Produkte > NTH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| NTH | Weller | Chisel Tip 0.8mm NTH | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH | Weller | Soldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH | Apex Tool Group B.V. | Chisel Tip 0.8mm NTH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH-FA3R3KTR | auf Bestellung 370000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH. | WELLER | Description: WELLER - NTH. - Lötspitze, meißelförmig, 0.8mm tariffCode: 85159080 productTraceability: No rohsCompliant: NA Breite der Spitze/Düse: 0.8mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Spitze/Düse: Meißelförmig Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V | auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH027N65S3F-F155 | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM | auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F_F155 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH030C-2.4576 | Diodes Inc | Oscillator XO 2.4576MHz ±100ppm 50pF HCMOS/TTL 60% 5V 4-Pin Metal DIP Thru-Hole Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH03NA-2.048000MHZT | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH03NA-2.0480MHZ(T) | auf Bestellung 2092 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH03NA-2.0480T | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH03NA20480T | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH0505M | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH0505MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W Packaging: Tube Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA, 200mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 5V Voltage - Output 2: -5V Part Status: Last Time Buy Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH0505MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0505MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0509MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0512MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0512MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0512MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0512MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0512MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0515MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0515MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0515MC | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH0515MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 5VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0515MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH0515MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH069AA | SARONIX | 0052+ | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH069AA | SARONIX | 0052+ | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH080AA44.7360MHZ | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH08312J803JTR | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH089AA362208 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH08HC | CITIZEN | 1000/REEL | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH08HC-55.0000MHZ | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH08NB-25.0000(T) | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH11D5R0LA/C130 | MURATA | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH1205M | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH1205MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1205MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W Packaging: Tube Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 13.2V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA, 200mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 5V Voltage - Output 2: -5V Part Status: Last Time Buy Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH1205MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1205MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1205MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1205MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1205MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1209MC | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH1209MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH1209MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1209MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1209MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1209MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1209MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W Packaging: Tube Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 13.2V Efficiency: 84% Current - Output (Max): 83mA, 83mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 12V Voltage - Output 2: -12V Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH1212MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 13.2V Efficiency: 84% Current - Output (Max): 83mA, 83mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 12V Voltage - Output 2: -12V Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1212MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215M | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC | Murata | DC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = -15; Uвих2, В = 15; Pвих, Вт = 1; Pвих2, Вт = 1; Uвх (max), В = 13,2; Uвх (min), В = 10,8; Iвих1, А = 0,067; Iвих2, А = 0,067; Uізол., В = 1 000; ККД, % = 84; Рів. пульс., мВ = 150; Тексп, °С = -40...+85 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH1215MC | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W Packaging: Tube Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 13.2V Efficiency: 84% Current - Output (Max): 67mA, 67mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 15V Voltage - Output 2: -15V Part Status: Last Time Buy Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC-R | Murata Power Solutions Inc. | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 13.2V Efficiency: 84% Current - Output (Max): 67mA, 67mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 15V Voltage - Output 2: -15V Power (Watts): 2 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1 kV | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC-R | Murata Power Solutions | Module DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH1215MC-R | Murata Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH205MC | Murata Electronics | Murata | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH209MC | Murata Electronics | Murata | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH212MC | Murata Electronics | Murata | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH215MC | Murata Electronics | Murata | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH215MC-R | Murata Electronics | Murata | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH2410BL | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH25CST141B | Omron Automation and Safety | Omron | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH25ST121B | Omron Automation and Safety | Omron | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH294AA | Pulse Electronics | Pulse | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH294AA | FCI | 0009 | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH295AA | Pulse Electronics | Pulse | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH407AQ | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH407AQNL | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH407CK | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH411AR | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| NTH437AA | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH437ABT | PULSE | 0 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH437AGT | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH437AW | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH439AN | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH439BB | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH441BK | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH441CT | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| NTH441DET | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH441DF | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH456AA | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH456AANL | Pulse Electronics Network | Description: FIXED IND | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH456AAT | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH456AAT | Pulse Electronics Network | Description: IC CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH465BB | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH48HC3-33.3333 | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH4G1S33B103FD01 | MURATA | SMD | auf Bestellung 86200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4G39A103E02 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH4G39A103F02 | MURATA | DIP | auf Bestellung 86200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4G40B203F01 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | onsemi | Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 682W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET ? EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L | auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L013N120M3S | ONSEMI | NTH4L013N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 682W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | ON Semiconductor | Discrete SiC M3S 1200V 13mohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L014N120M3P | onsemi | MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L014N120M3P | ONSEMI | NTH4L014N120M3P THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L014N120M3P | onsemi | Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 686W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 283nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 483A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L015N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V | auf Bestellung 5424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 283nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 483A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L016N065M3S | ON Semiconductor | NTH4L016N065M3S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L018N075SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L020N090SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 484W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V | auf Bestellung 3098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N090SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247 tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 484W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 510W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L020N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 510W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V | auf Bestellung 13310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L020N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L022N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L022N120M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 352W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V | auf Bestellung 30555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L022N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L022N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L022N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L022N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L022N120M3S | ONSEMI | NTH4L022N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L022N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L023N065M3S | ON Semiconductor | SiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L023N065M3S | ONSEMI | NTH4L023N065M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L025N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L025N065SC1 | ONSEMI | NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L025N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247?4L | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L025N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L025N065SC1 | ON Semiconductor | SiC MOS TO247-4L 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L027N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | ON Semiconductor | 650 V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | ON Semiconductor | 650 V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | ON Semiconductor | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | onsemi | MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L028N170M1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L028N170M1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L028N170M1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L | auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L028N170M1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L028N170M1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L028N170M1 | onsemi | Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L028N170M1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L028N170M1 | ONSEMI | NTH4L028N170M1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L030N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L030N120M3S | ONSEMI | NTH4L030N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L030N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3 | auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L032N065M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L032N065M3S | ON Semiconductor | SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L032N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L | auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N120M3S | ONSEMI | NTH4L040N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 41A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 160W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L040N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 319W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V | auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L | auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 41A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 160W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V | auf Bestellung 3910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N65S3F | ON Semiconductor | 650 V, 65 A, 40 m Ohm N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L040N65S3F | onsemi | MOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N65S3F | ON Semiconductor | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH4L040N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Pulsed drain current: 162.5A | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L040N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V | auf Bestellung 4471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L040N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Pulsed drain current: 162.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V | auf Bestellung 82981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ONSEMI | NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L | auf Bestellung 1658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N065SC1 | ONSEMI | NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L060N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS TO247-4L 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | auf Bestellung 3199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM | auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N090SC1 | ONSEMI | NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L067N65S3H | onsemi | Description: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L067N65S3H | ONSEMI | NTH4L067N65S3H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L067N65S3H | ON Semiconductor | NTH4L067N65S3H | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 4lead | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L070N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L070N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L070N120M3S | ONSEMI | NTH4L070N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L070N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L075N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | ONSEMI | NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L075N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L | auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 28W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 28W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V | auf Bestellung 45800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L095N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L160N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V | auf Bestellung 2353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART | auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L160N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 12.3A On-state resistance: 224mΩ Power dissipation: 55.5W Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 34nC Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 69A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 12.3A On-state resistance: 224mΩ Power dissipation: 55.5W Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 34nC Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 69A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4L160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4LN019N65S3H | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4 | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN019N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN019N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN019N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN019N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V | auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN019N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN040N65S3H | ONSEMI | NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN040N65S3H | onsemi | Description: NTH4LN040N65S3H Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN040N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN040N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 62 A, 40 mohm, TO-247 narrow 4lead | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN040N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 62A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN041N60S5H | onsemi | Description: MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6213 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4LN067N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4LN067N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN067N65S3H | ONSEMI | NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN095N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247 narrow 4lead | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4LN095N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN095N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH4LN095N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTH4LN095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH502AANL | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH518AAT | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH557AJT | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH570ABT | PULSE | 99/00 | auf Bestellung 2856 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH582AA | auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH582AAT | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5D103KA | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| NTH5G16P39B223J07TH | auf Bestellung 23973 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5G16P39B223J07TH | 0603TEM | auf Bestellung 10926 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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| NTH5G16P39B682J07TH0603-6.8K | MURATA | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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| NTH5G16P45A224E07TH | MURATA | SMD | auf Bestellung 86200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G16P45A224E07TH | MURATA | 0603L | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G16P45A224E07TH | MURATA | 01+ | auf Bestellung 16010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G16P45A224J07TH | muRata | 2005+ | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G16P45A224K07TH | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5G16P45A224K07TH | 0603TEM | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH5G16P45A474J07TH | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5G1M29A221J04TH | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5G1M29A221J04TH | 0603TEM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH5G1M31B102J | MURATA | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH5G1M31B102K04TH | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5G1M33B103F04TH | MURATA | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTH5G1M33B103J04TH | MURATA | 0603-10K | auf Bestellung 18664 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G1M33B103J04TH 0603- | MURATA | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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| NTH5G1M33B103J04TH0603-10K | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| NTH5G35A502K0111 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| NTH5G36B103K01TE | MARATA | 2006 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTH5G36B103K0TE | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| NTH5G39B152K01TE | MURATA | 98+ | auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| NTH5G42B104K01TF | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5GM39B681K04TE | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTH5GZM35A472K04TE | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T) | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHA3HB2048T | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHA6HC-E13.5000MHZ(T) | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHA6HC166700T | auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHA8HB-33.3300T | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHBBA6A10150U | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHBBA6A10150U | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHBR11A1000SR | Amphenol Commercial Products | Modular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination. | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHC08-3HJ103JTR | 0805T | auf Bestellung 6418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHC08-3HJ103JTR | auf Bestellung 3209 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHC083RJ803JTR | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHC5513T1 | ON | 1206-8 | auf Bestellung 18954 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON | SOT23-8 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHC5513T1G | ON | 09+ | auf Bestellung 33018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ONSEMI | NTHC5513T1G Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | onsemi | MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHC5513T1G | ON | 07+ SOT23-6 | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA11A1001F0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA11A1001F0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA12A1001H2 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA12A1001H2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA13210001F | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13210001F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA13A1001B0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13A1001B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA13B1001B0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA13B1001B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA22210001S | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22210001S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA2231U001S | Amphenol ICC (Commercial Products) | Description: NTHCAA2231U001S Packaging: Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA22A1001B0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA22A1001G0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA22A1001G0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA22A1001G0 | Amphenol ICC (Commercial Products) | Description: NTHCAA22A1001G0 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1001F0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3 PLUG TO 1X2 PLUG L =1000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1001H2 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001H2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1001R0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1001R0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1004L0 | Amphenol Commercial Products | NTH 2X3plug unsealed TO 1X2 & 1X1plug unsealed L=5000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1601M4 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TO 2X2plug unsealed L=1000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1601Q0 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTHCAA23A1601Q0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAA23A1602M4 | Amphenol Commercial Products | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTH 2X3plug unsealed TOinline UNSEALED L=1000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAC22A1601F0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCAC22A1601F0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCALA401004D0 | Amphenol Commercial Products | Amphenol NTHCALA401004D0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCAP23A1601Q1 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =1000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCBB1111001B0 | Amphenol Commercial Products | Amphenol NTHCBB1111001B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCBBA6A10150S | Amphenol ICC (Commercial Products) | Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F Packaging: Bag Connector Type: Socket to Socket Color: Black, Individual Length: 4.92' (1.50m) Shielding: Unshielded Number of Positions: 8 Number of Rows: 2 Cable Termination: Crimp | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHCBBA6A10150S | AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS | Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCBBA6A10150S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker tariffCode: 85444210 LAN-Kategorie: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Kabellänge - Imperial: 4.9ft Mantelfarbe: - euEccn: NLR Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kabellänge - Metrisch: 1.5m usEccn: EAR99 Steckverbinder auf Steckverbinder: Hybrid NETBridge+-Stecker auf Hybrid NETBridge+-Stecker Produktpalette: NETBridge+ Series SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCBBA6A10150S | Amphenol Commercial Products | Ethernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB12A104600 | Amphenol Commercial Products | Amphenol NTHCCB12A104600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB12A114000 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB12A114000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB12A1301T0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB12A1301T0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB12A1302T0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB12A1302T0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB12A130950 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB12A130950 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15A1008T0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB15A1008T0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15A125000 | Amphenol Commercial Products | Amphenol NTHCCB15A125000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15A1502B0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB15A1502B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15A1U003B | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB15A1U003B | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15B126000 | Amphenol Commercial Products | NTHCCB15B126000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15B1502B0 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB15B1502B0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15B156000 | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCCB15B156000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCCB15B156000 | Amphenol ICC (Commercial Products) | Description: NTHCCB15B156000 Packaging: Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCDB22Z10007C | Amphenol Commercial Products | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCK11A100015S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCK11A100015S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| NTHCPK11A10042S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A10042S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPK11A1U010S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A1U010S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPK11A1U021S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A1U021S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPK11A1U023S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A1U023S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPK11A1U036S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A1U036S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPK11A1U040S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPK11A1U040S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP11A10150S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPP11A10150S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP11A10360S | Amphenol Commercial Products | Amphenol | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP11A1U005S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCPP11A1U005S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP22A10010S | AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS | Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP22A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker tariffCode: 85444210 LAN-Kategorie: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Kabellänge - Imperial: 3.3ft Mantelfarbe: - euEccn: NLR Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kabellänge - Metrisch: 1m usEccn: EAR99 Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker Produktpalette: NETBridge+ Series SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP22A10150S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=15000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP22A10400S | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=40000MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPP23A10005S | AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS | Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPP23A10005S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker tariffCode: 85444210 LAN-Kategorie: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Kabellänge - Imperial: 19.7" Mantelfarbe: - euEccn: NLR Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kabellänge - Metrisch: 500mm usEccn: EAR99 Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Stecker auf NETBridge+-Stecker Produktpalette: NETBridge+ Series SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCPR11A10010S | AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS | Description: AMPHENOL COMMUNICATIONS SOLUTIONS - NTHCPR11A10010S - Ethernet-Kabel, A-kodiert, abgedichtet, NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker tariffCode: 85444210 LAN-Kategorie: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Kabellänge - Imperial: 3.3ft Mantelfarbe: - euEccn: NLR Kabelaufbau: STP-Kabel (Shielded Twisted Pair) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kabellänge - Metrisch: 1m usEccn: EAR99 Steckverbinder auf Steckverbinder: NETBridge+-Buchse auf NETBridge+-Inline-Stecker Produktpalette: NETBridge+ Series SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCRHS11011AP | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCRHS11011AP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHCRHS11011BP | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHCRHS11011BP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD2102PT1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | ON | SOT23-8 | auf Bestellung 13810 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | ON | 09+ | auf Bestellung 2210 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | onsemi | MOSFET -8V -4.6A P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | ON | 06+NOP | auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2110TT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD2110TT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD2110TT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1 | onsemi | MOSFETs Complementary ChipFET Power MOSFET 20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1 | ON | 1206-8 | auf Bestellung 2351 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1 | ON | 07+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 10424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3100CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3100CT1G | onsemi | MOSFETs 20V +3.9A/-4.4A Complementary | auf Bestellung 17970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ONSEMI | NTHD3100CT1G Multi channel transistors | auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTHD3100CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT3 | auf Bestellung 79986 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3100CT3 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3100CT3G | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3100CT3G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101F | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3101FT1 | ON | 0432+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON | SOT23-8 | auf Bestellung 41422 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ONROHS | auf Bestellung 25888 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky | auf Bestellung 7019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ONSEMI | NTHD3101FT1G SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON | SOT-8 | auf Bestellung 4102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD3101FT1G | ONS | 08+ | auf Bestellung 21500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | ON | auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD3101FT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3101FT3 | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3101FT3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102C | ON | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD3102CT1 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | ONSEMI | NTHD3102CT1G Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3102CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD3102CT1G | onsemi | MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary | auf Bestellung 50740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3103FT1G | auf Bestellung 10090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD3133PFT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | auf Bestellung 52717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD3133PFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 52717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3133PFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3133PFT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3133PFT1G | ON | 0748NO | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD3133PFT3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1 | onsemi | MOSFET -20V -4.1A Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | onsemi | MOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel | auf Bestellung 7828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ON | SOT-8 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 41142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ONSEMI | NTHD4102PT1G SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD4102PT1G Produktcode: 109267
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| ONS | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4102PT3G | onsemi | MOSFET PFET 20V 4.8A 80M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT3G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4401PT1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4401PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | auf Bestellung 1173045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4401PT1G | ON | 09+ | auf Bestellung 675018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1173045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | ON | 0611NO | auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 95300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | ON | 09+ | auf Bestellung 9918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4401PT3G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Obsolete | auf Bestellung 95300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4502N | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4502NT1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | auf Bestellung 231000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4502NT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 124515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | ONSEMI | NTHD4502NT1G Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | onsemi | MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4502NT1G | auf Bestellung 31450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4502NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4504N | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4508NT1 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G Produktcode: 133952
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4508NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | onsemi | MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel | auf Bestellung 16499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4508NT1G | ONSEMI | NTHD4508NT1G Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4508NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4508NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | auf Bestellung 17635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4508NTIG | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4902FTIG | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4N02F | auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4N02FT | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4N02FT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 910mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4N02FT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4N02FT1 | Onsemi | SSOP-8 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4N02FT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 910mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4N02FT1 | ON | 1206-8 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4N02FT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD4N02FT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 910mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 238219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4N02FT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 910mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4N02FT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 238219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P01FT1-D | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4P01FT1G | ON | 08+ MSOP8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P01FT1G | ON | MSOP8 08+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4P02F | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 20955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1 | auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1 | onsemi | Description: MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET Packaging: Bulk | auf Bestellung 20955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kanaltyp: p-Kanal + Schottky Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 2872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | ON | 05NOPB | auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | ON | SOT23-8 | auf Bestellung 9678 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | onsemi | MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4P02FT1G | ON | 09+ | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHD4P02PMOSS689 | SAGEM | N/A | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5902T1 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD5902T1 | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5903T1 | auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD5903T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5903T1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5903T1G | auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD5903T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5903T1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD5904NT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT1G | ON | 07+ VSOP1206-8 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V | auf Bestellung 3663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD5904NT1G | ON | 0539+ VSOP1206-8 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904T1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD5904T1 | ON | 04+ TSOP1206-8 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904T1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904T1 | ON | 07+ TSOP1206-8 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5904T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5905 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD5905T1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ | auf Bestellung 408000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHD5905T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 408000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5905T1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHD5905T1 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHD6N03 | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHDC0111P | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NTHDC0111P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHDC0211P | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHG1M35A472J04TH | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTHGAV11A2001L0 | Amphenol Commercial Products | Amphenol NTHGAV11A2001L0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL015N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 643W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL015N065SC1 | ONSEMI | NTHL015N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL015N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL015N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 643W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V | auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | NTHL015N065SC1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL017N60S5H | ONSEMI | NTHL017N60S5H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL017N60S5H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 75 A, 17.9 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET? V, FAST, 600 V, 75 A, 17.9 m?, TO-247 | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL017N60S5H | onsemi | Description: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V | auf Bestellung 2468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL017N60S5H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL017N60S5H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL019N60S5F | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 75 A, 19 mohm, TO-247 | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL019N60S5F | onsemi | Description: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247- Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL019N60S5F | Aptina Imaging | Power MOSFET, N-Channel | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL019N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | ONSEMI | NTHL019N65S3H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247 | auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL019N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL019N65S3H | ON Semiconductor | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | ONSEMI | NTHL020N090SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs 20MOHM 900V | auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 503W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V | auf Bestellung 3724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL020N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs 20MW 1200V | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL020N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V | auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL022N120M3S | ONSEMI | NTHL022N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL022N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3 | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL022N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 352W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL022N120M3S | Aptina Imaging | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3LD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL023N065M3S | ON Semiconductor | SiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL023N065M3S | ONSEMI | NTHL023N065M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL025N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL025N065SC1 | ONSEMI | NTHL025N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL025N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L | auf Bestellung 1547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V | auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL025N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL025N065SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL027N65S3HF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 27.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL027N65S3HF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 27.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL027N65S3HF | onsemi | MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm | auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL027N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL027N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V | auf Bestellung 15098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL027N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL027N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL027N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL030N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL030N120M3S | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL032N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL032N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V | auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL032N065M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL033N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL033N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL033N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL033N65S3HF | ONSEMI | NTHL033N65S3HF THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL033N65S3HF | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL033N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V | auf Bestellung 4452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N120M3S | ONSEMI | NTHL040N120M3S THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N120M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V | auf Bestellung 133190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N120M3S | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N120M3S | ON Semiconductor | NTHL040N120M3S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L | auf Bestellung 1228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N120SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Technology: SuperFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Technology: SuperFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A Anzahl je Verpackung: 450 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3HF | onsemi | MOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | ONSEMI | NTHL040N65S3HF THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL040N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | ON Semiconductor | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHL041N60S5H | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL041N60S5H | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 108nC Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTHL041N60S5H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 57A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL041N60S5H | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 28350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL041N60S5H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET V FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL041N60S5H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL041N60S5H | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 76500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL041N60S5H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL041N60S5H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247 | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| NTHL045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| NTHL045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL050N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 650V 50MOHM | auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL050N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL050N65S3HF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 378W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 650V Drain current: 37A On-state resistance: 41mΩ Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL050N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL050N65S3HF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 378W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 650V Drain current: 37A On-state resistance: 41mΩ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N065SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N065SC1 | ONSEMI | NTHL060N065SC1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL060N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | auf Bestellung 7026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL060N065SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N090SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 87nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...20V Pulsed drain current: 184A Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs 60MOHM 900V | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V | auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL060N090SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 87nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...20V Pulsed drain current: 184A Mounting: THT Case: TO247-3 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL061N60S5H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V | auf Bestellung 90433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL065N65S3F | ONSEMI | NTHL065N65S3F THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL065N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V | auf Bestellung 43448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL065N65S3HF | ON Semiconductor | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | onsemi | MOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247 | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL065N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 337W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 46A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | ONSEMI | NTHL065N65S3HF THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL067N65S3H | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL067N65S3H | ONSEMI | NTHL067N65S3H THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL067N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL067N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V | auf Bestellung 3130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL067N65S3H | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL070N120M3S | onsemi | Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V | auf Bestellung 11793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL070N120M3S | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL070N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 | auf Bestellung 1182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL075N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL075N065SC1 | Aptina Imaging | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL075N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247?3L | auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL075N065SC1 | Aptina Imaging | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL075N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL075N065SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL075N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL075N065SC1 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL075N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V | auf Bestellung 3430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTHL080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL080N120SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTHL080N120SC1 | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL080N120SC1 | ON Semiconductor | MOSFET SIC MOS 80MW 1200V | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |