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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMG 100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Input current: 1A; 5A
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG 2-01White-RodgersValve Accessories DMG SERIES SOLENOID COIL 120/50-60, 7 WATT WITH JUNCTION BOX CONNECTION, 6" LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: RS485
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+590.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
AC current measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Type of meter: network parameters
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: on panel
Kind of display used: LCD
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring range: 50...720V
Input current: 1A; 5A
Mounting hole diameter: 92x92mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Frequency measuring range: 45...65Hz
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of network: three-phase
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
True effective value measurement: True RMS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+495 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG-02P-14-00A(H)DEGSONКлемники
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG-02P-14-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Din Rail Mounting Enclosures
Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0
Type of enclosure: for DIN rail mounting
Body colour: green
Enclosure material: polycarbonate
Flammability rating: UL94V-0
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.31 EUR
46+1.86 EUR
51+1.69 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG-400---Аудіоперетворювачі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG-W15-3C2C-WHT-180MOBILE MARKDescription: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
VSWR: 2
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+272.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1093+0.19 EUR
1478+0.14 EUR
1909+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.071 EUR
20000+0.063 EUR
30000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 9409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.069 EUR
20000+0.062 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1093+0.19 EUR
1478+0.14 EUR
1909+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
auf Bestellung 17572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
5000+0.086 EUR
10000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.073 EUR
20000+0.062 EUR
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.069 EUR
20000+0.061 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
367+0.63 EUR
579+0.37 EUR
1018+0.21 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 334845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.48 EUR
100+0.46 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 669000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 20600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 272721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
15000+0.4 EUR
21000+0.39 EUR
30000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DiodesTransistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1054378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
367+0.63 EUR
579+0.37 EUR
1018+0.21 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 11174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
262+0.32 EUR
368+0.23 EUR
428+0.2 EUR
589+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 669000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
667+0.35 EUR
1065+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
500+0.17 EUR
682+0.12 EUR
773+0.11 EUR
995+0.086 EUR
1109+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
667+0.35 EUR
1065+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
1621+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
auf Bestellung 94203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.24 EUR
18+0.2 EUR
100+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012TQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 185345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.37 EUR
1102+0.21 EUR
1722+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2507+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWams OSRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 193125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.36 EUR
1113+0.21 EUR
1734+0.12 EUR
2208+0.098 EUR
2507+0.086 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+0.45 EUR
807+0.29 EUR
1600+0.13 EUR
1767+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2365+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 2365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7DiodesТранзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 1A, 0,29W, SOT323 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.056 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.052 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.61 EUR
596+0.39 EUR
1087+0.2 EUR
1640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2365+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 2365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7JGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
auf Bestellung 88725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.12 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.051 EUR
21000+0.048 EUR
30000+0.044 EUR
75000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.61W
Gate charge: 1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
317+0.27 EUR
508+0.17 EUR
687+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 6747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 310072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.098 EUR
21000+0.094 EUR
30000+0.089 EUR
75000+0.081 EUR
150000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TGOODWORKDescription: 20V700mA400m@4.5VSOT-523
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TDIODES10 SOT-523
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4630+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 4630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3985+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 93049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.49 EUR
1395+0.17 EUR
1812+0.12 EUR
1880+0.11 EUR
1913+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 16, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,27, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 0.622, Rds = 700 мОм, Ugs(th) = 4.5 В,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4630+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 4630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 93049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.49 EUR
1395+0.17 EUR
1812+0.12 EUR
1880+0.11 EUR
1913+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 6159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
472+0.18 EUR
685+0.12 EUR
799+0.11 EUR
1112+0.076 EUR
1247+0.068 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.077 EUR
21000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3938+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
auf Bestellung 1520579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Gate charge: 580pC
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 1.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -330mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1656000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
582+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1258+0.17 EUR
1411+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
auf Bestellung 207440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
582+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1258+0.17 EUR
1411+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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