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Description: INFRARED EMITTER

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SIH-34ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

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SIH-34ST3FN

Description: INFRARED EMITTER

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SIH-34ST3FP

Description: INFRARED EMITTER

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SIH2131

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIH2131X01

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIH2131X01-XO

auf Bestellung 6487 Stücke:

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SIH2131X01-XOBL

auf Bestellung 36 Stücke:

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SIH2915

auf Bestellung 338 Stücke:

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SIH2985B01-SO

auf Bestellung 193 Stücke:

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SIH32A-101

auf Bestellung 545 Stücke:

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SIH34ST3F

auf Bestellung 5000 Stücke:

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SIH42-101

auf Bestellung 1600 Stücke:

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SIH42-151

auf Bestellung 500 Stücke:

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SIH42-331

auf Bestellung 27000 Stücke:

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SIH42-4R7

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHA100N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHA100N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA100N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.62 EUR
50+	9.21 EUR
100+	7.9 EUR
500+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA100N60E-GE3

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SIHA100N60E-GE3

MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.7 EUR
10+	9.85 EUR
50+	9.78 EUR
100+	7.93 EUR
250+	7.88 EUR
500+	7.07 EUR
1000+	6.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA105N60EF-GE3

Power MOSFET

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SIHA105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

auf Bestellung 1035 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.68 EUR
50+	6.88 EUR
100+	5.9 EUR
500+	5.25 EUR
1000+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA105N60EF-GE3

MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.74 EUR
10+	7.33 EUR
25+	6.92 EUR
100+	5.93 EUR
250+	5.62 EUR
500+	5.28 EUR
1000+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 547 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA11N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHA11N80AE-GE3

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SIHA11N80AE-GE3

Power MOSFET

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SIHA11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.63 EUR
50+	3.72 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA11N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP

auf Bestellung 2892 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.87 EUR
100+	3.07 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.21 EUR
2500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIHA11N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

auf Bestellung 1334 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.19 EUR
50+	6.49 EUR
100+	5.56 EUR
500+	4.94 EUR
1000+	4.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA11N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.85 EUR
10+	7.2 EUR
25+	6.32 EUR
100+	5.46 EUR
250+	5.3 EUR
500+	4.89 EUR
1000+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA11N80E-GE3

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SIHA120N60E-GE3

MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.22 EUR
10+	10.24 EUR
25+	9.93 EUR
100+	8.29 EUR
250+	8.06 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA120N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHA120N60E-GE3

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SIHA120N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP

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SIHA120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.12 EUR
10+	10.17 EUR
100+	8.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA125N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm

auf Bestellung 968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.125Ω

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.19 EUR
50+	8.07 EUR
100+	6.91 EUR
500+	6.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA125N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CHANNEL

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.63 EUR
10+	8.06 EUR
25+	7.18 EUR
100+	6.4 EUR
250+	6.21 EUR
500+	5.85 EUR
1000+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA125N60EF-GE3

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SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA12N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR
10+	3.62 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA12N50E-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 519 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.91 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	1.98 EUR
5000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIHA12N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA12N50E-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.32 EUR
10+	3.59 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA12N50E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

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SIHA12N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 851 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.88 EUR
11+	4.73 EUR
100+	3.87 EUR
250+	3.61 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.76 EUR
2000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHA12N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm

auf Bestellung 852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 923 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.82 EUR
50+	4.69 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.82 EUR
10+	4.85 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.26 EUR

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SIHA12N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.77 EUR

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SiHA14N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

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SiHA14N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 799 Stücke:

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10+	5.51 EUR
12+	4.6 EUR
100+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIHA14N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 3474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.49 EUR
50+	4.4 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.6 EUR
2000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA14N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHA150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.32 EUR
10+	7 EUR
100+	5.67 EUR
500+	5.04 EUR
1000+	4.31 EUR
2000+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA150N60E-GE3

MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-220

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SiHA155N60EF

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

auf Bestellung 50 Stücke:

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6+	9.1 EUR
10+	8.16 EUR
100+	6.71 EUR
500+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA155N60EF-GE3

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.48 EUR
10+	7.12 EUR
25+	6.73 EUR
100+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA155N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.37 EUR
10+	7.02 EUR
100+	5.68 EUR
500+	5.05 EUR
1000+	4.32 EUR
2000+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA15N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 968 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.1 EUR
10+	4.22 EUR
100+	3.36 EUR
500+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA15N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHA15N50E-E3

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SIHA15N50E-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.12 EUR
14+	3.98 EUR
100+	3.28 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHA15N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.12 EUR
10+	4.24 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA15N50E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

auf Bestellung 948 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.45 EUR
14+	3.93 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.2 EUR
500+	3.12 EUR
1000+	2.63 EUR
5000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA15N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	3.42 EUR
24+	3.09 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIHA15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead

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SIHA15N60E-E3

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

21+	3.42 EUR
24+	3.09 EUR
31+	2.36 EUR
33+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SIHA15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHA15N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.12 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.34 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.35 EUR
2000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA15N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.12 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.34 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.46 EUR
2000+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHA15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.07 EUR
10+	5.88 EUR
100+	4.68 EUR
500+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA15N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 66

SIHA15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

auf Bestellung 975 Stücke:

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5+	6.03 EUR
10+	5 EUR
100+	3.98 EUR
500+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIHA15N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 3955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	5.02 EUR
100+	4 EUR
250+	3.69 EUR
500+	3.35 EUR
1000+	2.73 EUR
2000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHA15N80AE-GE3

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SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.304ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA15N80AEF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA15N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V

auf Bestellung 941 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.42 EUR
50+	5.17 EUR
100+	4.25 EUR
500+	3.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA15N80AEF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.42 EUR
10+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 893 Stücke:

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SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA17N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 1563 Stücke:

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11+	5.17 EUR
12+	4.47 EUR
100+	3.56 EUR
250+	3.38 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	2.94 EUR
2000+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 50 Stücke:

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45+	3.54 EUR
48+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 45

SIHA17N80AEF

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 305 m¿ @ 10V

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SIHA17N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

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SIHA17N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.263 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.263ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1050 Stücke:

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SIHA17N80AEF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 305mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHA17N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.89 EUR
10+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA17N80AEF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA17N80E-E3

SIHA17N80E-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80E-E3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 45A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	5.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA17N80E-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHA17N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA17N80E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.36 EUR
10+	12.14 EUR
25+	10.97 EUR
100+	10.61 EUR
500+	10.19 EUR
1000+	6.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA17N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 851 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.21 EUR
10+	9.42 EUR
100+	7.62 EUR
500+	6.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA180N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA180N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 543 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.64 EUR
10+	6.4 EUR
25+	6.06 EUR
100+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA180N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA186N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1030 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA186N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CHANNEL

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.5 EUR
10+	5.75 EUR
25+	5.2 EUR
100+	4.52 EUR
250+	4.37 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.6 EUR
50+	5.23 EUR
100+	4.48 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA18N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.38 EUR
10+	6.21 EUR
25+	5.85 EUR
100+	5.02 EUR
250+	4.73 EUR
500+	4.47 EUR
1000+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHA18N60E-E3

EL Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA18N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.33 EUR
10+	6.15 EUR
100+	4.98 EUR
500+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA18N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.98 EUR
10+	7.18 EUR
25+	6.34 EUR
100+	5.88 EUR
500+	5.02 EUR
1000+	4.21 EUR
2000+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA20N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.79 EUR
50+	5.46 EUR
100+	4.49 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA20N50E-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA20N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA20N50E-GE3

MOSFET 500V N-CH

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.84 EUR
10+	6.27 EUR
100+	5.85 EUR
1000+	5.02 EUR
5000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA20N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1953 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	5.67 EUR
100+	4.51 EUR
500+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA20N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA20N50E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA21N60EF-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N60EF-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N60EF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.12 EUR
10+	10.63 EUR
25+	9.49 EUR
100+	9.2 EUR
500+	8.11 EUR
1000+	5.43 EUR
2000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHA21N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

auf Bestellung 1998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.26 EUR
10+	7.78 EUR
100+	6.29 EUR
500+	5.59 EUR
1000+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA21N65EF-E3

POWER MOSFET WITH FAST BODY DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-E3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.76 EUR
10+	9.04 EUR
100+	7.31 EUR
500+	6.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA21N65EF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	5.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

auf Bestellung 1001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.02 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.64 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA21N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 879 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.47 EUR
10+	5.46 EUR
50+	5.15 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.16 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHA21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA21N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA21N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 37A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V

auf Bestellung 1006 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.28 EUR
10+	6.11 EUR
100+	4.94 EUR
500+	4.39 EUR
1000+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA21N80AEF-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA21N80AEF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA22N60AE-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA22N60AE-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 644 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.42 EUR
10+	7.07 EUR
50+	6.66 EUR
100+	5.69 EUR
250+	5.38 EUR
500+	5.07 EUR
1000+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA22N60AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 49A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 1873 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.19 EUR
10+	8.92 EUR
25+	8.11 EUR
100+	8.09 EUR
1000+	7.75 EUR
2000+	5.38 EUR
5000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA22N60AE-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

auf Bestellung 979 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.35 EUR
10+	7.01 EUR
100+	5.67 EUR
500+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA22N60AE-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60AEL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1615 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.05 EUR
10+	7.59 EUR
25+	7.15 EUR
100+	6.14 EUR
250+	5.8 EUR
500+	5.46 EUR
1000+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA22N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60E-E3

Trans MOSFET N-CH Si 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9 EUR
10+	7.55 EUR
100+	6.11 EUR
500+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 600V 221A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 4691 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 4691 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SIHA22N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA22N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.158 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

auf Bestellung 941 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA22N60EF-GE3

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SIHA22N60EF-GE3

MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

auf Bestellung 1365 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.03 EUR
10+	6.73 EUR
25+	5.69 EUR
100+	4.99 EUR
250+	4.89 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

auf Bestellung 929 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.98 EUR
10+	6.7 EUR
100+	5.42 EUR
500+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA22N60EL-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60EL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.62 EUR
10+	8.09 EUR
100+	6.55 EUR
500+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA22N60EL-GE3

EL Series Power MOSFET

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SIHA22N60EL-GE3

MOSFET N-CHANNEL600V

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.72 EUR
10+	8.16 EUR
25+	7.72 EUR
100+	6.92 EUR
1000+	6.29 EUR
2000+	6.16 EUR
5000+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 901 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.86 EUR
12+	4.52 EUR
100+	3.9 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHA240N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.208
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 81

SiHA24N65EF-E3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA24N65EF-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N65EF-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N65EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 65A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 1770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.65 EUR
50+	10.82 EUR
100+	9.27 EUR
500+	8.24 EUR
1000+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHA24N65EF-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N65EF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N65EF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 9A

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

auf Bestellung 871 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.06 EUR
10+	6.97 EUR
50+	5.9 EUR
100+	5.43 EUR
250+	5.15 EUR
500+	4.84 EUR
1000+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA24N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N80AE-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

auf Bestellung 751 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.98 EUR
50+	6.32 EUR
100+	5.42 EUR
500+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SiHA25N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.38 EUR
50+	5.86 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA25N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA25N50E-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.44 EUR
10+	6.27 EUR
50+	5.88 EUR
100+	5.04 EUR
250+	4.76 EUR
500+	4.47 EUR
1000+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA25N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

SIHA25N50E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA25N50E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA25N50E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.38 EUR
10+	6.2 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SiHA25N60EFL-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA25N60EFL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.92 EUR
10+	9.17 EUR
100+	7.42 EUR
500+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHA25N60EFL-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.46 EUR
10+	12.69 EUR
25+	11.31 EUR
100+	11 EUR
500+	9.57 EUR
1000+	6.53 EUR
2000+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHA25N60EFL-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA2N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 29W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 19.6nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA2N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA2N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA2N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

SIHA30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHA30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.81 EUR
10+	14.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA4N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA4N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA4N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA5N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 7A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 957 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.17 EUR
50+	2.54 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHA5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA5N80AE-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA5N80AE-GE3

MOSFET THIN-LEAD TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA690N60E-GE3

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA690N60E-GE3

SIHA690N60E-GE3 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA690N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SiHA6N65E-E3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 101

SiHA6N65E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N65E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.07 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIHA6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.826ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHA6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 836 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
50+	3.04 EUR
100+	2.41 EUR
500+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHA6N80AE-GE3

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N80AE-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHA6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

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SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 101

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHA6N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHB053N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 47A Tube

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SIHB053N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB053N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 942 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

4+	14.69 EUR
10+	12.32 EUR
25+	11.62 EUR
100+	9.98 EUR
250+	9.44 EUR
500+	8.87 EUR
1000+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB053N60E-GE3

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SIHB053N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.59 EUR
25+	11.57 EUR
100+	9.92 EUR
500+	8.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB053N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB055N60EF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 1487 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15 EUR
10+	12.87 EUR
25+	11.65 EUR
100+	11.05 EUR
1000+	10.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB055N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.74 EUR
10+	12.64 EUR
100+	10.53 EUR
500+	9.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB055N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB055N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB055N60EF-GE3

Power MOSFET With Fast Body Diode

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SIHB065N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 116A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A

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SIHB065N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB065N60E-GE3

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SIHB065N60E-GE3

MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 12082 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.76 EUR
10+	13.44 EUR
25+	12.01 EUR
100+	10.71 EUR
250+	10.43 EUR
500+	9.2 EUR
1000+	9.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB065N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

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SIHB065N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V TO263 E SERIES TECH

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.38 EUR
10+	15.76 EUR
25+	14.3 EUR
100+	13.13 EUR
250+	12.35 EUR
500+	11.57 EUR
800+	9.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

auf Bestellung 1343 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.82 EUR
50+	10.15 EUR
100+	8.7 EUR
500+	7.74 EUR
1000+	6.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB068N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 115A

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SIHB068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB068N60EF-GE3

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SIHB068N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CHANNEL

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.18 EUR
10+	11.08 EUR
25+	11.05 EUR
100+	8.94 EUR
500+	7.96 EUR
1000+	6.81 EUR
2000+	6.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

auf Bestellung 1732 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.53 EUR
50+	9.93 EUR
100+	8.51 EUR
500+	7.57 EUR
1000+	6.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB080N60E-GE3

MOSFET E Series Power MOSFET, 80mO 10V

auf Bestellung 4660 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.61 EUR
10+	10.61 EUR
25+	10.01 EUR
100+	8.58 EUR
250+	8.11 EUR
500+	7.67 EUR
1000+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB085N60EF-GE3

MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-263

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.99 EUR
10+	11.73 EUR
25+	11.08 EUR
100+	9.49 EUR
250+	8.97 EUR
500+	8.45 EUR
1000+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB085N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.91 EUR
10+	11.67 EUR
100+	9.44 EUR
500+	8.39 EUR
1000+	7.18 EUR
2000+	6.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB100N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB100N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.73 EUR
50+	9.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB100N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB100N60E-GE3

MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.78 EUR
10+	9.88 EUR
25+	9.33 EUR
100+	8.01 EUR
250+	7.54 EUR
500+	7.1 EUR
1000+	6.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB105N60EF-GE3

MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

auf Bestellung 8150 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.46 EUR
10+	6.97 EUR
25+	6.24 EUR
100+	5.54 EUR
250+	5.38 EUR
500+	5.07 EUR
1000+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHB105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB105N60EF-GE3

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

auf Bestellung 5701 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.87 EUR
50+	7.01 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.34 EUR
1000+	4.57 EUR
2000+	4.31 EUR
5000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB105N60EF-GE3

Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB10N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB10N40D-GE3

MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2921 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.3 EUR
100+	2.63 EUR
250+	2.44 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.82 EUR
2000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIHB11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

auf Bestellung 987 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.04 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB11N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CH MOSFET

auf Bestellung 1137 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.97 EUR
13+	4.16 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.33 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.47 EUR
2000+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHB11N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB11N80AE-GE3

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SIHB11N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.87 EUR
10+	7.44 EUR
25+	7.05 EUR
100+	6.06 EUR
250+	5.69 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB11N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB11N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.81 EUR
10+	7.39 EUR
100+	5.98 EUR
500+	5.32 EUR
1000+	4.55 EUR
2000+	4.29 EUR
5000+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB11N80E-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHB120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 913 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.09 EUR
50+	9.59 EUR
100+	8.22 EUR
500+	7.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB120N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.19 EUR
10+	10.24 EUR
25+	9.67 EUR
100+	8.29 EUR
250+	7.83 EUR
500+	7.38 EUR
1000+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1592 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.09 EUR
10+	10.16 EUR
100+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

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SIHB120N60E-T5-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-T5-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-T5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-T5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB120N60E-T5-GE3

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.09 EUR
10+	10.16 EUR
100+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

auf Bestellung 2720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.17 EUR
10+	8.54 EUR
100+	6.91 EUR
500+	6.14 EUR
1000+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm

auf Bestellung 709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB125N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CHANNEL

auf Bestellung 827 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.79 EUR
10+	7.7 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.45 EUR
250+	6.29 EUR
500+	5.9 EUR
1000+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB125N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB125N60EF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N50C-E3

Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N50E-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.67 EUR
12+	4.71 EUR
100+	3.74 EUR
250+	3.46 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.6 EUR
2000+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIHB12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2688 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.84 EUR
13+	4 EUR
100+	3.2 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.31 EUR
2000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHB12N60E-GE3

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SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB12N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHB12N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHB12N60ET1-GE3

MOSFET N-Channel 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB12N60ET1-GE3

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SIHB12N60ET5-GE3

MOSFET N-Channel 600V

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SIHB12N60ET5-GE3

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SIHB12N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB12N65E-GE3

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SIHB12N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
11+	4.91 EUR
100+	4.06 EUR
250+	3.93 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	3.15 EUR
2000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
50+	5.44 EUR
100+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.81 EUR
10+	7.4 EUR
100+	5.98 EUR
500+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB150N60E-GE3

MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

auf Bestellung 1924 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.87 EUR
10+	7.46 EUR
25+	7.05 EUR
100+	6.06 EUR
250+	5.69 EUR
500+	5.38 EUR
1000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

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SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB15N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB15N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N50E-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB15N50E-GE3

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SIHB15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 1347 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.2 EUR
10+	6.04 EUR
100+	4.89 EUR
1000+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB15N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.25 EUR
10+	6.08 EUR
25+	5.75 EUR
100+	4.94 EUR
250+	4.65 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB15N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB15N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHB15N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N65E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB15N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.34 EUR
11+	5.1 EUR
100+	4.21 EUR
250+	3.87 EUR
500+	3.54 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHB15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.29 EUR
50+	5.06 EUR
100+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.77 EUR
10+	12.39 EUR
100+	10.02 EUR
500+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB16N50C-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB17N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 9900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.86 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.55 EUR
500+	3.85 EUR
1000+	3.28 EUR
5000+	2.99 EUR
10000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB17N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB17N80AE-GE3

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SIHB17N80AE-T1-GE3

SIHB17N80AE-T1-GE3

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SIHB17N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.8 EUR
10+	9.93 EUR
100+	8.03 EUR
500+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB17N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB17N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB17N80E-GE3

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SIHB17N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 7459 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.11 EUR
10+	8.87 EUR
25+	8.58 EUR
100+	7.46 EUR
250+	7.28 EUR
500+	6.84 EUR
1000+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.83 EUR
10+	9.94 EUR
100+	8.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFET E Series Power

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SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SIHB180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHB180N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.65 EUR
62+	2.27 EUR
100+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 60

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB180N60E-GE3

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SIHB180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

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SIHB186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

auf Bestellung 1075 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.84 EUR
50+	5.42 EUR
100+	4.64 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB186N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CH MOSFET

auf Bestellung 433 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.86 EUR
10+	6.27 EUR
25+	5.43 EUR
100+	4.78 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB18N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB18N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB18N60E-GE3

EL Series Power MOSFET

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SIHB20N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB20N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB20N50E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB20N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 2413 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.59 EUR
10+	6.37 EUR
100+	5.15 EUR
1000+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB20N50E-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.6 EUR
10+	5.82 EUR
25+	5.69 EUR
100+	5.02 EUR
250+	4.91 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB21N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB21N60EF-GE3

