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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
R60Copper Mountain TechnologiesDescription: NETWORK ANALYZER 1-PORT 6 GHZ
Packaging: Box
Features: 1 Port
Style: Bench
Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R60-050 (FRX050-60F)
Produktcode: 170731		Sicherungen > Rückstellbare Sicherungen
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R60-10JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 3/8 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R60-10 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030917-00
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R60-10(NJ)JST CorporationR60-10(NJ)
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.44 EUR
71+ 2.15 EUR
100+ 1.69 EUR
200+ 1.52 EUR
800+ 1.46 EUR
1600+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 64
R60-3001002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.787" (20.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.394" (10.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001102Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.827" (21.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.433" (11.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001202Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.472" (12.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001202Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001302Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.906" (23.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.512" (13.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001402Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.551" (14.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.984" (25.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.591" (15.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
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R60-3001502Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001602Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.024" (26.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.630" (16.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
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R60-3001802Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3002002Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
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R60-3002002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM
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R60-3002502Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
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R60-3002502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM
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R60-3003002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
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R60-3003002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM
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R60-3003502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM
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R60-3004002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3004002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
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R60-8JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16
Features: Brazed Seam
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 5/16 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
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R60-8 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030907-00
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R600-000-000Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE
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R600-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600-000-001Hammond2.5mm X 1M Std Rolec Gasket
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R600-000-002HammondRolec Gasket 3.0mm X 1M
Produkt ist nicht verfügbar
R600-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R600-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600-000-003Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M
Produkt ist nicht verfügbar
R600-000-003Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600-000-003Hammond3.5mm X 1M Std Rolec Gasket
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R600-008-080Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T
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R6000Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984'
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+346.42 EUR
10+ 323.32 EUR
R6000TE ConnectivityTE Connectivity
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R6000
auf Bestellung 7457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6000W.H. BradyLabels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+244.65 EUR
2+ 233.89 EUR
3+ 218.85 EUR
5+ 202.78 EUR
10+ 193.38 EUR
R6000625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6000825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-
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R6000ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 0.5A, SOP8, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
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R6001
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6001REED InstrumentsDescription: TEMP AND HUMIDITY MONITOR
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6001-KITREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Calibration Kit
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
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R6001-NISTREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
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R6001030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6001225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001NLiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tube
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.31 EUR
10+ 42.61 EUR
25+ 41.19 EUR
50+ 36.93 EUR
100+ 35.51 EUR
R6001NLTiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+280.4 EUR
2+ 260.69 EUR
3+ 243.13 EUR
5+ 227.29 EUR
R6002Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984'
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+445.54 EUR
10+ 429.62 EUR
25+ 423.26 EUR
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+337.12 EUR
2+ 322.3 EUR
3+ 301.57 EUR
R6002BRADYDescription: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W
tariffCode: 39191080
Art des Zubehörs: Printer Ribbon
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6002030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6002225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
2500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 164
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
25+ 2.1 EUR
100+ 1.63 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.13 EUR
2500+ 1.06 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 164
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
auf Bestellung 2319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.55 EUR
13+ 2.08 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.59 EUR
287+ 0.53 EUR
296+ 0.49 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 264
R6002ENDTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.78 EUR
23+ 2.27 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.5 EUR
1000+ 1.28 EUR
2500+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 19
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.76 EUR
12+ 2.25 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.98 EUR
16+ 1.73 EUR
25+ 1.62 EUR
100+ 1.32 EUR
250+ 1.23 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 14
R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintaini
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
2000+ 0.76 EUR
4000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
204+ 0.74 EUR
222+ 0.65 EUR
223+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 99
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
Produkt ist nicht verfügbar
R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
14+ 1.96 EUR
25+ 1.84 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1.3A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6003JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintai
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.99 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.87 EUR
4000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6003KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.59 EUR
250+ 2.38 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.37 EUR
10+ 3.91 EUR
100+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 44W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 4226 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 4226 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.69 EUR
5000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7053 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.1 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.64 EUR
252+ 0.6 EUR
255+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 243
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Power MOSFET. Power MOSFET R6004END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.42 EUR
250+ 2.24 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.74 EUR
