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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
APT-01INKEL PA CORPORATIONAPT-01 CEILING SPEAKER. Частотний діапазон: 320Гц-20кГц, Чутливість: 90дБ, Потужність: 1Вт. Габарити: В120 x Ш120 x Г45, Вага: 0,35 кг
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT-01RINKEL PA CORPORATIONAPT-01R CEILING SPEAKER. Частотний діапазон: 120Гц-20кГц, Чутливість: 91дБ, Потужність: 1Вт, 3Вт, 6Вт. Габарити: Д103 x Г80, Вага: 0,5 кг
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT-106Abracon LLCDescription: LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
Packaging: Tube
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APT-106Abracon CorporationTelecom Transformer 1CT:1CT 1.5Ohm Prim. DCR 1.5Ohm Sec. DCR 16 Terminal Gull Wing SMD
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APT-106ABRACONAudio Transformers / Signal Transformers 10/100Base-T Single Port LAN Transformer Extended Temperature
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APT-106-TAbracon LLCDescription: LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
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APT-106-TABRACONAudio Transformers / Signal Transformers LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
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APT-10AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 10A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-10AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 10A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 10A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: red
Produkt ist nicht verfügbar
APT-10AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 10A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 10A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: red
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT-15AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 15A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 15A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: blue
Produkt ist nicht verfügbar
APT-15AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 15A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 15A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: blue
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT-15AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 15A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-2012SRC-PRVKingbrightLED Low-Power Uni-Color SB. Red 655nm 1.85V 2-Pin Chip LED T/R
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APT-20AOPTIFUSEAPT-20A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 106
APT-20AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 20A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 3701 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-20AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 20A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Colour: yellow
Current rating: 20A
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Type of fuse: fuse
Rated voltage: 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
APT-20AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 20A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Colour: yellow
Current rating: 20A
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Type of fuse: fuse
Rated voltage: 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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APT-25AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 25A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 1887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-25AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 25A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Current rating: 25A
Manufacturer series: MICRO2
Colour: colourless
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Rated voltage: 48V DC
Type of fuse: fuse
Produkt ist nicht verfügbar
APT-25AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 25A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Current rating: 25A
Manufacturer series: MICRO2
Colour: colourless
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Rated voltage: 48V DC
Type of fuse: fuse
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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APT-30AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 30A 48VDC BLADE MICRO
Packaging: Bulk
Package / Case: Blade, Micro
Color: Green
Size / Dimension: 0.358" L x 0.150" W x 0.311" H (9.10mm x 3.80mm x 7.90mm)
Fuse Type: Automotive
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1kA
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 30 A
Voltage Rating - DC: 48 V
auf Bestellung 5526 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.09 EUR
25+ 2.03 EUR
50+ 1.71 EUR
100+ 1.4 EUR
250+ 1.27 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
APT-30AOPTIFUSEAPT-30A Other Car Fuses
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APT-5AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 5A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 7467 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: beige
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT-5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: beige
Produkt ist nicht verfügbar
APT-7.5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 7.5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Fuse size: 9.1mm
Type of fuse: fuse
Current rating: 7.5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Colour: brown
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT-7.5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 7.5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Fuse size: 9.1mm
Type of fuse: fuse
Current rating: 7.5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Colour: brown
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Produkt ist nicht verfügbar
APT-7.5AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 7.5A 48VDC BLADE MICRO
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-A1500APPLETEC20221206002 Male Power Connector V2.01.5m Cable length
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APT-C59ABB Power Electronics Inc.Description: EZ APTC59 CAUTION TAG MEN WORKIN
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT-CNOCAltechThermostats Panel Thermostat NO, Cooling
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+120.41 EUR
5+ 114.92 EUR
10+ 104 EUR
25+ 95.78 EUR
APT-CNOCAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NO MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NO
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+100.44 EUR
10+ 83.7 EUR
25+ 74.14 EUR
APT-CNOFAltechThermostats Panel Thermostat NO, Cooling
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+91.36 EUR
10+ 84.14 EUR
25+ 74.44 EUR
50+ 71.29 EUR
100+ 68.9 EUR
250+ 67.99 EUR
500+ 67.21 EUR
APT-CNOFAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NO MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NO
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+100.44 EUR
10+ 83.7 EUR
25+ 74.14 EUR
APT-HNCCAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NC MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NC
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+100.44 EUR
10+ 83.7 EUR
25+ 74.14 EUR
APT-HNCCAltechThermostats Panel Thermostat NC, Heating
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APT-HNCFAltechThermostats Panel Thermostat NC, Heating
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APT-HNCFAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NC MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NC
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+103.92 EUR
10+ 86.6 EUR
25+ 76.7 EUR
APT-MEPhoenix ContactConnector Accessories Cover Profile Carrier Polyamide Gray
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APT-XSilicon LabsSilicon Laboratories APT-X software add-on for WT32
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APT06DC60HJMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
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APT06DC60HJMicrosemiDiode Rectifier Bridge Single 600V 6A 4-Pin SOT-227
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APT1001R1AVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R1BNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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APT1001R1BNAPTTO247 09+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R1BVFR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R1HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R3BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R6BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
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APT1001R6BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1001R6BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT1001R6BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001R6SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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APT1001R6SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
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APT1001RBLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RBNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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APT1001RBN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RBNMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
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APT1001RBVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
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APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
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APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT1001RBVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+33.83 EUR
APT1001RBVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+34.06 EUR
100+ 29.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT1001RBVRGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1001RBVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT1001
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RSLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RSVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RSVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1001RSVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT1001RSVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT1001RSVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1001RSVRGMICROSEMIPower MOSFET Transistor APT1001
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JFLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS7 1000 V 21 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+242.97 EUR
APT10021JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10021JLLMICROSEMIISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10021
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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APT10021JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET MOS7 1000 V 21 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT10025JNAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10025JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
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Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
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Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 1000 V 25 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
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Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules Power Mos V N-CH 1KV 34A 4-Pin
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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100+ 180.67 EUR
APT10025JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
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Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10025JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
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Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10025JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 990 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+207.66 EUR
APT10025PVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10026JFLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm SOT-227
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APT10026JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
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Power dissipation: 595W
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Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10026JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET MOS7 1000 V 26 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.26Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.26Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
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APT10026JNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 33A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026JNAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10026L2FLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10026L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
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APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2FLLGMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
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Gate charge: 267nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX
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APT10026L2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10026L2LLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2LLGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10026L2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1002R4BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1002RBN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1002RBNGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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APT1002RCNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-254
Produkt ist nicht verfügbar
APT1002RCN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10030
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10030L2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10030L2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10035B2FLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10035B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT10035B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10035B2LLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035B2LLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JFLLMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10035JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLL
Produktcode: 117751
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLLMICROSEMIISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10035
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.35_OHM, SOT-227
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+131.69 EUR
10+ 131.66 EUR
100+ 120.95 EUR
APT10035LFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10035LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10035LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10035LLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10035LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LLLGMICROSEMITO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10035LLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1003RBFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RBFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.39 EUR
10+ 28.37 EUR
100+ 26.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT1003RBFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1003RBLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1003RBLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RBLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RBLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RKFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RKLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1003RKLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1003RKLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, TO-220, RoHS
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APT1003RKLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, D3, RoHS, TO-268
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2+28.94 EUR
100+ 25.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT1003RSFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, D3, RoHS, TO-268
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APT1003RSFLLG/TRMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS7 1000 V 3 Ohm TO-268 Tape & Reel
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APT1003RSLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT1003RSLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
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APT1003RSLLGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1003RSLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
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APT10040B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT10040B2VFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
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APT10040B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT10040B2VRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
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APT10040LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10040LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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APT10040LVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
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APT10040LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT10043JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10043JVRMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.43_OHM, SOT-227
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10043JVRAPT
auf Bestellung 672 Stücke:
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APT10045B2FLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10045B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.46Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2FLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.46Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10045B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2LLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045B2LLGMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10045B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.46Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.46Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JFLLMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS7
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10045JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, 0.45_OHM, SOT-227
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+107.85 EUR
100+ 93.13 EUR
APT10045JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+109.25 EUR
APT10045JLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, 0.45_OHM, SOT-227
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10045LFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10045LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT10045LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045LFLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET,1000V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10045LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10045LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045LLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10045LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1004R2BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004R2KN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RANAPT0415
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RANAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RBN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RCN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RGN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1004RGNTXMicrochip TechnologyPower Mos N Channel Enhancement Mode High Voltage Power Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
APT1004RKN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050B2LC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050B2VFRGMICROSEMIT-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050B2VRGMICROSEMIT-MAX/POWER MOSFET - MOS5 APT10050
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050B2VRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS 5 1000V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050JLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050JNMicrochip TechnologyMicrochip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050JNAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050JNAPTMODULE