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SIHB21N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.67 EUR
50+	7.66 EUR
100+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB21N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 893 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.75 EUR
10+	8.16 EUR
25+	7.72 EUR
100+	6.63 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.9 EUR
1000+	4.89 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB21N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N65EF-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1011 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.83 EUR
10+	9.93 EUR
50+	9.36 EUR
100+	8.01 EUR
250+	7.57 EUR
500+	7.12 EUR
1000+	6.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB21N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB21N65EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N65EF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

auf Bestellung 343 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.6 EUR
10+	9.73 EUR
100+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB21N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N80AE-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB21N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CHANNEL

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	5.69 EUR
25+	5.36 EUR
100+	4.6 EUR
250+	4.34 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB21N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB22N60AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N60AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N60AE-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9 EUR
10+	7.57 EUR
25+	7.12 EUR
100+	6.11 EUR
250+	5.77 EUR
500+	5.43 EUR
1000+	4.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB22N60AE-GE3

Commercial High Voltage Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N60AE-GE3

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SIHB22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.52 EUR
10+	7.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB22N60AEL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SiHB22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SiHB22N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB22N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.85 EUR
10+	7.96 EUR
25+	7.28 EUR
100+	6.53 EUR
250+	6.16 EUR
500+	5.8 EUR
1000+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 995 Stücke:

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SIHB22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB22N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHB22N60E-GE3

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SIHB22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SIHB22N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHB22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHB22N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB22N60EF-GE3

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SIHB22N60EF-GE3

MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

auf Bestellung 1980 Stücke:

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7+	8.29 EUR
10+	6.97 EUR
25+	5.46 EUR
100+	4.94 EUR
250+	4.78 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHB22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHB22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

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SIHB22N60EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

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SIHB22N60EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB22N60EL-GE3

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SIHB22N60EL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB22N60EL-GE3

EL Series Power MOSFET

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SIHB22N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

auf Bestellung 555 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.24 EUR
10+	6.91 EUR
100+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB22N60ET1-GE3

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SIHB22N60ET1-GE3

MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.29 EUR
10+	6.97 EUR
25+	6.73 EUR
100+	5.64 EUR
250+	5.46 EUR
500+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHB22N60ET1-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SIHB22N60ET5-GE3

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SIHB22N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263

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SIHB22N60ET5-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHB22N60ET5-GE3

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SIHB22N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SIHB22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

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SIHB22N60S-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N60S-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB22N60S-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N60S-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB22N65E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

auf Bestellung 782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.13 EUR
10+	9.33 EUR
100+	7.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHB22N65ET1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V

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SIHB23N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB23N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB23N60E-GE3

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SIHB23N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.33 EUR
10+	8.94 EUR
25+	7.41 EUR
100+	6.34 EUR
500+	5.64 EUR
1000+	4.81 EUR
2000+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SiHB24N65E-E3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SiHB24N65E-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB24N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB24N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB24N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHB24N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 3460 Stücke:

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4+	13.78 EUR
10+	11.75 EUR
25+	9.54 EUR
100+	8.53 EUR
250+	8.32 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB24N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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50+	10.85 EUR
100+	9.3 EUR
500+	8.26 EUR
1000+	7.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB24N65E-GE3

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SIHB24N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB24N65E-GE3

auf Bestellung 1970 Stücke:

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SIHB24N65E-GE3-X

MOSFET

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SIHB24N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB24N65EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 65A; 250W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD

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SIHB24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB24N65EF-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.99 EUR
10+	11.75 EUR
25+	11.1 EUR
100+	9.49 EUR
250+	8.97 EUR
500+	8.48 EUR
1000+	7.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB24N65EF-GE3

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SIHB24N65EFT1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 3981 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.99 EUR
10+	11.75 EUR
25+	11.1 EUR
100+	9.59 EUR
800+	8.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

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SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 2734 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.88 EUR
10+	11.65 EUR
100+	9.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB24N65EFT1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

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SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	8.38 EUR
1600+	7.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SIHB24N65EFT1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

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SIHB24N65EFT5-GE3

MOSFET

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SiHB24N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

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SiHB24N65ET1-GE3

MOSFET N-Channel 650V

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SiHB24N65ET5-GE3

MOSFET N-Channel 650V

Produkt ist nicht verfügbar

SiHB24N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

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SIHB24N80AE-GE3

SIHB24N80AE-GE3 SMD N channel transistors

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SIHB24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

auf Bestellung 579 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.22 EUR
50+	6.51 EUR
100+	5.58 EUR
500+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB24N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.96 EUR
10+	6.73 EUR
100+	5.62 EUR
250+	5.43 EUR
500+	4.99 EUR
1000+	4.26 EUR
2500+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHB24N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 21A

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SIHB25N50E-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2987 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.45 EUR
10+	7.07 EUR
25+	6.71 EUR
100+	5.72 EUR
250+	5.41 EUR
500+	5.1 EUR
1000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHB25N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB25N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB25N50E-GE3

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SIHB25N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.4 EUR
10+	7.06 EUR
100+	5.71 EUR
500+	5.07 EUR
1000+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB28N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 1246 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.33 EUR
50+	11.36 EUR
100+	9.73 EUR
500+	8.65 EUR
1000+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB28N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.43 EUR
10+	12.14 EUR
25+	10.04 EUR
100+	8.94 EUR
250+	8.76 EUR
500+	8.16 EUR
1000+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB28N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.33 EUR
10+	12.03 EUR
100+	9.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-T5-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	8.65 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

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SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263

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SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB30N60AEL-GE3

EL Series Power MOSFET

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SIHB30N60AEL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263

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SiHB30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

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SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

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50+	11.1 EUR
100+	9.51 EUR
500+	8.46 EUR
1000+	7.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB30N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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10+	12.22 EUR
25+	11.15 EUR
100+	9.54 EUR
250+	9.23 EUR
500+	8.48 EUR
1000+	7.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB30N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHB30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 1481 Stücke:

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SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB30N60E-GE3

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SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 1182 Stücke:

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2+	13.99 EUR
10+	11.76 EUR
100+	9.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB30N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

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SIHB30N60ET1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHB30N60ET5-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

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10+	11.76 EUR
100+	9.51 EUR

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SIHB30N60ET5-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	8.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

SIHB33N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB33N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

auf Bestellung 4336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.27 EUR
10+	11.98 EUR
100+	9.69 EUR
500+	8.61 EUR
1000+	7.37 EUR
2000+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB33N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced

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SIHB33N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIHB33N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHB33N60E-GE3

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SIHB33N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.71 EUR
10+	11.23 EUR
25+	10.95 EUR
100+	9.72 EUR
250+	9.23 EUR
500+	8.63 EUR
1000+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3 SMD N channel transistors

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SIHB33N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.11 EUR
10+	12.95 EUR
25+	12.19 EUR
100+	10.76 EUR
250+	10.69 EUR
500+	9.85 EUR
1000+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB33N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V

auf Bestellung 732 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15 EUR
10+	12.86 EUR
100+	10.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB33N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB33N60ET1-GE3

MOSFET N-Channel 600V

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.35 EUR
10+	12.06 EUR
25+	11.39 EUR
100+	9.78 EUR
250+	9.23 EUR
500+	8.5 EUR
800+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB33N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

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SIHB33N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.25 EUR
10+	11.96 EUR
25+	11.28 EUR
100+	9.67 EUR
250+	9.15 EUR
500+	8.22 EUR
800+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.79 EUR
10+	12.41 EUR
100+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB35N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 936 Stücke:

Lieferzeit 105-119 Tag (e)

4+	14.87 EUR
10+	12.48 EUR
25+	11.78 EUR
100+	10.11 EUR
250+	9.52 EUR
500+	8.97 EUR
1000+	8.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHB35N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15 EUR
10+	12.61 EUR
25+	11.91 EUR
100+	10.19 EUR
250+	9.62 EUR
500+	9.05 EUR
1000+	7.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHB4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB4N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB4N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.69 EUR
50+	2.96 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHB5N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
18+	2.91 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.65 EUR
2000+	1.55 EUR
5000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIHB6N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHB6N65E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 1040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.78 EUR
50+	3.84 EUR
100+	3.16 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHB6N80AE-GE3

MOSFET Unclassified

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263

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SIHB6N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.4 EUR
10+	5.36 EUR
100+	4.26 EUR
250+	3.93 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHB6N80E-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHB8N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

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SIHB8N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB8N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHB8N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHB8N50D-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-GE3

MOSFET 800V N-CH MOSFET

auf Bestellung 8875 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.29 EUR
15+	3.48 EUR
75+	2.83 EUR
525+	2.38 EUR
1050+	2.26 EUR
5025+	2.17 EUR
10050+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-T4-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-T4-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD11N80AE-T4-GE3

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SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD12N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD12N50E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD12N50E-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 5007 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.19 EUR
18+	2.91 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIHD12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 2993 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.16 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHD12N50E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD14N60E-BE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.36 EUR
12+	4.34 EUR
100+	3.54 EUR
250+	3.28 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.47 EUR
3000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIHD14N60E-BE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD14N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SiHD14N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.33 EUR
13+	4.21 EUR
75+	3.48 EUR
300+	3.33 EUR
525+	3.04 EUR
1050+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SiHD14N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SiHD14N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 311 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.3 EUR
75+	4.26 EUR
150+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SiHD14N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 1644 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.3 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHD14N60ET1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

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SIHD14N60ET1-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHD14N60ET4-GE3

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.3 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHD14N60ET4-GE3

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SIHD14N60ET4-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHD14N60ET5-GE3

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.3 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.52 EUR

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SIHD14N60ET5-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHD14N60ET5-GE3

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SIHD180N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm

auf Bestellung 2646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

auf Bestellung 2909 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.63 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4.5 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHD180N60E-GE3

MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 4342 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.21 EUR
10+	5.3 EUR
25+	5.15 EUR
100+	4.37 EUR
250+	4.26 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHD180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab ) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHD180N60E-GE3

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SIHD180N60E-GE3

auf Bestellung 2646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD186N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 201mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHD186N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 201mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

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SIHD186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

auf Bestellung 4523 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.12 EUR
50+	5.65 EUR
100+	4.84 EUR
500+	4.3 EUR
1000+	3.68 EUR
2000+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHD186N60EF-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.18 EUR
10+	6.06 EUR
25+	4.99 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHD186N60EF-GE3

auf Bestellung 2234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

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SIHD1K4N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V

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SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2733 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
28+	1.88 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.14 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIHD1K4N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD1K4N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 5A; 63W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD1K4N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD240N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHD240N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm

auf Bestellung 2711 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

auf Bestellung 3070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.88 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.29 EUR
1000+	2.79 EUR
3000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHD240N60E-GE3

MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.93 EUR
11+	4.94 EUR
100+	3.95 EUR
250+	3.9 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHD240N60E-GE3

auf Bestellung 2711 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.78 EUR
222+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 200

SIHD2N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD2N80AE-GE3

MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.83 EUR
28+	1.89 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.25 EUR
3000+	1.21 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 19

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD2N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 10.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.65 EUR
32+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIHD2N80AE-GE3

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 27

SIHD2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHD2N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 27582 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.3 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.56 EUR
9000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIHD2N80E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD2N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 19.6nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD2N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD3N50D-BE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD3N50D-BE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

auf Bestellung 23790 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.88 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIHD3N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD3N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD3N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3105 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.88 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIHD3N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 5.5A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD3N50D-GE3

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SIHD3N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD3N50D-GE3

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD3N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SIHD3N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.11 EUR
15+	1.83 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIHD3N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3102 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.88 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.78 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIHD3N50DT1-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

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SIHD3N50DT1-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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SIHD3N50DT4-GE3

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SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.88 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.81 EUR
9000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIHD3N50DT4-GE3

D Series Power MOSFET

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SIHD3N50DT5-GE3

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SIHD3N50DT5-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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SIHD4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.06 EUR
10+	3.37 EUR
100+	2.68 EUR
3000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHD4N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2436 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.08 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.7 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	1.94 EUR
3000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1053 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1053 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD4N80E-GE3

E Series Power MOSFET

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SIHD5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SIHD5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

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SIHD5N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.41 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.16 EUR
6000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIHD5N50D-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD5N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHD5N50D-GE3

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SIHD5N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

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SIHD5N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 5485 Stücke:

Lieferzeit 70-84 Tag (e)

22+	2.44 EUR
27+	1.96 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 3522 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
13+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.1 EUR
3000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHD5N80AE-GE3

MOSFET DPAK

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
27+	1.94 EUR
100+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SIHD690N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 6.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

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SIHD690N60E-GE3

MOSFET 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
21+	2.56 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.67 EUR
3000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIHD690N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD690N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised

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SIHD6N62E-GE3

Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62E-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62E-GE3

MOSFET 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
17+	3.12 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62ET1-GE3

N-CHANNEL 620V MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET 620V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.72 EUR
75+	2.99 EUR
150+	2.46 EUR
525+	2.08 EUR
1050+	1.77 EUR
2025+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHD6N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3797 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.96 EUR
21+	2.54 EUR
100+	2.16 EUR
250+	2.15 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIHD6N65E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD6N65ET1-GE3

MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65ET4-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 3019 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.04 EUR
75+	2.45 EUR
150+	1.95 EUR
525+	1.65 EUR
1050+	1.34 EUR
2025+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHD6N80AE-GE3

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SIHD6N80AE-GE3

MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)

auf Bestellung 4219 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.07 EUR
26+	2.06 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIHD6N80AE-GE3

Power MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80E-GE3

MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2427 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.97 EUR
13+	4.11 EUR
100+	3.28 EUR
250+	3.15 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.7 EUR
3000+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

auf Bestellung 1935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 114

SIHD6N80E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

auf Bestellung 2062 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.91 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHD7N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60E-E3

TRANS MOSFET N-CH 600V 7A 3-PIN(2+TAB) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

auf Bestellung 138 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.63 EUR
10+	3.85 EUR
100+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHD7N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1179 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD7N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 491 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.87 EUR
100+	3.09 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.56 EUR
3000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60E-GE3

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SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHD7N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHD7N60ET-GE3

MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

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SIHD7N60ET1-GE3

MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.09 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIHD7N60ET4-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD7N60ET5-GE3

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SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD9N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2725 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.55 EUR
14+	3.77 EUR
100+	2.99 EUR
250+	2.78 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIHD9N60E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD9N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD9N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHD9N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHDGGA120A01

Amphenol Socapex

Rectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.91 EUR
10+	13.65 EUR
50+	12.35 EUR
100+	11.36 EUR
250+	10.69 EUR
500+	10.01 EUR
1000+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF065N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

auf Bestellung 943 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.81 EUR
50+	12.61 EUR
100+	11.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF065N60E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm

auf Bestellung 949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF068N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

auf Bestellung 673 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.61 EUR
50+	10 EUR
100+	8.57 EUR
500+	7.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF068N60EF-GE3

MOSFET 600V N-CHANNEL

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.43 EUR
10+	11.34 EUR
25+	9.91 EUR
100+	8.63 EUR
250+	8.37 EUR
500+	7.7 EUR
1000+	6.81 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF074N65E-GE3

MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.28 EUR
10+	15.68 EUR
25+	14.22 EUR
100+	13.05 EUR
250+	12.27 EUR
500+	11.52 EUR
1000+	10.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHF074N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.17 EUR
10+	15.57 EUR
100+	12.98 EUR
500+	11.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHF080N60E-GE3

MOSFET TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 3786 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.52 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

auf Bestellung 1660 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.06 EUR
50+	7.97 EUR
100+	6.84 EUR
500+	6.08 EUR
1000+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.71 EUR
45+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SIHF080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.71 EUR
45+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SIHF085N60EF-GE3

MOSFET EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 315-329 Tag (e)

4+	14.35 EUR
10+	12.06 EUR
25+	11.39 EUR
100+	9.78 EUR
250+	9.2 EUR
500+	8.68 EUR
1000+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF10N40D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF10N40D-E3

MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.3 EUR
76+	2 EUR
104+	1.41 EUR
500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 68

SIHF10N40D-E3

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SIHF10N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.21 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.14 EUR
50+	9.62 EUR
100+	8.25 EUR
500+	7.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHF12N50C-E3

Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHF12N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

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SIHF12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N60E-E3
Produktcode: 171580

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF12N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.71 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4.42 EUR
1000+	3.09 EUR
2000+	2.94 EUR
5000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 3625 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.55 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.34 EUR
250+	4.13 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	3.22 EUR
2000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHF12N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.5 EUR
10+	5.41 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N60E-GE3

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SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.9 EUR
50+	4.74 EUR
100+	3.9 EUR
500+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIHF12N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.95 EUR
13+	4 EUR
100+	3.41 EUR
250+	3.3 EUR
500+	3.02 EUR
1000+	2.65 EUR
5000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIHF12N65E-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.77 EUR
409+	0.37 EUR
410+	0.35 EUR
412+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 204

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SI7149ADP-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

410+	0.38 EUR
412+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 410

SiHF15N60E-E3
Produktcode: 117209

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-GE3
Produktcode: 127335

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.12 EUR
50+	5.65 EUR
100+	4.84 EUR
500+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF15N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.18 EUR
10+	6.06 EUR
25+	4.94 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHF15N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHF15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

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SIHF15N65E-GE3

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SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHF15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHF15N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

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SIHF16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

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SIHF16N50C-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHF16N50C-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF18N50D

MOSFET

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SIHF18N50D-E3
Produktcode: 188008

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
JHGF: THT

auf Bestellung 8 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHF18N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF18N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

auf Bestellung 834 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.73 EUR
10+	5.58 EUR
100+	4.44 EUR
500+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF18N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 898 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.76 EUR
10+	5.64 EUR
100+	4.5 EUR
250+	4.13 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.2 EUR
2000+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIHF18N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF18N50D-E3

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SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SIHF22N60E-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SIR462DP-T1-GE3

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SIHF22N60E-E3

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SIHF22N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.31 EUR
50+	7.38 EUR
100+	6.33 EUR
500+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIHF22N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 469 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.36 EUR
10+	7.85 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.37 EUR
250+	6.01 EUR
500+	5.67 EUR
1000+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIHF22N60E-GE3

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SIHF22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 134 Stücke:

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41+	3.86 EUR
50+	3.58 EUR
100+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 41

SIHF22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

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SIHF22N60S-E3

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHF22N60S-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

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SIHF22N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF22N65E-GE3

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SIHF22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHF23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF23N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF23N60E-GE3

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SIHF23N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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SIHF23N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF28N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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SIHF28N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF28N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF28N60EF-GE3

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SIHF2X0.5
Produktcode: 108027

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

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SiHF30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

SiHF30N60E-E3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.14 EUR
10+	11.87 EUR
100+	9.6 EUR
500+	8.54 EUR
1000+	7.31 EUR
2000+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF30N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.25 EUR
10+	11.96 EUR
25+	9.72 EUR
100+	8.68 EUR
250+	8.61 EUR
1000+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIHF30N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF30N60E-GE3

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SIHF35N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com

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SIHF35N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

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SIHF35N60EF-GE3

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SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF35N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 927 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.69 EUR
10+	12.32 EUR
25+	11.62 EUR
100+	9.98 EUR
250+	9.44 EUR
500+	8.87 EUR
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SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF3X0.5
Produktcode: 123726

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze

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SIHF3X0.75
Produktcode: 104161

HELUKABEL

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

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SIHF4X0.5
Produktcode: 115638

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

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SIHF510STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHF520STRL-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHF520STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

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SIHF520STRR-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

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SIHF520STRR-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHF530-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

auf Bestellung 1000 Stücke:

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25+	2.15 EUR
28+	1.91 EUR
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500+	1.09 EUR
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SIHF530-GE3

Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET

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SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

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SiHF530S-E3

IRF530SPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263

auf Bestellung 4 Stücke:

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SiHF530S-E3

MOSFET

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SIHF530S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHF530S-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF530S-GE3

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SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
13+	2.03 EUR
100+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIHF530STRL-GE3

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SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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SIHF530STRL-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

auf Bestellung 367 Stücke:

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26+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.23 EUR
800+	1.04 EUR
2400+	1.03 EUR
4800+	0.98 EUR

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SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHF530STRL-GE3

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SIHF530STRR-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SIHF530STRR-GE3

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SIHF530STRR-GE3

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SIHF540S-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIHF540S-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 395 Stücke:

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14+	3.93 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.72 EUR
2000+	1.71 EUR
5000+	1.68 EUR

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SIHF540S-GE3