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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTHWellerChisel Tip 0.8mm NTH
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NTHWellerSoldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc
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NTHWELLERWEL.NT-H Soldering tips
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3+24.37 EUR
4+ 23.02 EUR
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NTHApex Tool Group B.V.Chisel Tip 0.8mm NTH
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NTH-FA3R3KTR
auf Bestellung 370000 Stücke:
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NTH.WELLERDescription: WELLER - NTH. - Lötspitze, meißelförmig, 0.8mm
Breite der Spitze/Düse: 0.8
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 33 Stücke:
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NTH027N65S3F-F155onsemiMOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM
auf Bestellung 978 Stücke:
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1+52.34 EUR
10+ 46.49 EUR
25+ 46.12 EUR
50+ 45.86 EUR
100+ 40.64 EUR
250+ 39.99 EUR
450+ 36.01 EUR
NTH027N65S3F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
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NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH027N65S3F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 242 Stücke:
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1+52.81 EUR
30+ 43.79 EUR
120+ 41.06 EUR
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 855 Stücke:
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6+30.31 EUR
10+ 24.68 EUR
120+ 21.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTH027N65S3F-F155ON Semiconductor
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NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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5+36.08 EUR
10+ 27.25 EUR
120+ 24.1 EUR
510+ 22.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTH027N65S3F_F155ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
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NTH030C-2.4576Diodes IncOscillator XO 2.4576MHz ±100ppm 50pF HCMOS/TTL 60% 5V 4-Pin Metal DIP Thru-Hole Bulk
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NTH03NA-2.048000MHZT
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NTH03NA-2.0480MHZ(T)
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NTH03NA-2.0480T
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NTH03NA20480T
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NTH0505M
auf Bestellung 155 Stücke:
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NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
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NTH0505MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
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NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
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NTH0505MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC
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NTH0505MC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0505MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT
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NTH0505MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
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NTH0509MCMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0509MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTH0509MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0509MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT
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NTH0512MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0512MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC
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NTH0512MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV
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NTH0512MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT
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NTH0515MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0515MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTH0515MC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH0515MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
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NTH0515MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTH069AASARONIX0052+
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH069AASARONIX0052+
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH080AA44.7360MHZ
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH08312J803JTR
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH089AA362208
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH08HCCITIZEN1000/REEL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH08HC-55.0000MHZ
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH08NB-25.0000(T)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH11D5R0LA/C130MURATA
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH1205M
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
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NTH1205MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.5 EUR
5+ 36.35 EUR
10+ 36.09 EUR
NTH1205MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.5 EUR
5+ 36.35 EUR
10+ 36.09 EUR
25+ 35.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
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NTH1205MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
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NTH1205MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT
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NTH1209MC
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH1209MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1209MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.5 EUR
5+ 36.35 EUR
10+ 36.09 EUR
25+ 35.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH1209MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
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NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
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NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
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NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
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NTH1212MC
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH1212MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
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NTH1215MCMurataDC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = -15; Uвих2, В = 15; Pвих, Вт = 1; Pвих2, Вт = 1; Uвх (max), В = 13,2; Uвх (min), В = 10,8; Iвих1, А = 0,067; Iвих2, А = 0,067; Uізол., В = 1 000; ККД, % = 84; Рів. пульс., мВ = 150; Тексп, °С = -40...+85
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+40.65 EUR
10+ 35.02 EUR
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.5 EUR
5+ 36.35 EUR
10+ 36.09 EUR
25+ 35.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH1215MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTH205MCMurata ElectronicsMurata
Produkt ist nicht verfügbar
NTH209MCMurata ElectronicsMurata
Produkt ist nicht verfügbar
NTH212MCMurata ElectronicsMurata
