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 380000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
auf Bestellung 4949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 64116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 4789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.29 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.66 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1247+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
27+0.65 EUR
30+0.59 EUR
100+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
auf Bestellung 29827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.67 EUR
25+0.6 EUR
100+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 7042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.36 EUR
424+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.54 EUR
10+1.38 EUR
25+1.31 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 910
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GF
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-Pin XSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.58 EUR
265+0.52 EUR
278+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 6206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
27+0.67 EUR
29+0.63 EUR
100+0.58 EUR
250+0.57 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1133+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.44 EUR
331+0.42 EUR
337+0.39 EUR
342+0.37 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 326
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.45 EUR
326+0.42 EUR
331+0.4 EUR
337+0.38 EUR
342+0.36 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XSON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
auf Bestellung 3481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.6 EUR
25+0.56 EUR
100+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.47 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 26545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
16+1.16 EUR
25+1.04 EUR
100+0.92 EUR
250+0.86 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
auf Bestellung 64789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.45 EUR
10+1.04 EUR
25+0.94 EUR
100+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
7500+0.73 EUR
12500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2004TL
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2004TL,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
761+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 761
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.08 EUR
25+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
6000+0.65 EUR
9000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.69 EUR
237+0.58 EUR
248+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.02 EUR
187+0.74 EUR
189+0.7 EUR
219+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXPNVT2006BQ.115 Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 16-DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 13691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
18+1.02 EUR
25+0.92 EUR
100+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.77 EUR
189+0.73 EUR
219+0.61 EUR
250+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 5244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.72 EUR
207+0.67 EUR
209+0.63 EUR
217+0.59 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.53 EUR
279+0.49 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 272
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
692+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 692
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 5244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.79 EUR
200+0.69 EUR
207+0.64 EUR
209+0.61 EUR
217+0.56 EUR
250+0.53 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.3 EUR
100+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.8 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 433
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HVQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXPNVT2006BS.118 Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 4586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
15+1.25 EUR
25+1.13 EUR
100+0.99 EUR
250+0.93 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
692+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 692
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
7500+0.8 EUR
12500+0.79 EUR
17500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
auf Bestellung 20465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.12 EUR
25+1.01 EUR
100+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.89 EUR
163+0.85 EUR
197+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXPNVT2006PW.118 Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 18308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
15+1.25 EUR
25+1.13 EUR
100+0.99 EUR
250+0.93 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.32 EUR
161+0.86 EUR
163+0.82 EUR
197+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+0.84 EUR
205+0.67 EUR
217+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 170
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.64 EUR
269+0.51 EUR
280+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 224
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Delay time: 1.5ns
Case: DHVQFN20
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.95 EUR
188+0.73 EUR
190+0.7 EUR
191+0.67 EUR
229+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.76 EUR
190+0.73 EUR
191+0.7 EUR
229+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Delay time: 1.5ns
Case: DHVQFN20
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Number of inputs: 8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
auf Bestellung 58077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.37 EUR
100+1.03 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
15+1.23 EUR
25+1.11 EUR
100+0.98 EUR
250+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage-level translator for open-drain and push-pull applications
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008BQZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.44 EUR
25+1.3 EUR
100+1.15 EUR
250+1.08 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.28 EUR
123+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+1.17 EUR
508+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.38 EUR
122+1.13 EUR
200+1.01 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
14+1.27 EUR
25+1.15 EUR
100+1.02 EUR
250+0.95 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 11690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
457+1.17 EUR
508+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118
Produktcode: 189102
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IC > IC Logik
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.72 EUR
112+1.24 EUR
123+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
auf Bestellung 24501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+1.03 EUR
25+0.97 EUR
100+0.9 EUR
250+0.87 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 8345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
14+1.28 EUR
25+1.16 EUR
100+1.03 EUR
250+0.96 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: HVQFN24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 10
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: HVQFN24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 10
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Delay time: 1.5ns
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.88 EUR
3000+0.85 EUR
4500+0.84 EUR
7500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 3777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
14+1.27 EUR
25+1.15 EUR
100+1.02 EUR
250+0.95 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118
Produktcode: 163785
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IC > IC Netzteile
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.68 EUR
95+1.45 EUR
106+1.26 EUR
117+1.09 EUR
250+0.94 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC XLTR VL BIDIR 24-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXPNVT2010PW.118 Level translators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
auf Bestellung 11817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.8 EUR
100+1.42 EUR
500+1.27 EUR
1000+1 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.51 EUR
106+1.31 EUR
117+1.14 EUR
250+0.98 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.33 EUR
10+13.84 EUR
25+13.2 EUR
100+10.95 EUR
250+9.98 EUR
500+9.34 EUR
1000+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DDM3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DDM3R2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: MSOP
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT210DMTR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVT210DMTR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 1°C, -40 °C, 125 °C, WDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: 1C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Bauform - Sensor: WDFN
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 251938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211CMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.33 EUR
10+13.84 EUR
25+13.2 EUR
100+10.95 EUR
250+9.98 EUR
500+9.34 EUR
1000+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT211DMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2200OHAUSOHS-NVT2200 Warehouse Devices
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+173.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT22000OHAUSOHS-NVT22000 Warehouse Devices
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT2201OHAUSOHS-NVT2201 Warehouse Devices
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT27023121
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT27023135
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT31323873
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT31323915
auf Bestellung 17820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4201OHAUSOHS-NVT4201 Warehouse Devices
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+322.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP SemiconductorsDescription: NVT4555UK - SIM card interface l
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.62x1.19)
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
454+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 454
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
11+1.6 EUR
25+1.45 EUR
100+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
396+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 396
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsSIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
15+1.2 EUR
16+1.12 EUR
25+1.03 EUR
50+0.98 EUR
100+0.92 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
auf Bestellung 14465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.97 EUR
100+0.92 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
4000+0.7 EUR
8000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.08V ~ 1.95V, 1.65V ~ 3.6V
Applications: Modems, Mobile Phones, SIM Card
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4557UKAZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 9WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 9-WLCSP (0.92x0.92)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 17490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
17+1.08 EUR
25+0.98 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4558, NVT4858
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Contents: Board(s)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator
auf Bestellung 7685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.44 EUR
10+1.11 EUR
25+1 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
16+1.12 EUR
25+1.07 EUR
50+1.03 EUR
100+1 EUR
250+0.95 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.64 EUR
25+1.48 EUR
100+1.31 EUR
250+1.23 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXPDescription: NXP - NVT4857UKAZ - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 4 Eingänge, 2.9V bis 3.6V, 100mA, 3ns, WLCSP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.9V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 3ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
auf Bestellung 38169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
11+1.66 EUR
25+1.51 EUR
100+1.34 EUR
250+1.26 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.13 EUR
5000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+295.17 EUR
5+289.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR NVT4557, NVT4858
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
17+1.07 EUR
25+0.96 EUR
100+0.85 EUR
250+0.79 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: XQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
10+2.46 EUR
25+2.34 EUR
100+1.92 EUR
250+1.79 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT4858UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT6200OHAUSOHS-NVT6200 Warehouse Devices
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+186.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT6201OHAUSOHS-NVT6201 Warehouse Devices
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+330.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVT6400MOHAUSOHS-NVT6400M Warehouse Devices
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GonsemiMOSFETs NFET SC75 30V 154MA 7OHM
auf Bestellung 810064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.47 EUR
14+0.21 EUR
100+0.12 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1603+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
63+0.28 EUR
130+0.14 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GONSEMINVTA7002NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.095 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTC040N120M3SON SemiconductorNVTC040N120M3S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.03 EUR
10+3.35 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+3.03 EUR
100+2.16 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.65 EUR
1500+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 0.0022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.12 EUR
100+2.24 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
1500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 22W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
11+1.71 EUR
100+1.44 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 22W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 5973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.66 EUR
100+1.43 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.9 EUR
3000+0.84 EUR
4500+0.8 EUR
7500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.3 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; Idm: 338A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 338A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.28 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.88 EUR
3000+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
3000+0.92 EUR
4500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS004N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; Idm: 338A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 338A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.02 EUR
100+1.39 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.98 EUR
3000+0.94 EUR
4500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 297A; 16W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 16W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 297A; 16W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 16W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
1500+0.9 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS007N08HLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.75 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS007N08HLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 71A; Idm: 347A; 40W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS007N08HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 71A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
11+1.69 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS008N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 193A; 12W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 12W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.91 EUR
3000+0.86 EUR
7500+0.81 EUR
10500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS008N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 193A; 12W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 12W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
auf Bestellung 39283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.87 EUR
100+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57.8A; Idm: 232A; 38.9W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57.8A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 38.9W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57.8A; Idm: 232A; 38.9W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57.8A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 38.9W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
10+1.88 EUR
100+1.3 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.91 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS012P03P8ZTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -47A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS012P03P8ZTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -47A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.21 EUR
100+0.91 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -49A
Pulsed drain current: -224A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 656
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -49A
Pulsed drain current: -224A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
15+1.22 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
auf Bestellung 5259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 5055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.07 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
16+1.13 EUR
100+0.86 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8Zonsemi PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Power Dissipation (Max): 36W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
7500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
auf Bestellung 6825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.53 EUR
100+1.07 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.75 EUR
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
12+1.53 EUR
100+1.07 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.34 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
13+1.42 EUR
100+0.99 EUR
500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.34 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A Active OPN
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.4 EUR
100+0.98 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.68 EUR
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+0.91 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.69 EUR
100000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 589
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
4500+0.66 EUR
7500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 28W
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.56 EUR
100+1.03 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
608+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.67 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 608
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.62 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
17+1.08 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 119A; 23W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 23W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.48 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.16 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.53 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 119A; 23W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 119A
Power dissipation: 23W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.37 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
1500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
13+1.39 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
20+0.91 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.9 EUR
100+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.47 EUR
1500+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
auf Bestellung 6262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13.2A; Idm: -46A; 11.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13.2A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 11.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13.2A; Idm: -46A; 11.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13.2A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 11.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 47A; 12W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 47A
Power dissipation: 12W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 47A; 12W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 47A
Power dissipation: 12W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
4500+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
10500+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
auf Bestellung 4518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.73 EUR
225+0.61 EUR
243+0.55 EUR
261+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 195
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.59 EUR
261+0.53 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.47 EUR
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28.3A; Idm: 500A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28.3A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.87 EUR
10+2.68 EUR
100+1.95 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.57 EUR
1500+1.44 EUR
3000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
10+2.98 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28.3A; Idm: 500A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28.3A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.2 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+3.2 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.74 EUR
1500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0036 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 538500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.47 EUR
120+1.15 EUR
149+0.89 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.6 EUR
91+1.53 EUR
92+1.45 EUR
100+1.38 EUR
250+1.32 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 538500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.19 EUR
149+0.93 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.75 EUR
1500+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+2.16 EUR
100+1.53 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
1500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0036 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.58 EUR
92+1.51 EUR
100+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+2.01 EUR
100+1.61 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
1500+1.24 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 37W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 37W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.85 EUR
100+1.3 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.99 EUR
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
10+1.86 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 37W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 37W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+1.95 EUR
100+1.35 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.44 EUR
100+1.13 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+1.15 EUR
517+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
auf Bestellung 27661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 253A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 253A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTAGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.24 EUR
117+1.18 EUR
118+1.13 EUR
146+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.23 EUR
118+1.17 EUR
146+0.91 EUR
250+0.87 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 47A; Idm: 196A; 14W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
11+1.7 EUR
100+1.3 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.68 EUR
100+1.28 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 47A; Idm: 196A; 14W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
3000+0.59 EUR
4500+0.57 EUR
7500+0.54 EUR
10500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 84335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+0.78 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
476+0.29 EUR
488+0.27 EUR
489+0.26 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 476
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.52 EUR
458+0.3 EUR
476+0.27 EUR
488+0.25 EUR
489+0.24 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 277
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
14+1.26 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
13+1.36 EUR
100+1.05 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.79 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
11+1.7 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+1.08 EUR
100+1.05 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.76 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
11+1.7 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 13W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.57 EUR
100+1.1 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
auf Bestellung 17621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
10+0.94 EUR
100+0.76 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.98 EUR
100+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22.1A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C308NTAGonsemi NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
4500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.61 EUR
235+0.59 EUR
246+0.54 EUR
250+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.52 EUR
4500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.52 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
auf Bestellung 13493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.11 EUR
100+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.59 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
80+0.9 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
200+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.78 EUR
233+0.59 EUR
235+0.56 EUR
246+0.52 EUR
250+0.49 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
80+0.9 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
200+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
16+1.1 EUR
100+0.83 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
595+0.9 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.64 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.95 EUR
174+0.79 EUR
177+0.75 EUR
198+0.64 EUR
250+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.82 EUR
177+0.78 EUR
198+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 174
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
15+1.19 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.39 EUR
25+1.37 EUR
100+1.09 EUR
250+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 85490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
12+1.56 EUR
100+1.25 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+2.09 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.11 EUR
1500+1 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+1.8 EUR
100+1.22 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
10+1.82 EUR
100+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGONSEMINVTFS5124PLTAG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 296
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
24+0.74 EUR
100+0.54 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
966+0.55 EUR
1047+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 966
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
auf Bestellung 19105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+0.62 EUR
100+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.41 EUR
3000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
10500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel Power MOSFET -60V, -8A, 260mohm
auf Bestellung 94140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGONSEMINVTFS5124PLTWG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
20+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1142+0.47 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTAGONSEMINVTFS5124PLWFTAG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.48 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
100+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
auf Bestellung 33905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.73 EUR
100+0.69 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.59 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
auf Bestellung 8061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
auf Bestellung 18870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 356400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
706+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.58 EUR
100000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 706
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
auf Bestellung 3812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 7177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.44 EUR
331+0.42 EUR
336+0.4 EUR
341+0.37 EUR
347+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 326
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 145000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
662+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
10000+0.62 EUR
100000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
auf Bestellung 3798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.18 EUR
100+1.47 EUR
500+1.3 EUR
1500+1.17 EUR
9000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
10+2.04 EUR
100+1.62 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+2.23 EUR
100+1.56 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+2.27 EUR
25+2.25 EUR
100+1.57 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.2 EUR
3000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0031 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 107A; Idm: 740A; 34W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 34W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 740A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.12 EUR
3000+1.07 EUR
4500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0031 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+1.76 EUR
100+1.22 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLTAGONSEMINVTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.74 EUR
100+1.21 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
auf Bestellung 3993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.81 EUR
100+1.46 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.1 EUR
1500+1.03 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
10+1.88 EUR
100+1.51 EUR
500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMINVTFS5C454NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C460NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C460NLTAGONSEMINVTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C460NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
11+1.7 EUR
100+1.2 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C460NLWFTAGONSEMINVTFS5C460NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C460NLWFTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.09 EUR
100+1.48 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.16 EUR
1500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0073 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.53 EUR
95+1.46 EUR
134+1 EUR
250+0.95 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.64 EUR
100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
1500+0.98 EUR
9000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 4379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGONSEMINVTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0073 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.1 EUR
94+1.48 EUR
95+1.41 EUR
134+0.96 EUR
250+0.91 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+1.9 EUR
100+1.3 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.62 EUR
124+1.11 EUR
500+0.82 EUR
1500+0.68 EUR
3000+0.63 EUR
4500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 51A; Idm: 214A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 214A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.12 EUR
89+1.56 EUR
124+1.07 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.65 EUR
3000+0.61 EUR
4500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.88 EUR
100+1.31 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.84 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
4500+0.8 EUR
7500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
auf Bestellung 1522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 51A; Idm: 214A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 214A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGONSEMINVTFS5C471NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+0.98 EUR
100+0.74 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.57 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.0074 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.54 EUR
269+0.51 EUR
271+0.49 EUR
274+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
15+1.25 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+1.17 EUR
100+1.05 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.93 EUR
1500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMINVTFS5C471NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C471NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.0074 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.85 EUR
256+0.54 EUR
266+0.5 EUR
269+0.47 EUR
271+0.45 EUR
274+0.43 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
13+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.49 EUR
100+1.06 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.74 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLTAGONSEMINVTFS5C478NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.02 EUR
155+0.89 EUR
166+0.8 EUR
250+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.81 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.26 EUR
140+0.99 EUR
155+0.86 EUR
166+0.77 EUR
250+0.7 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMINVTFS5C478NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+1.74 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.81 EUR
25+1.64 EUR
100+1.26 EUR
250+1.21 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C478NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
auf Bestellung 11604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.83 EUR
100+1.4 EUR
500+1.16 EUR
1500+1.04 EUR
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.45 EUR
113+1.17 EUR
131+0.98 EUR
250+0.93 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.22 EUR
131+1.02 EUR
250+0.97 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGONSEMINVTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+1.85 EUR
100+1.41 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.22 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+2.2 EUR
100+1.64 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.14 EUR
1500+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMINVTFS5C658NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGONSEMINVTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+2.07 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+2.08 EUR
100+1.62 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.05 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.46 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1500+1.31 EUR
3000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGONSEMINVTFS5C670NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+1.87 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1500+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 23W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 23W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.68 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL U8FL WF
auf Bestellung 9474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.68 EUR
100+1.28 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMINVTFS5C673NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
11+1.73 EUR
100+1.31 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
16+1.15 EUR
100+0.85 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
auf Bestellung 15933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.14 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGONSEMINVTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
4500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMINVTFS5C680NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
13+1.38 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.37 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorPower MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGONSEMINVTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.91 EUR
3000+0.84 EUR
4500+0.83 EUR
7500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.01 EUR
100+1.35 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.94 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGONSEMINVTFS6H850NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
661+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 661
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.77 EUR
210+0.66 EUR
212+0.63 EUR
230+0.56 EUR
250+0.52 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 106500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.66 EUR
3000+0.58 EUR
4500+0.57 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 53W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.68 EUR
212+0.65 EUR
230+0.58 EUR
250+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.18 EUR
100+0.86 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
1500+0.65 EUR
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 53W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 106556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
15+1.22 EUR
100+0.87 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.47 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGONSEMINVTFS6H850NWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.72 EUR
3000+0.66 EUR
4500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.82 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.45 EUR
100+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
1500+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.82 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLTAGONSEMINVTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 4390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.56 EUR
100+1.09 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NLWFTAGONSEMINVTFS6H854NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.23 EUR
100+1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.66 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMINVTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
14+1.31 EUR
100+1.02 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.56 EUR
4500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.51 EUR
3000+1.44 EUR
6000+1.38 EUR
12000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.35 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGONSEMINVTFS6H854NWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.51 EUR
3000+1.44 EUR
6000+1.38 EUR
12000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGONSEMINVTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H860NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0165 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 15503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.13 EUR
100+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
15+1.19 EUR
100+0.94 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGONSEMINVTFS6H860NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.56 EUR
100+1.07 EUR
500+0.85 EUR
1500+0.75 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 289500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.62 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 290666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
13+1.46 EUR
100+1 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
19+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGONSEMINVTFS6H860NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 826-830 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.92 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.41 EUR
10+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.39 EUR
1500+0.35 EUR
4500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGONSEMINVTFS6H880NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.59 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 911
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 29 mohm, 22 A WDFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
auf Bestellung 10358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1500+0.49 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
12000+0.37 EUR
18000+0.33 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGONSEMINVTFS6H880NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
22+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NWFTAGONSEMINVTFS6H880NWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H880NWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V U8FL
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.54 EUR
10+1 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
1500+0.41 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
27+0.67 EUR
100+0.52 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.42 EUR
376+0.37 EUR
380+0.35 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 340
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.46 EUR
337+0.41 EUR
340+0.39 EUR
376+0.34 EUR
380+0.32 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 312
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGONSEMINVTFS6H888NLTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.46 EUR
338+0.41 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLWFTAGONSEMINVTFS6H888NLWFTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLWFTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.84 EUR
100+0.57 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.41 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
4500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGONSEMINVTFS6H888NTAG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.88 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 77900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
17+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NWFTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 47A; 9.2W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 47A
Power dissipation: 9.2W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS6H888NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 76500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.47 EUR
3000+0.43 EUR
4500+0.41 EUR
7500+0.39 EUR
10500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH