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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIH-34ST3FLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH-34ST3FMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH-34ST3FNRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH-34ST3FPRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2131
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2131X01
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2131X01-XO
auf Bestellung 6487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2131X01-XOBL
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2915
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH2985B01-SO
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH32A-101
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH34ST3F
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH42-101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH42-151
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH42-331
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIH42-4R7
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA100N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 73A
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA100N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+7.12 EUR
25+6.33 EUR
100+5.95 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA100N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.11 EUR
30+7.89 EUR
100+5.65 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA100N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
50+6.01 EUR
100+5.49 EUR
500+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA105N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.16 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA105N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.4 EUR
35+6.71 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
50+4.97 EUR
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
66+3.52 EUR
100+2.33 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+2.62 EUR
100+2.37 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
50+2.64 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
73+2.38 EUR
100+2.18 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.38 EUR
44+5.36 EUR
100+4.2 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
73+2.33 EUR
100+2.09 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA120N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.15 EUR
100+5.63 EUR
500+4.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA120N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.83 EUR
10+7.93 EUR
50+6.26 EUR
100+5.71 EUR
500+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA120N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
27+8.91 EUR
100+6.64 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Gate charge: 47nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.39 EUR
50+5.43 EUR
100+4.94 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.3 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.14 EUR
50+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.08 EUR
100+2.53 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
63+3.69 EUR
67+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.14 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHA14N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.96 EUR
100+2.76 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHA14N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA14N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 147W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 147W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA14N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3 EUR
100+2.7 EUR
500+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA14N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.94 EUR
50+3.02 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.88 EUR
39+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHA155N60EFVishay / SiliconixMOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+6.58 EUR
100+5.4 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA155N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.07 EUR
10+6 EUR
100+4.25 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA155N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+5.49 EUR
100+3.92 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.72 EUR
50+2.84 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.25 EUR
100+3.28 EUR
500+3.03 EUR
1000+1.98 EUR
2000+1.89 EUR
5000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
48+4.86 EUR
100+3.83 EUR
500+3.06 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.52 EUR
24+3.64 EUR
27+3.24 EUR
31+2.76 EUR
50+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.42 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.81 EUR
100+3.36 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-GE3VishayE Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.45 EUR
100+4.06 EUR
500+3.42 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.86 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
57+4.11 EUR
100+2.73 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
50+3.13 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AEF-GE3VishayMOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
48+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
79+2.95 EUR
100+2.55 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
2000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AEFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.305 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
95+2.46 EUR
100+2.25 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.63 EUR
10+5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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