Produkt ist nicht verfügbar
NTH215MCMurata ElectronicsMurata
Produkt ist nicht verfügbar
NTH215MC-RMurata ElectronicsMurata
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NTH2410BL
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH25CST141BOmron Automation and SafetyOmron
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NTH25ST121BOmron Automation and SafetyOmron
Produkt ist nicht verfügbar
NTH294AAFCI0009
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH294AAPulse ElectronicsPulse
Produkt ist nicht verfügbar
NTH295AAPulse ElectronicsPulse
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NTH407AQPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH407AQNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH407CKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH411ARPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH413AE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH437AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH437ABTPULSE0
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH437AGT
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH437AWPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH439ANPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH439BBPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441BKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441CT
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH441DCPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DCTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DDPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DDTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DEPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DETPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH441DFPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH456AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH456AANLPulse Electronics NetworkDescription: FIXED IND
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NTH456AAT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH456AATPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTH465BB
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH48HC3-33.3333
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4G1S33B103FD01MURATASMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4G39A103E02
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4G39A103F02MURATADIP
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4G40B203F01
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4L013N120M3SON SemiconductorDiscrete SiC M3S 1200V 13mohm
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NTH4L014N120M3PonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
auf Bestellung 365 Stücke:
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1+69.45 EUR
10+ 61.7 EUR
25+ 57.56 EUR
50+ 55.8 EUR
100+ 54 EUR
250+ 50.39 EUR
450+ 46.31 EUR
NTH4L014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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NTH4L014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+69.47 EUR
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NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.92 EUR
10+ 46.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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3+60.92 EUR
10+ 46.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+87.96 EUR
10+ 77.84 EUR
25+ 76.13 EUR
50+ 70.41 EUR
250+ 68.95 EUR
450+ 65.65 EUR
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+50.14 EUR
10+ 42.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+65.23 EUR
30+ 54.08 EUR
120+ 50.7 EUR
510+ 43.26 EUR
NTH4L016N065M3SON SemiconductorNTH4L016N065M3S
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NTH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+65.96 EUR
10+ 58.6 EUR
25+ 54.68 EUR
50+ 52.99 EUR
100+ 51.27 EUR
250+ 47.84 EUR
450+ 43.97 EUR
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L020N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+65.49 EUR
30+ 54.29 EUR
120+ 50.9 EUR
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.18 EUR
10+ 48.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+89.67 EUR
30+ 74.34 EUR
120+ 69.7 EUR
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L020N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+86.19 EUR
10+ 84.68 EUR
25+ 73.4 EUR
100+ 69.65 EUR
250+ 68.56 EUR
450+ 60.94 EUR
900+ 60.24 EUR
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+33.84 EUR
10+ 27.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTH4L022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+45.53 EUR
10+ 41.86 EUR
25+ 40.12 EUR
100+ 34.01 EUR
250+ 32.94 EUR
450+ 30.81 EUR
900+ 28.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+42.58 EUR
10+ 31.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+75.19 EUR
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+42.58 EUR
10+ 31.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L025N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+48.54 EUR
10+ 42.74 EUR
25+ 41.6 EUR
50+ 39.26 EUR
100+ 36.97 EUR
250+ 35.8 EUR
450+ 33.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 5241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.2 EUR
10+ 42.46 EUR
450+ 33.28 EUR
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.36 EUR
10+ 31.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L027N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+53.01 EUR
10+ 47.14 EUR
25+ 43.97 EUR
50+ 43.58 EUR
100+ 43.55 EUR
450+ 37 EUR
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L027N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4L027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L028N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+92.66 EUR
10+ 82.34 EUR
25+ 76.83 EUR
50+ 74.44 EUR
100+ 72.02 EUR
250+ 67.21 EUR
450+ 61.78 EUR
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+42.59 EUR
30+ 34.48 EUR
120+ 32.45 EUR
NTH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.9 EUR
10+ 37.8 EUR
25+ 36.79 EUR
50+ 34.71 EUR
100+ 32.68 EUR
250+ 31.67 EUR
450+ 29.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.37 EUR
10+ 28.52 EUR
25+ 27.77 EUR
50+ 26.21 EUR
100+ 24.67 EUR
250+ 23.89 EUR
450+ 22.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+32.14 EUR
10+ 28.32 EUR
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.18 EUR
30+ 39.94 EUR
120+ 37.44 EUR
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 319
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+48.36 EUR
10+ 43.03 EUR
25+ 40.2 EUR
100+ 37.73 EUR
250+ 37.44 EUR
450+ 32.84 EUR
2700+ 32.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+39.59 EUR
10+ 30.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.46 EUR
10+ 35.64 EUR
100+ 30.82 EUR
500+ 27.93 EUR
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.74 EUR
10+ 36.87 EUR
25+ 36.84 EUR
50+ 33.31 EUR
100+ 31.2 EUR
250+ 30.16 EUR
450+ 25.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L040N65S3FON Semiconductor650 V, 65 A, 40 m Ohm N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.46 EUR
30+ 32.75 EUR
120+ 30.82 EUR
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 118353 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.86 EUR
30+ 23.36 EUR
120+ 21.99 EUR
510+ 19.92 EUR
1020+ 18.28 EUR
NTH4L045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.07 EUR
10+ 25.61 EUR
25+ 24.73 EUR
50+ 23.45 EUR
100+ 22.2 EUR
250+ 21.45 EUR
450+ 20.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.9 EUR
10+ 17.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.9 EUR
10+ 17.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.94 EUR
10+ 15.17 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.64 EUR
11+ 14.32 EUR
25+ 13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 25398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.94 EUR
30+ 21.5 EUR
120+ 19.24 EUR
510+ 16.97 EUR
1020+ 15.28 EUR
NTH4L060N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.04 EUR
10+ 23.17 EUR
25+ 21.01 EUR
100+ 19.29 EUR
250+ 18.17 EUR
450+ 17.03 EUR
900+ 15.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.91 EUR
30+ 23.41 EUR
120+ 22.03 EUR
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTH4L060N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.55 EUR
10+ 28.96 EUR
60+ 28.94 EUR
120+ 26.78 EUR
270+ 25.92 EUR
510+ 24.75 EUR
1020+ 21.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTH4L067N65S3HON SemiconductorNTH4L067N65S3H
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L067N65S3HONSEMINTH4L067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.21 EUR
10+ 22.46 EUR
NTH4L070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.65 EUR
10+ 22.85 EUR
25+ 20.72 EUR
100+ 19.03 EUR
250+ 17.91 EUR
450+ 16.77 EUR
900+ 15.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
auf Bestellung 535 Stücke:
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2+23.06 EUR
30+ 18.41 EUR
120+ 16.47 EUR
510+ 14.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.24 EUR
10+ 19.92 EUR
25+ 18.07 EUR
100+ 16.61 EUR
250+ 15.63 EUR
450+ 14.64 EUR
900+ 13.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
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10+15.66 EUR
12+ 12.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
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NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.88 EUR
5+ 14.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.88 EUR
5+ 14.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.07 EUR
10+ 19.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
auf Bestellung 117430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+27.61 EUR
30+ 22.03 EUR
120+ 19.71 EUR
510+ 17.39 EUR
1020+ 15.66 EUR
NTH4L080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 420 Stücke:
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3+24.93 EUR
10+ 23.84 EUR
25+ 19.86 EUR
100+ 18.49 EUR
250+ 18.3 EUR
450+ 17.32 EUR
900+ 15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.2 EUR
17+ 9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.41 EUR
30+ 16.29 EUR
120+ 14.57 EUR
510+ 12.86 EUR
1020+ 11.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
auf Bestellung 645 Stücke:
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4+16.25 EUR
10+ 16.2 EUR
25+ 13.68 EUR
100+ 13.26 EUR
250+ 13.23 EUR
450+ 11.93 EUR
900+ 11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.57 EUR
19+ 8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.57 EUR
19+ 8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
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NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+60.68 EUR
10+ 55.43 EUR
25+ 52.18 EUR
50+ 50.18 EUR
100+ 48.88 EUR
450+ 41.89 EUR
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+31.12 EUR
10+ 28.59 EUR
30+ 27.4 EUR
120+ 22.96 EUR
270+ 21.48 EUR
510+ 20 EUR
1020+ 18.96 EUR
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+34.22 EUR
10+ 31.46 EUR
25+ 30.24 EUR
50+ 29.28 EUR
100+ 28.83 EUR
450+ 24.52 EUR
900+ 21.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4LN040N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 62A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.84 EUR
30+ 17.45 EUR
120+ 15.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.82 EUR
10+ 16.41 EUR
25+ 15.03 EUR
100+ 13.91 EUR
250+ 13.1 EUR
450+ 12.4 EUR
900+ 11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.02 EUR
27+ 5.68 EUR
100+ 5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTH4LN067N65S3HONSEMINTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.02 EUR
27+ 5.68 EUR
100+ 5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTH4LN095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-4
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.19 EUR
10+ 19.14 EUR
25+ 17.5 EUR
100+ 16.67 EUR
250+ 15.83 EUR
450+ 12.84 EUR
900+ 12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTH502AANL
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH518AAT
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH557AJT
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH570ABTPULSE99/00
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH582AA
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH582AAT
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5D103KA
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5D223KA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P33B103F08TH
auf Bestellung 55768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P33B103J08TH
auf Bestellung 18808 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P33B103J08TH0402TEM
auf Bestellung 37616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P35A221J08TH0402T
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P39B332K08TH
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P39B682J08TH
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P42B104J08TH
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G10P42B104J08TH0402T
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G16P30B102J07TH0603-1KMURATA
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G16P33B103E07TH
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTH5G16P33B103F07T
auf Bestellung 23497 Stücke:
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NTH5G39B223J01TE
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NTH5G39B223K01TE
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NTH5G39B332KMURATA
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NTH5G39B332K01TEMURATA
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NTH5G39B332K01TE1
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NTH5G40B303J01E
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NTH5G40B473K01TE
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NTH5G41B683J01TE0805T
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NTH5G41B683J01TE
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NTH5G42B104K01TE
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NTH5G42B104K01TF
auf Bestellung 7200 Stücke:
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NTH5GM39B681K04TE
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NTH5GZM35A472K04TE
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NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T)
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NTHA3HB2048T
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NTHA6HC-E13.5000MHZ(T)
auf Bestellung 2388 Stücke:
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NTHA6HC166700T
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NTHA8HB-33.3300T
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NTHBR11A1000SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination.