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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APT10050JVFRMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, 0.50_OHM, SOT-227
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APT10050JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227
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APT10050JVRAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050JVRFAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
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APT10050LLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.62 EUR
3+ 34.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+60.37 EUR
APT10050LVFRGMicrochip Technology / AtmelAluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded RADIAL
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APT10050LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.62 EUR
3+ 34.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+61.44 EUR
100+ 53.04 EUR
APT10050LVRIXYS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10050LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-264
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+57.95 EUR
100+ 50.05 EUR
APT10050LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050LVRGMicrochip Technology / AtmelMOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 315-329 Tag (e)
1+62.32 EUR
10+ 62.3 EUR
100+ 57.2 EUR
APT10050LVRGMICROSEMITO264/POWER MOSFET - MOS5 APT10050
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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APT10050LVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10050LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
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APT10053LNR
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10053LNRGMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology
auf Bestellung 1 Stücke:
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APT10057WVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100788LL
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10078BFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10078BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10078BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BLLGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+55.07 EUR
100+ 47.5 EUR
APT10078BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10078SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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APT10078SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10078SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, 0.78_OHM, D3, TO-268, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D3PAK
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D3PAK
On-state resistance: 780mΩ
Technology: POWER MOS 7®
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLLGMICROSEMIAnzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10078SLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10086BLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10086BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10086BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10086BVRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10086BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10086BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.12 EUR
100+ 39.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT10086SLC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10086SVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10088HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10090BFLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10090BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.38 EUR
100+ 32.8 EUR
APT10090BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10090SFLL
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APT10090SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT10090SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET,1000V, 0.90_OHM, D3, TO-268, RoHS
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APT10090SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10090SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
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APT10090SLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET,1000V, 0.90_OHM, D3, TO-268, RoHS
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APT100D60B2GMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT100D60B2GMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.02 EUR
100+ 15.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT100D60B2GMicrochip Technology / AtmelRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.37 EUR
100+ 17.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT100D60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; T-Max; FRED
Type of diode: rectifying
Technology: FRED
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: T-Max
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100D60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; T-Max; FRED
Type of diode: rectifying
Technology: FRED
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: T-Max
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APT100D60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT100D60BGMicrochip TechnologyRectifiers
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APT100DL60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
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APT100DL60HJMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules DOR CC0003
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+71.16 EUR
10+ 71.14 EUR
25+ 67.05 EUR
APT100DL60HJMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100DL60HJMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 100A
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APT100F50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100F50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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APT100F50JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT100F50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, SOT-227
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APT100GF60B2R
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT100GF60JR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GF60JRD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GF60JU2MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GF60JU3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GF60JU3MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GF60LR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GLQ65JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Application: motors
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
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APT100GLQ65JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Application: motors
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
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APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyISOTOP® Boost chopper 650V
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APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+71.68 EUR
100+ 62.17 EUR
APT100GLQ65JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Application: motors
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+71.68 EUR
25+ 62.82 EUR
100+ 62.76 EUR
250+ 62.71 EUR
500+ 62.69 EUR
5000+ 62.63 EUR
10000+ 62.58 EUR
APT100GLQ65JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Application: motors
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
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APT100GN120B2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120B2GMICROCHIP (MICROSEMI)APT100GN120B2G THT IGBT transistors
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APT100GN120B2GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 960W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT100GN120JMICROSEMIAPT100GN120J APT100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+90.69 EUR
100+ 78.29 EUR
APT100GN120JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GN120JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JDQ4MICROSEMIISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)APT100GN60B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60B2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GN60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60LDQ4GMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60LDQ4GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GN60LDQ4GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 135A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 435ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 625W
Kind of package: tube
Gate charge: 600nC
Case: TO264
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60LDQ4GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 135A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 435ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 625W
Kind of package: tube
Gate charge: 600nC
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.14 EUR
100+ 31.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT100GT120JRMicrochip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1.2KV 123A
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDLMICROSEMIISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT100GT120
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDQ4MICROSEMISOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+149.47 EUR
100+ 129.06 EUR
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+152.46 EUR
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JRDQ4Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules CC0006
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+96.62 EUR
100+ 80.49 EUR
APT100GT120JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT100GT120JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
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APT100GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules DOR CC0007
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+89.73 EUR
100+ 77.74 EUR
APT100GT120TU2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GT120TU3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GT60B2RGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+84.47 EUR
10+ 79.85 EUR
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100+ 73.53 EUR
250+ 68.09 EUR
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1000+ 63.99 EUR
APT100GT60JRWL
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100GT60JRDQ4Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227
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APT100M50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
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APT100M50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT100M50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100M50JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT100M50JMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100M50JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
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APT100MC120JCU2Microchip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules CC0083
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT100MC120JCU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 108A; ISOTOP; screw; Idm: 280A
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 17mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT100MC120JCU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 108A; ISOTOP; screw; Idm: 280A
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 17mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100MC120JCU2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 143A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT100S20B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100S20B
Produktcode: 92152
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT100S20BGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO247-2; Ufmax: 1.06V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A
Max. load current: 318A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.06V
Leakage current: 40µA
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APT100S20BG
Produktcode: 149083
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT100S20BGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO247-2; Ufmax: 1.06V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A
Max. load current: 318A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.06V
Leakage current: 40µA
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APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.26 EUR
25+ 12.49 EUR
100+ 10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11
APT100S20BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT100S20BGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers FG, SCHOTTKY, 200V, 100A, TO-247, RoHS
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.39 EUR
100+ 11.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
APT100S20BGMICROSEMITO247/SCHOTTKY DISCRETE RECTIFIER APT100S20
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
APT100S20LCT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT100S20LCTGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 70ns 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
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APT100S20LCTGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers FG, SCHOTTKY, 200V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
2+28.34 EUR
100+ 24.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT100S20LCTGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO264; Ufmax: 1.06V
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 1kA
Leakage current: 40µA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO264
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 318A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100S20LCTGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO264; Ufmax: 1.06V
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 1kA
Leakage current: 40µA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO264
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 318A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A
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APT102GA60B2MICROCHIP (MICROSEMI)APT102GA60B2 THT IGBT transistors
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APT102GA60B2Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 183A 780mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT102GA60B2Microsemi CorporationDescription: IGBT 600V 183A 780W TO247
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APT102GA60LMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT102GA60LMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 183A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT102GA60LMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 183A 780W TO264
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APT102GA60LMICROCHIP (MICROSEMI)APT102GA60L THT IGBT transistors
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APT106N60B2C6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.42 EUR
APT106N60B2C6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 106A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT106N60B2C6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Gate charge: 308nC
Case: TO247MAX
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APT106N60B2C6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Gate charge: 308nC
Case: TO247MAX
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT106N60B2C6Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, 106A, TO-247
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APT106N60B2C6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 106A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT106N60LC6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Gate charge: 308nC
Case: TO264
Produkt ist nicht verfügbar
APT106N60LC6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Gate charge: 308nC
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+50.65 EUR
100+ 43.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT106N60LC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+49.79 EUR
APT10DC120HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10DC120HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APT10M07JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M07JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M07JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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APT10M07JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M07
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 100 V 7 mOhm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M07JVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M07JVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M09B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M09B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M09B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M09LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 100 V 9 mOhm TO-264
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APT10M09LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M09LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M09LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M11B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M11JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M11
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 144A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10M11JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M11JVRU2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC9518
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+82.58 EUR
10+ 82.55 EUR
100+ 77.9 EUR
APT10M11JVRU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC9519
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+76.88 EUR
100+ 66.66 EUR
APT10M11JVRU3Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11JVRU3MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10M11LVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11LVRAPT0211+ TO-3P
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+94.69 EUR
APT10M11LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M11LVRGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M19BVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVFRGAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M19BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.91 EUR
APT10M19BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT10M19
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M19SVR-G
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+31.41 EUR
100+ 25.55 EUR
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, D3, TO-268, RoHS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.32 EUR
100+ 27.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT10M19SVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M19SVRG/TRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M25BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M25BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+24.18 EUR
100+ 20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT10M25BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT10M25BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT10M25SVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10M30AVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT10SCD120BMICROSEMIAPT10SCD120B APT10SCD120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
APT10SCD120KMicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT10SCD65KMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
APT10SCD65KCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
APT10SCD65KCTMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Center Tap RECTIFIER
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT110GF60JNAPTMODULE
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1147APT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 800 V 11 A TO-247
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.21 EUR
25+ 13.18 EUR
100+ 11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
APT11F80BMICROSEMITO247-3/11 A, 800 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11F80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80BMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT11F80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2471 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
APT11F80SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GF120BRD1
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 25A 156W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GF120KR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11GF120KRGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 1200V 25A 156W TO220
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GF120KRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 25A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GP60BDQB
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11GP60BDQBGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 41A 187W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/29ns
Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 187 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GP60BDQBGMicrochip TechnologyPOWER MOS 7 IGBT A NEW GENERATION OF HIGH VOLTAGE POWER
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GP60BDQBGAPT
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11GP60K
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11GP60KGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
APT11GP60SA
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11N80BC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11N80BC3GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
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3+10.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
APT11N80BC3GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET COOLMOS 800 V 11 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80BC3G
Produktcode: 176617
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80KC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT11N80KC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80KC3GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80KC3G
Produktcode: 18385
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT11N80KC3GMICROSEMITO-220AB/11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11N80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R2BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R2BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS7 1200 V 1.2 Ohm TO-247
auf Bestellung 23 Stücke:
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1+65.05 EUR
100+ 56.19 EUR
APT1201R2BFLLGMICROSEMITO-247 [B]POWER FREDFET - MOS7
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT1201R2BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 15 Stücke:
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APT1201R2BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R2BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
auf Bestellung 109 Stücke:
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1+64.58 EUR
100+ 52.43 EUR
APT1201R2BLLAPT
auf Bestellung 300 Stücke:
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APT1201R2BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R2BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R2BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+69.94 EUR
APT1201R2SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT1201R4BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BFLLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R4BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4BLLGMicrochip TechnologyMOSFET MOS7 1200 V 1.4 Ohm TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R4SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET,1200V, TO-268, RoHS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1201R4SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R5BVFR
Produktcode: 111350
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVFR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R5BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVR
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R5BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 1.5 Ohm TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5SVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R5SVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5SVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R6BVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 1.6_OHM, TO-247, RoHS
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1201R6BVFRG
Produktcode: 171513
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVR
Produktcode: 135464
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVRAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R6BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 1.6 Ohm TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6SVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1201R6SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6SVFRGMICROSEMID3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R6SVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, D3, TO-268, RoHS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1201R6SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 690W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLLMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+795.03 EUR
10+ 664.41 EUR
50+ 599.82 EUR
100+ 542.82 EUR
APT12031JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 690W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JFLL
Produktcode: 129751
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
APT12031JLLAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12040JFLLMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 24A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12040JVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12040JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; screw
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; screw
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+287.25 EUR
APT12040JVRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1200V, 0.40_OHM, SOT-227
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+258.52 EUR
100+ 223.26 EUR
APT12040L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264MAX
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040L2FLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264MAX
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Produkt ist nicht verfügbar
APT12040L2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12045
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12045L2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12045L2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1204R7BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; TO247-3
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7BFLLGMICROSEMITO247-3/3.5 A, 1200 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT1204R7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; TO247-3
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.26 EUR
APT1204R7KFLLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7KFLLGMICROSEMITO220/POWER FREDFET MOS7 APT1204
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1204R7KFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7KLLGAPT09+
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1204R7SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 4.7_OHM, D-3, TO-268, RoHS
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.39 EUR
100+ 24.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT1204R7SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7SFLLGMICROSEMID3PAK 3/3.5 A, 1200 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT1204
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2FLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12057B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 0.57_OHM, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12057B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057B2LLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET,1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+91.62 EUR
100+ 79.12 EUR
APT12057B2LLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JFLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1200V, 0.57_OHM, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JFLLMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+100.56 EUR
10+ 87.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT12057JFLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12057JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 520W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 520W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 520W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 520W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JLLMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057JLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12057JLLMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057LFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET,1200V,0.57_OHM, TO-264, RoHS
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT12057LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057LFLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057LFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1200V,0.57_OHM, TO-264, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12057LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060B2VR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMICROSEMITO264/POWER FREDFET - MOS7 APT12060
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264, RoHS
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT12060LVRAPTFBGA456
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12060LVRGMicrochip TechnologyPower MOSFET 1K2V 20A Avalanche
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; 625W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; 625W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT12060LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.93 EUR
APT12067B2FLLGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
APT12067B2FLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12067B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12067B2LLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT12067B2LLGMicrosemiMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
APT12067JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 17A; ISOTOP; screw; Idm: 68A; 463W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 463W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT12067JFLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 0.67_OHM, TO-247
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APT12067JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 17A; ISOTOP; screw; Idm: 68A; 463W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 463W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12067JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT12067JFLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12067JLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12067JLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
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APT12067LFLLGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
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APT12067LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT12067LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12067LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
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APT12067LFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
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APT12067LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080B2VFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
APT12080JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12080JVFRMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT12080JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 15A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT12080JVRAPTMODULE
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080JVRST.
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080LVFR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080LVFRGMICROSEMITO-264 [L]POWER FREDFET - MOS5
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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APT12080LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12080LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 16A; 520W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 485nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
APT12080LVRGMICROSEMIPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode APT12080
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12080LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOS5 1200 V 80 Ohm TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
APT12080LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 485 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+64.61 EUR
APT12080LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 16A; 520W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 485nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1211Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
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APT1211Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211PANASONICDescription: PANASONIC - APT1211 - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1211PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
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APT1211APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 88
APT1211APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.21 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1211APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.58 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.77 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 12
APT1211ATPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tube packing
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211ATPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
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APT1211AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AXPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AXTPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AXTPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
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APT1211AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211AZTPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers 50mA 600V TRIAC ZERO-CROSS
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
300+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100
APT1211SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.16 EUR
10+ 2.63 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1211SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 50mA 50V Phototriac Coupler
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.39 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 12
APT1211SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.47 EUR
2000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
APT1211SXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 50mA 50V Phototriac Coupler
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.59 EUR
1000+ 2.32 EUR
2000+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 13
APT1211SZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1211SZ - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 4
Isolationsspannung: 3.75
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 750
APT1211SZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211SZTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211TPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.58 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1211WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAJPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAYJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD wide terminal, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1211WAYJPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1212PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.17 EUR
250+ 1.75 EUR
500+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
APT1212Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.33 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1212PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
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APT1212(EA)NAIS03+
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1212(EA)NAIS03+
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1212APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
10+ 3.61 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1212AJPanasonic Electric WorksAPT1212AJ
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.76 EUR
10+ 3.17 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1212AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1212AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
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APT1212AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212AZJPanasonic Electric WorksAPT1212AZJ
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212D05Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
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APT1212WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.82 EUR
10+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1212WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
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APT1212WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1212WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
APT1212WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 3.81 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1212WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221PANASONICDescription: PANASONIC - APT1221 - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1221Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.03 EUR
11+ 2.55 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1221
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1221Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
13+4.16 EUR
20+ 2.63 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 13
APT1221APANASONICDescription: PANASONIC - APT1221A - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1221APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 2.61 EUR
100+ 1.93 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1221ATPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tube packing
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 2.67 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1221AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1221AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
APT1221AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221AXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221AZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221AZ - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 4
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 2.68 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.5 EUR
2000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1221SPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221S - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1221SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers 50mA 600V TRIAC NON ZERO-CROSS
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221STPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tube packing
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221SXPanasonic2006
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1221SXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221SX - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1221SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.03 EUR
11+ 2.55 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1221SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 50mA Random Phototriac Coupler
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)
16+3.28 EUR
23+ 2.33 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.36 EUR
5000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
APT1221SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221SXTPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221SXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
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APT1221SZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
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APT1221SZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 50mA Random Phototriac Coupler
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221SZTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
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APT1221WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1221WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.11 EUR
10+ 4.07 EUR
100+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1221WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
