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Description: INFRARED EMITTER

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SIH-34ST3FM

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SIH-34ST3FN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIH-34ST3FP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIH2131

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIH2131X01

auf Bestellung 162 Stücke:

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SIH2131X01-XO

auf Bestellung 6487 Stücke:

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SIH2131X01-XOBL

auf Bestellung 36 Stücke:

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SIH2915

auf Bestellung 338 Stücke:

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SIH2985B01-SO

auf Bestellung 193 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIH32A-101

auf Bestellung 545 Stücke:

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SIH34ST3F

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIH42-101

auf Bestellung 1600 Stücke:

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SIH42-151

auf Bestellung 500 Stücke:

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SIH42-331

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIH42-4R7

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIHA100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.57 EUR
50+	5.05 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHA100N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.92 EUR
10+	5.98 EUR
25+	5.32 EUR
100+	5 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.94 EUR
2000+	3.85 EUR

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SIHA100N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

auf Bestellung 793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA105N60EF-GE3

MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	3.84 EUR
100+	3.5 EUR
500+	3.12 EUR

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SIHA105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.81 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHA11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)

auf Bestellung 718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
50+	2.05 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHA11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA11N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

auf Bestellung 1992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.66 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.5 EUR
2000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHA11N80AE-GE3

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIHA11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.07 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.8 EUR

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SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.2 EUR
73+	1.98 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.2 EUR
73+	1.93 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

auf Bestellung 1081 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.86 EUR
50+	3.53 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.73 EUR
10+	6.53 EUR
100+	4.7 EUR
500+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA120N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.79 EUR
10+	6.55 EUR
100+	4.73 EUR
500+	4.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA120N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.48 EUR
50+	4.43 EUR
100+	4.04 EUR
500+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.34 EUR
2000+	1.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

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SIHA12N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH

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SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHA12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.24 EUR
10+	2.59 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 814 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.23 EUR
50+	2.62 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA12N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 761 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.86 EUR
10+	3.16 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA12N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SiHA14N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHA14N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.14 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.8 EUR

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SIHA14N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET

auf Bestellung 986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	2.52 EUR
100+	2.27 EUR
500+	2.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA14N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5 EUR
50+	2.49 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA150N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.37 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA150N60E-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	4.91 EUR
100+	3.48 EUR
500+	2.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA155N60EF

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	6.16 EUR
10+	5.53 EUR
100+	4.54 EUR
500+	3.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA155N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.39 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA155N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 2268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.29 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1457 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

auf Bestellung 924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.45 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	1.66 EUR
2000+	1.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.8 EUR
24+	3.06 EUR
27+	2.72 EUR
31+	2.32 EUR
50+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.14 EUR
10+	4.03 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA15N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET

auf Bestellung 815 Stücke:

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1+	6.05 EUR
10+	3.98 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.16 EUR

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SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.98 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.27 EUR

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SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 971 Stücke:

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66+	2.19 EUR

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SIHA15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 801 Stücke:

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1+	6.97 EUR
10+	4.58 EUR
100+	3.41 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.52 EUR

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SIHA15N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 946 Stücke:

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SIHA15N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

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1+	4.33 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.29 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.8 EUR

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SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIHA15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

auf Bestellung 768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.29 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHA15N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V

auf Bestellung 931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.23 EUR
50+	2.63 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA15N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.56 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.28 EUR
48+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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SIHA17N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.63 EUR
10+	3.68 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.09 EUR
2000+	1.97 EUR

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SIHA17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA17N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6.5A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.305 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.93 EUR
10+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Pulsed drain current: 32A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-E3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-GE3

MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.12 EUR
10+	6.09 EUR
100+	4.38 EUR
500+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 122nC
Pulsed drain current: 45A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA17N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm

auf Bestellung 739 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA180N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.9 EUR
10+	3.54 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.34 EUR
50+	3.24 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1516 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.32 EUR
10+	4.12 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.39 EUR
2000+	2.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

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SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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SIHA18N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.97 EUR
10+	4.58 EUR
100+	3.41 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.59 EUR
2000+	2.53 EUR
5000+	2.52 EUR