auf Bestellung 279 Stücke:
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9+6.34 EUR
10+ 5.33 EUR
100+ 4.91 EUR
500+ 4.08 EUR
1000+ 3.51 EUR
2500+ 3.28 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHC08-3HJ103JTR
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NTHC08-3HJ103JTR0805T
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NTHC083RJ803JTR
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NTHC5513T1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1ON1206-8
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NTHC5513T1GON09+
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NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GON07+ SOT23-6
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NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GONSOT23-8
auf Bestellung 33000 Stücke:
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NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHC5513T1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
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NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
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83+1.9 EUR
84+ 1.81 EUR
108+ 1.35 EUR
250+ 1.29 EUR
500+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 83
NTHCBBA6A10150SAmphenol Commercial ProductsEthernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY
Produkt ist nicht verfügbar
NTHCBBA6A10150SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Color: Black, Individual
Length: 4.92' (1.50m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Cable Termination: Crimp
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+66.35 EUR
10+ 58.1 EUR
25+ 55.59 EUR
50+ 53.8 EUR
NTHCCB12A104600Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB12A104600
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NTHCCB15B156000Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB15B156000
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NTHD2102PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD2102PT1
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NTHD2102PT1GON09+
auf Bestellung 2210 Stücke:
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NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD2102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD2102PT1GonsemiMOSFET -8V -4.6A P-Channel
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NTHD2102PT1GON06+NOP
auf Bestellung 2192 Stücke:
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NTHD2102PT1GONSOT23-8
auf Bestellung 13810 Stücke:
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NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
919+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 919
NTHD2110TT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1ON07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3100CT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1ON1206-8
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
14+ 1.93 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary
auf Bestellung 24085 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.37 EUR
28+ 1.91 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
3000+ 0.99 EUR
6000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTHD3100CT3
auf Bestellung 79986 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3100CT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3100CT3G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3100CT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101F
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1ON0432+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GONSEMINTHD3101FT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
11+ 2.56 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHD3101FT1GONSOT-8
auf Bestellung 4102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.65 EUR
301+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 239
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101FT1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
auf Bestellung 7019 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GONS08+
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101FT1GON
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GONSOT23-8
auf Bestellung 41422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101FT1GONROHS
auf Bestellung 25888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3101FT3ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3101FT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
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NTHD3102CON
auf Bestellung 12000 Stücke:
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NTHD3102CT1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD3102CT1GonsemiMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
auf Bestellung 50740 Stücke:
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22+2.47 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.08 EUR
3000+ 1.02 EUR
6000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 66005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
13+ 2.05 EUR
100+ 1.6 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.87 EUR
212+ 0.71 EUR
216+ 0.67 EUR
292+ 0.48 EUR
302+ 0.44 EUR
500+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 180
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTHD3102CT1G
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.04 EUR
6000+ 0.99 EUR
9000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD3103FT1G
auf Bestellung 10090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD3133PFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 55717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD3133PFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD3133PFT1GON0748NO
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 55717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NTHD3133PFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
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NTHD4102PT1
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4102PT1onsemiMOSFET -20V -4.1A Dual
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NTHD4102PT1G
Produktcode: 109267		ONSTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4102PT1GonsemiMOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel
auf Bestellung 8997 Stücke:
Lieferzeit 140-154 Tag (e)
22+2.39 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.06 EUR
3000+ 0.99 EUR
6000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD4102PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 12218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
14+ 1.95 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD4102PT1GONSOT-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.99 EUR
6000+ 0.94 EUR
9000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4102PT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4102PT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD4102PT3GonsemiMOSFET PFET 20V 4.8A 80M
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NTHD4401PT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4401PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1174277 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1374+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1374
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT1GON09+
auf Bestellung 675018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4401PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2049045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT3onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT3GON0611NO
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4401PT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 95300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4401PT3GON09+
auf Bestellung 9918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4502N
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4502NT1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 359015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4502NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1GonsemiMOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.45 EUR
500+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.61 EUR
278+ 0.54 EUR
279+ 0.52 EUR
324+ 0.43 EUR
330+ 0.41 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 258
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4502NT1G
auf Bestellung 31450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4504N
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4508NT1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4508NT1GonsemiMOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
auf Bestellung 16499 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
100+ 2.7 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.86 EUR
3000+ 1.22 EUR
6000+ 1.16 EUR
9000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 5786 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
12+ 2.35 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHD4508NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4508NT1G
Produktcode: 133952		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4508NTIG
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4902FTIG
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02F
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02FT
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4N02FT1OnsemiSSOP-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02FT1ON1206-8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02FT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4N02FT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4N02FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4N02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 238219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4P01FT1-D
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P01FT1GON08+ MSOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P01FT1GONMSOP8 08+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02F
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD4P02FT1
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1GON Semiconductor
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4P02FT1GON05NOPB
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1GONSOT23-8
auf Bestellung 9678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4P02FT1GonsemiMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.7 EUR
3000+ 1.57 EUR
6000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.95 EUR
10+ 3.23 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4P02FT1GON09+
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD4P02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD4P02PMOSS689SAGEMN/A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5902T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5902T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5903T1
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5903T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5903T1G
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5903T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904NT1GON0539+ VSOP1206-8
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5904NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904NT1GON07+ VSOP1206-8
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904NT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD5904T1ON04+ TSOP1206-8
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5904T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD5904T1ON07+ TSOP1206-8
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5905
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5905T1
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHD5905T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 408000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHD5905T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHD6N03
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHG1M35A472J04TH
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.37 EUR
5+ 44.23 EUR
10+ 42.26 EUR
25+ 39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+66.48 EUR
10+ 60.42 EUR
450+ 47.63 EUR
900+ 46.85 EUR
2700+ 46.83 EUR
NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+65 EUR
30+ 53.89 EUR
120+ 50.52 EUR
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
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NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.37 EUR
5+ 44.23 EUR
10+ 42.26 EUR
25+ 39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL015N065SC1ON SemiconductorNTHL015N065SC1
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL017N60S5HonsemiMOSFET SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.48 EUR
10+ 27.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL017N60S5HonsemiDescription: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.22 EUR
10+ 33.29 EUR
25+ 31.91 EUR
100+ 26.73 EUR
450+ 23.28 EUR
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.49 EUR
10+ 44.86 EUR
NTHL019N60S5FonsemiMOSFET SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)
2+50.86 EUR
10+ 38.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+59.44 EUR
10+ 52.81 EUR
25+ 49.24 EUR
50+ 47.74 EUR
100+ 46.18 EUR
250+ 45.19 EUR
450+ 39.65 EUR
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL019N65S3HON Semiconductor
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+65.86 EUR
30+ 54.6 EUR
120+ 51.19 EUR
510+ 43.68 EUR
NTHL020N090SC1onsemiMOSFET 20MOHM 900V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+93.89 EUR
10+ 83.43 EUR
30+ 80.31 EUR
60+ 78.94 EUR
120+ 72.96 EUR
270+ 70.25 EUR
510+ 65.29 EUR
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.75 EUR
10+ 53.83 EUR
30+ 49.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+89.23 EUR
30+ 73.98 EUR
120+ 69.36 EUR
NTHL020N120SC1onsemiMOSFET 20MW 1200V
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+74.67 EUR
10+ 74.26 EUR
25+ 66.35 EUR
50+ 64.82 EUR
100+ 62.82 EUR
450+ 62.79 EUR
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.75 EUR
10+ 53.83 EUR
30+ 49.99 EUR
60+ 47.07 EUR
120+ 41.39 EUR
270+ 37.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.31 EUR
5+ 54.36 EUR
10+ 50.77 EUR
20+ 47.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.64 EUR
5+ 46.37 EUR
10+ 40.84 EUR
25+ 35.82 EUR
60+ 32.92 EUR
120+ 30.9 EUR
270+ 29.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.35 EUR
60+ 50.07 EUR
120+ 45.76 EUR
180+ 42.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+52.81 EUR
4+ 48.9 EUR
5+ 45.45 EUR
10+ 42.37 EUR
20+ 39.58 EUR
50+ 37.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.64 EUR
5+ 46.37 EUR
10+ 40.84 EUR
25+ 35.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+84.94 EUR
10+ 75.48 EUR
100+ 66.02 EUR
NTHL022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+44.25 EUR
10+ 39 EUR
25+ 37.93 EUR
50+ 35.83 EUR
100+ 33.72 EUR
250+ 32.66 EUR
450+ 30.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.58 EUR
10+ 41.92 EUR
NTHL025N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.92 EUR
10+ 42.22 EUR
25+ 41.08 EUR
50+ 38.82 EUR
100+ 36.5 EUR
250+ 35.39 EUR
450+ 33.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.75 EUR
10+ 30.53 EUR
20+ 28.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 348W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+49.35 EUR
30+ 40.9 EUR
120+ 38.35 EUR
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+49.66 EUR
10+ 44.12 EUR
25+ 41.18 EUR
50+ 39.91 EUR
100+ 38.61 EUR
250+ 36.22 EUR
450+ 33.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.33 EUR
10+ 18.91 EUR
25+ 18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.33 EUR
10+ 18.91 EUR
25+ 18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.11 EUR
30+ 38.13 EUR
120+ 35.88 EUR
NTHL030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.42 EUR
10+ 41.78 EUR
25+ 40.64 EUR
50+ 38.38 EUR
100+ 36.11 EUR
250+ 35 EUR
450+ 32.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.56 EUR
7+ 24.72 EUR
10+ 23.08 EUR
20+ 21.59 EUR
50+ 20.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.46 EUR
10+ 40.95 EUR
25+ 40.92 EUR
50+ 35.41 EUR
250+ 32.08 EUR
450+ 31.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120M3SON SemiconductorNTHL040N120M3S
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+30.55 EUR
30+ 24.73 EUR
120+ 23.28 EUR
510+ 21.1 EUR
1020+ 19.35 EUR
NTHL040N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.78 EUR
10+ 27.12 EUR
25+ 26.39 EUR
50+ 24.91 EUR
100+ 23.43 EUR
250+ 22.7 EUR
450+ 21.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.98 EUR
10+ 27.03 EUR
30+ 25.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.84 EUR
10+ 45.84 EUR
25+ 39.68 EUR
50+ 39 EUR
100+ 37.96 EUR
250+ 37.93 EUR
450+ 32.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.5 EUR
30+ 39.38 EUR
120+ 36.92 EUR
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 348
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.97
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.98 EUR
10+ 27.03 EUR
30+ 25.23 EUR
60+ 23.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHL040N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 365-379 Tag (e)
2+38.51 EUR
10+ 35.96 EUR
25+ 31.17 EUR
100+ 29.33 EUR
250+ 28.83 EUR
450+ 26.57 EUR
900+ 25.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+38.22 EUR
30+ 30.95 EUR
120+ 29.13 EUR
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.33 EUR
10+ 35.54 EUR
25+ 30.99 EUR
50+ 29.64 EUR
100+ 29.17 EUR
450+ 28.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.07 EUR
10+ 35.3 EUR
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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11+15.23 EUR
12+ 12.83 EUR
30+ 10.4 EUR
120+ 9.08 EUR
270+ 8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A Tube
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NTHL041N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 41MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.39 EUR
10+ 24 EUR
25+ 20.38 EUR
100+ 19.27 EUR
250+ 16.17 EUR
450+ 15.73 EUR
900+ 15.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.7 EUR
10+ 22.32 EUR
30+ 21.28 EUR
120+ 17.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.23 EUR
12+ 12.83 EUR
30+ 10.4 EUR
120+ 9.08 EUR
270+ 8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.31 EUR
10+ 24.96 EUR
25+ 24.28 EUR
50+ 22.93 EUR
100+ 21.58 EUR
250+ 20.9 EUR
450+ 19.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+33.7 EUR
10+ 29.68 EUR
100+ 25.67 EUR
500+ 23.27 EUR
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL050N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFET SF3 650V 50MOHM
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.86 EUR
10+ 28.96 EUR
25+ 28.16 EUR
50+ 26.6 EUR
100+ 25.14 EUR
250+ 25.12 EUR
450+ 21.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+32.66 EUR
30+ 26.43 EUR
120+ 24.88 EUR
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.42 EUR
25+ 21.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 20783 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.27 EUR
30+ 20.18 EUR
120+ 18.06 EUR
510+ 15.93 EUR
1020+ 14.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.23 EUR
10+ 17.4 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL060N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+25.48 EUR
10+ 21.84 EUR
25+ 19.81 EUR
100+ 18.2 EUR
250+ 17.11 EUR
450+ 16.04 EUR
900+ 14.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.96 EUR
10+ 15.98 EUR
30+ 14.85 EUR
60+ 13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL060N090SC1onsemiMOSFET 60MOHM 900V
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+33.59 EUR
10+ 29.64 EUR
30+ 28.16 EUR
60+ 26.75 EUR
120+ 26.39 EUR
270+ 25.14 EUR
510+ 24.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.11 EUR
10+ 31.83 EUR
100+ 27.53 EUR
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.96 EUR
10+ 15.98 EUR
30+ 14.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.83 EUR
10+ 26.55 EUR
25+ 22.7 EUR
100+ 20.59 EUR
250+ 19.94 EUR
450+ 18.17 EUR
900+ 16.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 6612 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.65 EUR
30+ 22.87 EUR
120+ 20.46 EUR
510+ 18.06 EUR
1020+ 16.25 EUR
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.41 EUR
10+ 29.95 EUR
25+ 27.12 EUR
50+ 26.1 EUR
100+ 25.09 EUR
450+ 21.42 EUR
900+ 19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 337W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 16179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.71 EUR
30+ 20.81 EUR
120+ 19.59 EUR
510+ 17.75 EUR
1020+ 16.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24.02 EUR
10+ 21.14 EUR
25+ 17.97 EUR
100+ 15.47 EUR
250+ 15.05 EUR
450+ 14.46 EUR
900+ 14.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.26 EUR
21+ 7.49 EUR
25+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTHL067N65S3HON Semiconductor
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.26 EUR
21+ 7.49 EUR
25+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+ 24.08 EUR
100+ 20.07 EUR
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+25.06 EUR
10+ 21.5 EUR
25+ 19.5 EUR
100+ 17.91 EUR
250+ 16.85 EUR
450+ 15.78 EUR
900+ 14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.79 EUR
15+ 10.54 EUR
25+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTHL075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.55 EUR
10+ 18.49 EUR
25+ 16.74 EUR
100+ 15.39 EUR
250+ 14.48 EUR
450+ 13.57 EUR
900+ 12.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.4 EUR
30+ 17.07 EUR
120+ 15.27 EUR
510+ 13.48 EUR
1020+ 12.13 EUR
2010+ 11.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.79 EUR
15+ 10.54 EUR
25+ 9.48 EUR
50+ 8.67 EUR
100+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 136A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 58W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL080N120SC1AonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.42 EUR
10+ 23.27 EUR
25+ 22.62 EUR
50+ 21.37 EUR
100+ 20.12 EUR
250+ 19.5 EUR
450+ 18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.21 EUR
30+ 21.23 EUR
120+ 19.98 EUR
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+20.01 EUR
480+ 17.98 EUR
960+ 16.36 EUR
1440+ 15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 1211-1225 Tag (e)
3+24.23 EUR
10+ 20.75 EUR
30+ 18.82 EUR
120+ 17.29 EUR
270+ 16.28 EUR
510+ 15.26 EUR
1020+ 13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.71 EUR
30+ 17.32 EUR
120+ 15.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL082N65S3HF
Produktcode: 182440		Transistoren > MOSFET N-CH
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NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL082N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 82MOHM, TO-247
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 1083-1097 Tag (e)
3+21.84 EUR
10+ 18.72 EUR
25+ 16.98 EUR
100+ 15.6 EUR
250+ 14.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HON Semiconductor
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.58 EUR
10+ 18.3 EUR
25+ 15.52 EUR
100+ 15.42 EUR
250+ 14.53 EUR
450+ 12.84 EUR
900+ 12.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.81 EUR
30+ 14.22 EUR
120+ 12.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.9 EUR
10+ 16.2 EUR
25+ 13.55 EUR
100+ 13.52 EUR
450+ 11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL095N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 272
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 272
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.8 EUR
30+ 15.01 EUR
120+ 13.43 EUR
510+ 11.85 EUR
1020+ 10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL095N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL099N60S5onsemiMOSFET SUPERFET5 EASY, 99MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.17 EUR
10+ 14.9 EUR
25+ 12.64 EUR
100+ 10.56 EUR
250+ 10.11 EUR
450+ 9.41 EUR
900+ 9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL099N60S5ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 184W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0792ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL099N60S5onsemiDescription: NTHL099N60S5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V
auf Bestellung 1202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.69 EUR
10+ 13.26 EUR
30+ 12.65 EUR
120+ 10.49 EUR
270+ 9.56 EUR
510+ 8.94 EUR
1020+ 8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL1000N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.41 EUR
10+ 9.57 EUR
25+ 9.05 EUR
100+ 7.77 EUR
250+ 7.33 EUR
450+ 6.86 EUR
900+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.58 EUR
30+ 14.02 EUR
120+ 12.54 EUR
510+ 11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL110N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.71 EUR
25+ 14.12 EUR
100+ 12.64 EUR
450+ 11.15 EUR
900+ 9.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL120N60S5ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL120N60S5ZonsemiMOSFET SUPERFET5 EASY, 120MOHM, TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL125N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-247-3
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+17.11 EUR
10+ 15.73 EUR
25+ 13.34 EUR
100+ 12.79 EUR
250+ 11.96 EUR
450+ 10.01 EUR
900+ 9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL125N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL125N65S3HON Semiconductor
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.94 EUR
30+ 15.92 EUR
120+ 14.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.65 EUR
10+ 17.26 EUR
25+ 13.65 EUR
100+ 12.87 EUR
250+ 12.84 EUR
450+ 11.18 EUR
900+ 10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL185N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 185MOHM, TO-247-3
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5+12.43 EUR
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NTHL185N60S5HON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
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NTHL185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
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NTHL190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
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2+14.51 EUR
30+ 11.51 EUR
120+ 9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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NTHL190N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 3800 Stücke:
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NTHL190N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
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4+14.77 EUR
10+ 12.43 EUR
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100+ 10.04 EUR
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NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHLD040N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTHLD040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.01 EUR
10+ 35.26 EUR
30+ 34.32 EUR
60+ 32.37 EUR
120+ 30.47 EUR
270+ 29.54 EUR
510+ 27.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHLD040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHLD040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHLD040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
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NTHNApex Tool GroupDescription: NTH SOLDERING TIP CHISEL 0 8MM
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1005N02 9.2K 10% R580402TEM
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1005N029.2K10%R58
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1204N01
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206J02-8K5R58
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206N01-50K
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206N01/50K
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206N0150K5%R58VISHAY
auf Bestellung 24010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206N0150K5R58
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS-1206N17104KR58
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS0402N01N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N1003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100Kohms 5%
auf Bestellung 5471 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.73 EUR
12+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTHS0402N01N1003JESMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS0402N01N1003JEVishayThermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3974K -4.5 to -4 T/R Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
auf Bestellung 10450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.71 EUR
10+ 3.63 EUR
25+ 3.03 EUR
50+ 2.96 EUR
100+ 2.69 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHS0402N01N1003JE
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.09 EUR
4000+ 2.02 EUR
6000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTHS0402N01N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3974K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N1003JPVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N1003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N4702JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 47KOHM 3964K 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N6802JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
13+ 2.04 EUR
25+ 1.63 EUR
100+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTHS0402N01N6802JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N01N6802JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02 10K 5%TRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002HEVishayNTC SMD Thermistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002JEVISHAYDescription: VISHAY - NTHS0402N02N1002JE - NTC-Thermistor, 10 kOhm, Produktreihe NTHS, 3477 K, -40°C bis 125°C, SMD, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85334090
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Bauform - Thermistor: 0402 [Metrisch 1005]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beta-Wert (K): 3477K
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Thermistoranschlüsse: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10kohm
Produktpalette: NTHS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHS0402N02N1002JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Part Status: Active
auf Bestellung 4806 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.53 EUR
10+ 7.9 EUR
25+ 7.02 EUR
50+ 6.67 EUR
100+ 6.5 EUR
500+ 5.44 EUR
1000+ 5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTHS0402N02N1002JE0402TEM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS0402N02N1002JEVishayThermistor NTC 10K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3486K -4 to -3.5 T/R Automotive
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHS0402N02N1002JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTHS0402N02N1002JE
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTHS0402N02N1002JEVISHAYDescription: VISHAY - NTHS0402N02N1002JE - NTC-Thermistor, 10 kOhm, Produktreihe NTHS, 3477 K, -40°C bis 125°C, SMD, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85334090
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Bauform - Thermistor: 0402 [Metrisch 1005]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beta-Wert (K): 3477K
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Thermistoranschlüsse: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10kohm
Produktpalette: NTHS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHS0402N02N1002JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.35 EUR
10+ 7.07 EUR
50+ 6.58 EUR
100+ 5.95 EUR
500+ 5.25 EUR
1000+ 4.76 EUR
2000+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTHS0402N02N1002JFVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002JFVishayThermistor NTC 10K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3486K -4 to -3.5 Bulk Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002JRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002KEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
B25/75: 3477K
Produkt ist nicht verfügbar
NTHS0402N02N1002KFVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
B25/75: 3477K
Produkt ist nicht verfügbar