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APT1221WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
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APT1221WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
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APT1221WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
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APT1221WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
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APT1221WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.33 EUR
10+ 3.37 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1222PAZ09+
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1222PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
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APT1222PAZ0620NO
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1222Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random SSR NCNR
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APT1222PANASONICDescription: PANASONIC - APT1222 - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1222(EA)NAIS03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1222(EA)NAIS03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1222APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD Tube
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APT1222APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.04 EUR
10+ 3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1222AD05Panasonic Electric WorksSolid State-Relays
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APT1222AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
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APT1222AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1222AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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APT1222AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
10+ 3.62 EUR
100+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1222AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
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APT1222AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD T/R
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APT1222AZD05Panasonic Electric WorksPhototriac coupler, Solid state relay
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APT1222D05Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Coupler SSR
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APT1222WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
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APT1222WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.33 EUR
10+ 3.55 EUR
100+ 2.73 EUR
500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1222WPANASONICDescription: PANASONIC - APT1222W - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1222WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
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APT1222WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.62 EUR
10+ 3.74 EUR
100+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1222WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 3.81 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1222WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.71 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.35 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.88 EUR
2000+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
APT1222WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222WAYJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL SMD wide terminal, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1222WJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL PC board wide terminal, tube packing
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231Panasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.94 EUR
10+ 3.3 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1231Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1231APanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.07 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1231APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1231AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT1231AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231AXJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.54 EUR
10+ 3.5 EUR
100+ 2.59 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 1.96 EUR
2000+ 1.86 EUR
5000+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1231SPANASONICDescription: PANASONIC - APT1231S - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pins
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1231SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers Photo triac Coupler
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.61 EUR
2500+ 1.53 EUR
5000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
APT1231SJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN SOP SMD, tube packing
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231SJPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231SXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1231SX - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1231SXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 13227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.63 EUR
10+ 2.93 EUR
100+ 2.17 EUR
500+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT1231SXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.64 EUR
2000+ 1.56 EUR
5000+ 1.52 EUR
10000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
APT1231SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
Produkt ist nicht verfügbar
APT1231WAYJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel, wide terminal
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232Panasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT1232PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.04 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
APT1232APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
APT1232APANASONICDescription: PANASONIC - APT1232A - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT1232APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
11+5.04 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
APT1232AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.19 EUR
10+ 4.11 EUR
100+ 3.17 EUR
500+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
APT1232AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.77 EUR
62+ 2.43 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.26 EUR
2000+ 1.19 EUR
10000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 42
APT1232AZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1232AZ - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.77 EUR
62+ 2.43 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.26 EUR
2000+ 1.19 EUR
10000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 42
APT1232AZJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL SMD, tape and reel
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232WPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.16 EUR
10+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT1232WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.26 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.43 EUR
5000+ 1.4 EUR
10000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
APT1232WAPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.26 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.43 EUR
5000+ 1.4 EUR
10000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
APT1232WAYPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232WAYPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin DIP SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT1232WAYPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.12 EUR
10+ 3.41 EUR
100+ 2.63 EUR
500+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
APT12F60KMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
APT12F60KMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
APT12F60KMICROSEMITO220AB/12 A, 600 V, 0.62 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT12F60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12GT60BR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12GT60BRGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 25A 108W TO247
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12GT60BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 108000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12GT60KR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT12GT60KRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 108000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
APT12M80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 45A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Produkt ist nicht verfügbar
APT12M80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
APT12M80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 45A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12M80BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
APT12M80BMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
APT12MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT12MMCLR - PACKAGING TAPE PP 12MM X 66M
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Rollenlänge - imperial: 216ft
hazardous: false
Bandbreite - Imperial: 0.47"
rohsPhthalatesCompliant: NA
Rollenlänge - metrisch: 66m
Bandbreite - Metrisch: 12mm
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Transparent
Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
APT13003DHZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
APT13003DU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 450V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT13003DU-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 250V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 1.1W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT13003EU-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EU-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003EZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
auf Bestellung 3635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003HZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003LZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003NZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003NZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 530V NPN HV Trans 900Vces 10Vebo 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)