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SIHA18N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.69 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.63 EUR

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SIHA18N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA20N50E-E3

Description: VISHAY - SIHA20N50E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA20N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220 Транзистори

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SIHA20N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHA20N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.81 EUR
50+	2.93 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.83 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.66 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA20N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHA20N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET

auf Bestellung 2002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.85 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.11 EUR

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SIHA21N60EF-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA21N60EF-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA21N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.46 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.54 EUR
500+	3.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

auf Bestellung 1933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.92 EUR
10+	5.25 EUR
100+	3.74 EUR
500+	3.09 EUR
1000+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHA21N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N65EF-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 21A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 1001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
10+	3.95 EUR
100+	3.14 EUR
500+	2.66 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.88 EUR
10+	3.84 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	2.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
50+	2.43 EUR
100+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA21N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA22N60AE-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 611 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.94 EUR
10+	5.21 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.26 EUR
1000+	2.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA22N60AE-E3

N-кан. MOSFET 650V, 20A, 33W, TO-220FP-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA22N60AE-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.93 EUR
10+	4.58 EUR
100+	3.25 EUR
500+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 49A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA22N60AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA22N60AE-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	4.91 EUR
100+	3.48 EUR
500+	3.04 EUR
1000+	3.03 EUR
2000+	2.87 EUR

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SIHA22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.55 EUR
10+	5.6 EUR
100+	4.17 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.26 EUR
2500+	3.08 EUR

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SIHA22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHA22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.55 EUR
10+	4.88 EUR
100+	4.17 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.24 EUR
2000+	3.08 EUR

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SIHA22N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.34 EUR
10+	4.85 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 4691 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 4691 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

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SIHA22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.16 EUR
10+	4.73 EUR
100+	3.34 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.75 EUR
2000+	2.73 EUR

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SIHA22N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.13 EUR
10+	4.71 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EL-GE3

MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.25 EUR
10+	5.47 EUR
100+	4.14 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

auf Bestellung 821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.25 EUR
10+	5.48 EUR
100+	3.91 EUR
500+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.208
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.85 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA24N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA24N65EF-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N65EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 65A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 10A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 1769 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.87 EUR
50+	5.26 EUR
100+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.59 EUR
25+	2.92 EUR
26+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

auf Bestellung 682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.16 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.1 EUR
1000+	2.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.56 EUR
50+	3.38 EUR
100+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA25N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.76 EUR
10+	3.47 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA25N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 636 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.78 EUR
50+	3.46 EUR
100+	3.14 EUR
500+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.21 EUR
10+	4.09 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-E3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA25N60EFL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.21 EUR
10+	6.76 EUR
100+	6.39 EUR
500+	6.23 EUR
1000+	3.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-E3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHA25N60EFL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.47 EUR
10+	5.65 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.146 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA25N60EFL-GE3

MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET

auf Bestellung 951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.05 EUR
10+	6.04 EUR
100+	4.35 EUR
500+	3.96 EUR
1000+	3.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHA30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA4N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.1 EUR
50+	1.49 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA5N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.11 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

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SIHA690N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

auf Bestellung 630 Stücke:

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1+	2.92 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.8 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.34 EUR

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SiHA6N65E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHA6N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

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SiHA6N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHA6N65E-GE3

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.15 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHA6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHA6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
50+	1.2 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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SIHA6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

auf Bestellung 1269 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.08 EUR

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SIHA6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB053N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.11 EUR
25+	6.54 EUR
100+	5.45 EUR
500+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB053N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB053N60E-GE3

MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET

auf Bestellung 866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.25 EUR
10+	6.64 EUR
100+	6.27 EUR
500+	5.56 EUR
1000+	5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB055N60EF-GE3

Power MOSFET With Fast Body Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB055N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB055N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB055N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 2513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.81 EUR
10+	7.46 EUR
100+	6.04 EUR
500+	5.37 EUR
1000+	4.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB055N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V

auf Bestellung 544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.35 EUR
50+	6.13 EUR
100+	5.63 EUR
500+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 3005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.84 EUR
10+	7.92 EUR
100+	7.52 EUR
500+	5.79 EUR
1000+	4.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N60E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 1536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.84 EUR
10+	7.11 EUR
100+	6.93 EUR
2400+	4.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB065N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.25 EUR
10+	7.52 EUR
100+	6.05 EUR
500+	5.37 EUR
1000+	4.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.35 EUR
50+	4.96 EUR
100+	4.54 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.39 EUR
10+	6.49 EUR
100+	5.49 EUR
500+	4.89 EUR
1000+	4.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-T1GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB068N60EF-T5GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB075N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB075N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.91 EUR
10+	6.72 EUR
100+	5.46 EUR
500+	4.86 EUR
1000+	4.12 EUR

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SIHB075N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB080N60E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 4232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.01 EUR
10+	5.32 EUR
100+	4.86 EUR
500+	4.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

auf Bestellung 1564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.19 EUR
50+	4.87 EUR
100+	4.45 EUR
500+	3.72 EUR
1000+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

auf Bestellung 1896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB085N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

auf Bestellung 1444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.08 EUR
10+	6.79 EUR
100+	4.93 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB085N60EF-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.82 EUR
10+	5.81 EUR
100+	4.26 EUR

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SIHB100N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 854 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.54 EUR
10+	5.03 EUR
100+	4.59 EUR
500+	4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

auf Bestellung 658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.42 EUR
50+	4.97 EUR
100+	4.54 EUR
500+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB100N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.16 EUR
15+	4.98 EUR
17+	4.36 EUR
25+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB100N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.84 EUR
10+	10.89 EUR
100+	8.1 EUR
500+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB100N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB100N65E-GE3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB100N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

auf Bestellung 597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.03 EUR
10+	11.04 EUR
100+	8.2 EUR
500+	7.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 6267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

auf Bestellung 7428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.73 EUR
10+	4.01 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.64 EUR
50+	3.95 EUR
100+	3.6 EUR
500+	2.97 EUR
1000+	2.77 EUR
2000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB10N40D-GE3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.6 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.33 EUR
2000+	1.26 EUR
5000+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB10N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3781 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.42 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.47 EUR
2000+	1.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 1854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

auf Bestellung 4680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.14 EUR
10+	4.07 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 1854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIHB120N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.77 EUR
10+	5.16 EUR
100+	4.72 EUR
500+	4.14 EUR

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SIHB120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 906 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.73 EUR
50+	5.14 EUR
100+	4.7 EUR
500+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

auf Bestellung 734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.64 EUR
10+	6.47 EUR
100+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB120N60E-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB120N60E-T5-GE3

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.73 EUR
10+	6.52 EUR
100+	4.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

auf Bestellung 671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.48 EUR
10+	5.64 EUR
100+	4.03 EUR
500+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-T1GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N60EF-T5GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

auf Bestellung 736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.31 EUR
10+	9.06 EUR
100+	6.65 EUR
500+	6.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB125N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.25 EUR
10+	8.35 EUR
100+	6.13 EUR
500+	5.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.98 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 4347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.56 EUR
2000+	1.5 EUR
5000+	1.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60E-GE3-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

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SIHB12N60ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N60ET5-GE3

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

auf Bestellung 2816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.79 EUR
50+	2.93 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	2 EUR
2000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.86 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB12N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.67 EUR
10+	5.09 EUR
100+	3.61 EUR
500+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB150N60E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

auf Bestellung 1767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.71 EUR
10+	5.12 EUR
100+	3.63 EUR
500+	3.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB155N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB155N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET D2PAK

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.78 EUR
10+	5.16 EUR
100+	4.1 EUR
500+	3.68 EUR
1000+	3.13 EUR
2000+	2.99 EUR
5000+	2.96 EUR

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SIHB15N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm

auf Bestellung 1201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.64 EUR
10+	4.07 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm

auf Bestellung 1406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.56 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N60E-GE3-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.92 EUR
50+	2.34 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 13A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.33 EUR
10+	2.45 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.81 EUR
2000+	1.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB15N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK (TO-263) Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET

auf Bestellung 9479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.61 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	2.06 EUR
10000+	1.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 32A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm

auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

auf Bestellung 957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.74 EUR
50+	2.89 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHB17N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80AE-T5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB17N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 4432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.59 EUR
10+	6.44 EUR
100+	4.63 EUR
500+	4.21 EUR

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SIHB17N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

auf Bestellung 788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.49 EUR
10+	6.35 EUR
100+	4.57 EUR
500+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB17N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 122nC
Pulsed drain current: 45A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFETs E Series Power

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.45 EUR
62+	2.1 EUR
100+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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SIHB180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.17 EUR
10+	4.86 EUR
100+	4.45 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	2.83 EUR
2000+	2.76 EUR
5000+	2.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

auf Bestellung 3274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.32 EUR
50+	3.21 EUR
100+	2.91 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB186N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

auf Bestellung 936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.32 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB18N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB18N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.23 EUR
10+	4.73 EUR
100+	3.54 EUR
500+	2.97 EUR
1000+	2.59 EUR

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SIHB190N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.98 EUR
100+	3.54 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.43 EUR
10+	4.92 EUR
100+	3.49 EUR
500+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.9 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.66 EUR
1000+	2.6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

auf Bestellung 2230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.83 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.42 EUR
2000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-T1-GE3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 19A; 179W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 19A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB20N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB21N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB21N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.27 EUR
10+	4.29 EUR
100+	4.15 EUR
500+	3.7 EUR
1000+	3.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB21N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB21N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB21N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.84 EUR
50+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB21N65EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB21N65EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.1 EUR
10+	2.6 EUR
100+	2.11 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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SIHB21N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

auf Bestellung 11755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.91 EUR
10+	3.82 EUR
100+	2.8 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.18 EUR

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SIHB21N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

auf Bestellung 734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	4.01 EUR
100+	2.97 EUR
500+	2.5 EUR
800+	2.32 EUR
2400+	2.2 EUR

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SIHB22N60AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB22N60AE-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.48 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4.15 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	3.22 EUR
2000+	3.2 EUR

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SIHB22N60AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 443nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SiHB22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB22N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.12 EUR
19+	3.83 EUR
50+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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SIHB22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 831 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 2464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.03 EUR
10+	5.91 EUR
100+	4.42 EUR
500+	3.71 EUR
1000+	3.43 EUR
2000+	3.31 EUR
5000+	3.26 EUR

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SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB22N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHB22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	5.14 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.29 EUR
1000+	2.97 EUR
2000+	2.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60EL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.3 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	4.84 EUR
100+	3.43 EUR
500+	3.2 EUR
800+	3.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60S-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N60S-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-T1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.41 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHB22N65ET1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.32 EUR
50+	3.8 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.87 EUR
10+	4.08 EUR
500+	3.52 EUR
1000+	3.29 EUR
2000+	3.1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB240N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB240N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB240N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 16 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.92 EUR

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SIHB240N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.51 EUR
10+	3.59 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SiHB24N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SiHB24N65E-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 122nC
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Транзистори

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SIHB24N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 3317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.72 EUR
10+	5.72 EUR
100+	5.24 EUR
500+	4.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

auf Bestellung 1416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.6 EUR
50+	5.64 EUR
100+	5.17 EUR
500+	4.33 EUR
1000+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65E-GE3-X

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 65A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.05 EUR
10+	7.41 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.3 EUR
1000+	4.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.2 EUR
1600+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT1-GE3

MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.82 EUR
10+	7.3 EUR
100+	5.3 EUR
500+	4.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

auf Bestellung 2596 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.7 EUR
10+	7.21 EUR
100+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N65EFT5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB24N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB24N65ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB24N65ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB24N65ET5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

auf Bestellung 813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.41 EUR
50+	3.28 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHB24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

auf Bestellung 672 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.99 EUR
10+	3.59 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB24N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB25N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

auf Bestellung 936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.44 EUR
10+	4.93 EUR
100+	3.49 EUR
500+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHB25N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.97 EUR
10+	4.59 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.97 EUR

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SIHB25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB25N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.04 EUR
50+	5.91 EUR
100+	5.41 EUR
500+	4.54 EUR
1000+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 787 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.95 EUR
10+	7.39 EUR
100+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60AEL-GE3

EL Series Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHB30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 76A
Gate charge: 130nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.89 EUR
10+	5.83 EUR
100+	5.35 EUR
500+	5.33 EUR
1000+	4.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.86 EUR
50+	5.8 EUR
100+	5.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.77 EUR
10+	7.26 EUR
100+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60ET1-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.89 EUR
10+	7.36 EUR
100+	5.35 EUR
500+	4.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.07 EUR

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SIHB30N60ET5-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB30N60ET5-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB33N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB33N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB33N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB33N60E-GE3

auf Bestellung 373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHB33N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.37 EUR
10+	7.62 EUR
100+	6.11 EUR
500+	5.44 EUR
1000+	4.88 EUR

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SIHB33N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

auf Bestellung 1587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.28 EUR
10+	6.93 EUR
100+	5.04 EUR
500+	4.23 EUR
1000+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB33N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.44 EUR
10+	8.45 EUR
100+	6.2 EUR
500+	5.7 EUR

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SIHB33N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.3 EUR
10+	8.34 EUR
100+	6.11 EUR
500+	5.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHB33N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.37 EUR
10+	7.62 EUR
100+	6.11 EUR
500+	5.44 EUR
800+	4.88 EUR

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SIHB33N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHB33N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

auf Bestellung 747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.26 EUR
10+	7.53 EUR
100+	6.05 EUR
500+	5.39 EUR
800+	4.82 EUR

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SIHB35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.77 EUR
10+	7.88 EUR
100+	6.34 EUR
500+	5.63 EUR
1000+	5.26 EUR

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SIHB35N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Pulsed drain current: 80A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB35N60ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB5N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	1.49 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.1 EUR
2000+	0.96 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.63 EUR
50+	1.75 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.38 EUR
2000+	1.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

auf Bestellung 1040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
50+	2.08 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIHB6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.92 EUR
10+	6.07 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.91 EUR
1000+	1.85 EUR
2000+	1.81 EUR

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SIHB8N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHB8N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHB8N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

auf Bestellung 7303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.1 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3
Produktcode: 220649

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

auf Bestellung 1779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
75+	1.77 EUR
150+	1.6 EUR
525+	1.35 EUR
1050+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.84 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.25 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	2.01 EUR
2000+	1.16 EUR
4000+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
10+	2.47 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T4-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD11N80AE-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

auf Bestellung 2462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.05 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 4277 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.1 EUR
10+	2.66 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.34 EUR
3000+	1.32 EUR
6000+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD12N50E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD14N60E-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.93 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD14N60E-BE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHD14N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 923 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.84 EUR
75+	2.26 EUR
150+	2.05 EUR
525+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SiHD14N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 11342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.91 EUR
10+	2.31 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.72 EUR
3000+	1.66 EUR

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SiHD14N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC

auf Bestellung 361 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.93 EUR
32+	2.27 EUR
36+	2 EUR
75+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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SIHD14N60ET1-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

auf Bestellung 1524 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.49 EUR
10+	2.91 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHD14N60ET4-GE3

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD14N60ET4-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD14N60ET4-GE3

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.58 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHD14N60ET5-GE3

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.58 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHD14N60ET5-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD14N60ET5-GE3

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD180N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.27 EUR
3000+	1.94 EUR

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SIHD180N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHD180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHD180N60E-GE3

auf Bestellung 2310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.74 EUR
10+	3.76 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD180N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD180N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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SIHD180N60ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD180N60ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.51 EUR
50+	3.32 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.47 EUR
1000+	2.3 EUR
2000+	2.15 EUR
5000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET

auf Bestellung 2138 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.67 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	2.11 EUR
3000+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EFT1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD186N60EFT4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD1K4N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.96 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

auf Bestellung 2077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-T4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N60E-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.15 EUR
10+	5.42 EUR
100+	3.87 EUR
500+	3.2 EUR
1000+	2.99 EUR
3000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 2632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.18 EUR
10+	5.46 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.72 EUR
222+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80AE-GE3

MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 4827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V

auf Bestellung 1579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 65026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.26 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.93 EUR
6000+	0.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

auf Bestellung 23845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-BE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 5.5A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3102 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT1-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT1-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
9000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT4-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT5-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD3N50DT5-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1393 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

auf Bestellung 1899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.98 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1053 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80ET4-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD4N80ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD4N80ET5-GE3

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SIHD5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.8 EUR
9000+	0.78 EUR

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SIHD5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

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SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIHD5N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 5985 Stücke:

Lieferzeit 190-194 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.33 EUR
100+	1.16 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHD5N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube

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SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHD5N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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SIHD5N80AE-GE3

MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES

auf Bestellung 3024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHD5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

auf Bestellung 3006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
11+	1.72 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SIHD690N60E-GE3

MOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

auf Bestellung 2611 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR
3000+	1.08 EUR

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SIHD690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

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SIHD6N62E-GE3

MOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.41 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.07 EUR
3000+	0.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N62E-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD6N62E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised

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SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFETs 620V Vds E Series DPAK TO-252

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 5472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.78 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

auf Bestellung 2780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.73 EUR
75+	1.71 EUR
150+	1.54 EUR
525+	1.3 EUR
1050+	1.2 EUR
2025+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET1-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET4-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
75+	1.06 EUR
150+	0.97 EUR
525+	0.94 EUR
1050+	0.86 EUR
2025+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.83 EUR
10+	1.24 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80AET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80AET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.91 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

auf Bestellung 1935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 114 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 1192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.33 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.1 EUR
10+	2.78 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3654 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHD7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 3172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.45 EUR
6000+	1.42 EUR

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SIHD7N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 18A

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SIHD7N60E-GE3-X

MOSFET

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SIHD7N60ET-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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SIHD7N60ET1-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHD7N60ET4-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60ET5-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIHD9N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 2685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.33 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.48 EUR

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SIHD9N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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SIHD9N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V

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SIHDGGA120A01

Amphenol Socapex

Rectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP

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Mindestbestellmenge: 116 Stücke

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SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.97 EUR
10+	6.56 EUR
100+	6.04 EUR
500+	6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

auf Bestellung 1174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.8 EUR
50+	6.94 EUR
100+	6.38 EUR
500+	5.39 EUR
1000+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

auf Bestellung 599 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.05 EUR
50+	5.32 EUR
100+	4.86 EUR
500+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF068N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.08 EUR
10+	5.35 EUR
100+	4.89 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF074N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF074N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.45 EUR
10+	9.2 EUR
100+	6.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF074N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.29 EUR
10+	9.08 EUR
100+	6.71 EUR
500+	5.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF074N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHF080N60E

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.81 EUR
50+	4.07 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES

auf Bestellung 3413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.5 EUR
10+	4.45 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.84 EUR
1000+	3.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF085N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

auf Bestellung 1734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.89 EUR
10+	6.97 EUR
100+	5.16 EUR
1000+	4.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10 EUR
10+	6.91 EUR
100+	5.1 EUR

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SIHF085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF10N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF10N40D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
76+	1.85 EUR
104+	1.3 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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SIHF10N40D-E3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF110N65SF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

auf Bestellung 895 Stücke:

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1+	7.32 EUR
10+	4.8 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	2.76 EUR
2000+	2.62 EUR

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SIHF110N65SF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.92 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.64 EUR

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SIHF12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

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SIHF12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.08 EUR
50+	4.79 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.66 EUR

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SIHF12N60E-E3
Produktcode: 171580

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 2557 Stücke:

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1+	5.68 EUR
10+	3.73 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.11 EUR
2000+	2.01 EUR

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SIHF12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.67 EUR
10+	3.7 EUR
100+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF12N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF12N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

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SIHF12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 Транзистори

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SIHF12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	2.66 EUR
100+	2.41 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.81 EUR

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SIHF12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.23 EUR
50+	2.62 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIHF15N60E-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI71

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised

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SiHF15N60E-E3
Produktcode: 117209

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SIHF15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FP Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.6 EUR
10+	3.38 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.43 EUR

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SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.53 EUR
50+	3.32 EUR
100+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SIHF15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N60E-GE3
Produktcode: 127335

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF15N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

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SIHF15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm

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SIHF16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

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SIHF16N50C-E3

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SIHF16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)

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SIHF18N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

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SIHF18N50D

MOSFETs

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SIHF18N50D

Транзистори

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SIHF18N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF18N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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2000+	2.31 EUR
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SIHF18N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF18N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 18A TO220 Транзистори

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SIHF18N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

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SIHF18N50D-E3
Produktcode: 188008

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
JHGF: THT

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SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4

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SIHF22N60E-E3

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SIHF22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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SIHF22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори

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SIHF22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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10+	4.17 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.19 EUR

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SIHF22N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 150 Stücke:

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SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

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2000+	2.75 EUR
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SIHF22N60S-E3

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SIHF22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

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SIHF22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.46 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.64 EUR
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1000+	2.85 EUR
2000+	2.69 EUR

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SIHF28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

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SIHF28N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.51 EUR
10+	7.71 EUR
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SIHF2X0.5
Produktcode: 108027

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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

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SiHF30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHF30N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

auf Bestellung 2565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.84 EUR
10+	7.31 EUR
100+	5.31 EUR
500+	4.45 EUR
1000+	4.18 EUR
2000+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	7.41 EUR
100+	5.37 EUR
500+	5.09 EUR

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SIHF30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF30N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 676A
Gate charge: 130nC

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SIHF35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

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SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com

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SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF35N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A

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SIHF35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.46 EUR
10+	9.03 EUR
100+	8.85 EUR
500+	8.1 EUR
1000+	4.98 EUR

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SIHF3X0.5
Produktcode: 123726

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SIHF3X0.75
Produktcode: 104161

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HELUKABEL

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

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SIHF3X0.75 23002

HELUKABEL

Провід монтажний, К-сть жил = 3, Uживл, В = 300/500, Колір = коричнево-червоний , Переріз = 3 x 0,75, Тип ізоляції = силіконовий каучук,... Проводи і кабелі Корпус: 3x0.75 mm2 Од. вим: м
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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SIHF4X0.5
Produktcode: 115638

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SIHF510S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF510STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

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SIHF510STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SiHF520S-E3 IRF520SPBF

HEXFET N-CH 100V 9.2 A D2PAK=TO-263 Транзистори

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SIHF520S-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V

auf Bestellung 789 Stücke:

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1+	2.96 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR
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2500+	0.73 EUR
5000+	0.65 EUR

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SIHF520STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF520STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF520STRR-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF520STRR-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SiHF530 IRF530

TO-220AB Транзистори

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SIHF530-E3

MOSFETs

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SiHF530-E3 100 В 14 А (TO-220)

N-CH 100V 14A TO-220AB Транзистори

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SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF530-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

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SIHF530-GE3

Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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SiHF530S-E3

MOSFETs

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SiHF530S-E3 100 В 14 А (TO-263)

HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 Транзистори

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SiHF530S-E3 SiHA25N50E-E3

MOSFET 500V 26A 145mOhm TO-220FP Транзистори

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SIHF530S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SiHF530STL-E3 IRF530STRLPBF

HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 Транзистори

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SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF530STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.76 EUR
800+	0.66 EUR
2400+	0.62 EUR
4800+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF530STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SiHF540 IRF540

N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори

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SiHF540-E3 IRF540PBF

N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори

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SiHF540S-E3 100 В 28 А (TO-263)

D2PAK Транзистори

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SIHF540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.82 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
10000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540S-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF540STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF5N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF5N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1571 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIHF5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.47 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.92 EUR
5000+	0.89 EUR

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SIHF5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF620S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

auf Bestellung 881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.9 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.38 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.72 EUR
5000+	0.64 EUR
10000+	0.62 EUR

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SIHF620STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF620STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF630S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF630S-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF630STRL-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF630STRR-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHF634S-E3 IRF634SPBF

D2Pak (TO-263) Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF634S-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF634STRR-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF640L-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIHF640S-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	2.7 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF640S-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF640S-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1221 Stücke:

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1+	4.26 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.44 EUR
2000+	1.32 EUR

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SIHF6N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V

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SIHF6N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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SIHF6N40D-E3

MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF6N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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SIHF6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 35 Stücke:

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SIHF6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 896 Stücke:

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1+	5.28 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.76 EUR
5000+	1.74 EUR

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SIHF720L-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF720STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF730AL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF730AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730AL-GE3

MOSFETs

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SIHF730AS-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730AS-GE3

MOSFETs

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SIHF730ASTRL-GE3

MOSFETs

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SIHF730ASTRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730ASTRR-GE3

MOSFETs

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SIHF730ASTRR-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF730ASTRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730STRL-GE3

MOSFET

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SIHF730STRL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A

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SIHF730STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF730STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

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SIHF740-E3

MOSFETs

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SiHF740-E3 400 В 10 А (TO-220)

(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори

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SiHF740A IRF740A

(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори

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SiHF740AL-E3 IRF740AL

Транзистори

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SIHF740AL-GE3

MOSFET

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SiHF740AS-E3 IRF740ASPBF

(MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори

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SIHF740AS-GE3

MOSFET

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SIHF740ASTRL-GE3

MOSFET

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SIHF740ASTRR-GE3

MOSFET

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SiHF740S-E3 400 В 10 А (TO-263)

(MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори

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SIHF740S-GE3

MOSFET

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SiHF740STL-E3 IRF740STRLPBF

(MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори

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SIHF740STRL-GE3

MOSFET

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SIHF740STRR-GE3

MOSFET

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SIHF7N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 18A

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SIHF7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SiHF7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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SiHF7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF820AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF820AS-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF820L-GE3

MOSFETs

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SIHF830S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

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SIHF830STRL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 18A

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SIHF840AL-GE3

MOSFET

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SIHF840AS-GE3

MOSFET

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SIHF840ASTRL-GE3

MOSFET

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SIHF840L-GE3

MOSFET

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SIHF840LCL-GE3

MOSFET

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SIHF840LCS-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF840LCS-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF840S-E3

MOSFET

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SIHF840S-GE3

MOSFET

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SIHF840STR-E3

MOSFET

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SIHF840STRL-GE3

MOSFET

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SIHF840STRR-GE3

MOSFET

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SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF8N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF8N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF8N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

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SIHF8N50L-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

auf Bestellung 893 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.18 EUR
2000+	1.14 EUR
5000+	1.1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF8N50L-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHF9510S-E3 IRF9510SPBF

Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHF9510STL-E3 IRF9510STRLPBF

Транзистори

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SIHF9520S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

auf Bestellung 583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
12+	1.51 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF9520S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9520S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHF9530-E3 IRF9530PBF

TO-220 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHS IRF9530SPBF

D2PAK=TO-263 Транзистори

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF9530S-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF9530S-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD

auf Bestellung 909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	0.93 EUR
92+	0.78 EUR
105+	0.69 EUR
116+	0.62 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiHF9530STL-E3 IRF9530STRLPBF

D2PAK=TO-263 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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SiHF9530STR-E3 IRF9530STRRPBF

D2PAK=TO-263 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHF9530STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

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SiHF9540-E3 IRF9540PBF

TO-220AB Транзистори

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SIHF9540PBF

MOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9540PBF

Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active

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SiHF9540S-E3 -100 В -19 А (TO-263)

D2PAK=TO-263 Транзистори

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	2.65 EUR

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SIHF9540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHF9540S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9540S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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SIHF9540STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

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SIHF9610S-GE3

MOSFETs

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SIHF9620S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
12+	1.5 EUR
100+	1 EUR
500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SiHF9620STL-E3 IRF9620STRLPBF

D2PAK Транзистори

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SIHF9630S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9630S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 1575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.83 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.1 EUR
2000+	0.97 EUR
5000+	0.96 EUR

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SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SIHF9630STRL-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF9630STRL-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SIHF9630STRL-GE3

MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIHF9630STRL-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.01 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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SIHF9640L-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V

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SIHF9640S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9640S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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SIHF9640S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHF9640STRL-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 200V

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SIHF9640STRR-GE3