2500+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.31 EUR
13+ 2.06 EUR
25+ 1.96 EUR
100+ 1.61 EUR
250+ 1.5 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
28+ 1.9 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.02 EUR
2000+ 0.96 EUR
4000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.14 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 138
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.56 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.62 EUR
2500+ 1.51 EUR
5000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.14 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.91 EUR
2500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 138
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.64 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.23 EUR
250+ 1.14 EUR
500+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 128
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.49 EUR
5000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.43 EUR
115+ 1.32 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.22 EUR
100+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.82 EUR
50+ 4.7 EUR
100+ 3.86 EUR
500+ 3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
11+ 4.91 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.78 EUR
2500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.58 EUR
13+ 4.11 EUR
100+ 3.3 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.25 EUR
2500+ 2.09 EUR
5000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.68 EUR
10+ 3.89 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.62 EUR
1000+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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R6004JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.59 EUR
10+ 4.63 EUR
100+ 3.69 EUR
500+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.11 EUR
10+ 5.07 EUR
100+ 4.04 EUR
500+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
12+ 4.58 EUR
100+ 3.74 EUR
250+ 3.46 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.51 EUR
5000+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6004JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6004KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.9 EUR
10+ 5.33 EUR
25+ 5.04 EUR
100+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.68 EUR
10+ 4.21 EUR
100+ 3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6004KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.39 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.3 EUR
500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6004KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6004KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.1 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.12 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.41 EUR
2000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6004KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.2 EUR
10+ 4.32 EUR
100+ 3.44 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.92 EUR
10+ 5.8 EUR
100+ 4.69 EUR
500+ 4.17 EUR
1000+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 600V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.12 EUR
10+ 6.42 EUR
100+ 5.25 EUR
500+ 4.47 EUR
1000+ 3.8 EUR
2500+ 3.59 EUR
5000+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
auf Bestellung 3060 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
11+ 2.42 EUR
25+ 2.29 EUR
100+ 1.88 EUR
250+ 1.76 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6004RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2500+1.14 EUR
10000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
Produkt ist nicht verfügbar
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+237.64 EUR
10+ 221.8 EUR
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+166.61 EUR
2+ 159.26 EUR
3+ 149 EUR
5+ 138.01 EUR
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
38+0.7 EUR
44+ 0.6 EUR
53+ 0.5 EUR
56+ 0.47 EUR
59+ 0.45 EUR
100+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
75+0.7 EUR
117+ 0.44 EUR
135+ 0.39 EUR
200+ 0.36 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
2000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 75
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 2
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANDTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.46 EUR
10+ 4.91 EUR
100+ 3.94 EUR
500+ 3.24 EUR
1000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.45 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 2.08 EUR
500+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 64
R6006ANXFU7
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.75 EUR
10+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
12+ 4.68 EUR
100+ 3.82 EUR
500+ 3.22 EUR
1000+ 2.76 EUR
2500+ 2.59 EUR
5000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 97
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.27 EUR
10+ 5.21 EUR
100+ 4.15 EUR
500+ 3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.92 EUR
10+ 5.56 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.21 EUR
500+ 3.82 EUR
1000+ 3.07 EUR
5000+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.15 EUR
100+ 1.98 EUR
250+ 1.83 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 73
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
10+ 5.85 EUR
100+ 4.65 EUR
500+ 3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.15 EUR
10+ 4.27 EUR
100+ 3.4 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.4 EUR
2500+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
105+ 1.44 EUR
250+ 1.33 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.02 EUR
4000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.94 EUR
165+ 0.91 EUR
180+ 0.81 EUR
200+ 0.77 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 81
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.42 EUR
12+ 2.17 EUR
25+ 2.06 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.58 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.68 EUR
100+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 94
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.3 EUR
100+ 4.21 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 3.02 EUR
2500+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
100+ 1.55 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+ 5.39 EUR
100+ 4.29 EUR
500+ 3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.63 EUR
50+ 3.37 EUR
100+ 3.13 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.41 EUR
500+ 3.73 EUR
1000+ 3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.11 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.38 EUR
2500+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+626.31 EUR
10+ 603.94 EUR
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.56 EUR
10+ 4.62 EUR
100+ 3.67 EUR
500+ 3.11 EUR
1000+ 2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.33 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.35 EUR
2000+ 2.27 EUR
5000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTL
Produktcode: 190145		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
100+ 1.74 EUR
250+ 1.61 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 83
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.81 EUR
10+ 4.31 EUR
100+ 3.47 EUR
500+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.26 EUR
127+ 1.19 EUR
133+ 1.09 EUR
200+ 1.04 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.01 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.34 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.73 EUR
5000+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.03 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.81 EUR
10+ 5.69 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.07 EUR
5000+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
50+ 5.45 EUR
100+ 4.48 EUR
500+ 3.79 EUR
1000+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
16+ 3.33 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.12 EUR
2500+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.07 EUR
10+ 6.35 EUR
100+ 5.1 EUR
500+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 6.24 EUR
50+ 5.36 EUR
100+ 4.47 EUR
250+ 4.34 EUR
500+ 3.87 EUR
1000+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.33 EUR
10+ 6.57 EUR
100+ 5.39 EUR
500+ 4.59 EUR
1000+ 3.87 EUR
2000+ 3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 7A TO-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.25 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 2.01 EUR
2500+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.91 EUR
10+ 4.41 EUR
100+ 3.55 EUR
500+ 2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.81 EUR
10+ 5.69 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.37 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.25 EUR
2500+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+ 5.77 EUR
100+ 4.59 EUR
500+ 3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.52 EUR
105+ 1.44 EUR
110+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 3.27 EUR
25+ 3.09 EUR
100+ 2.63 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2500+1.67 EUR
5000+ 1.66 EUR
10000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
Produkt ist nicht verfügbar
R6008ANJ
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008ANJTL
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.96 EUR
10+ 7.15 EUR
100+ 5.88 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.19 EUR
2500+ 3.98 EUR
5000+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
10+ 6.34 EUR
100+ 5.09 EUR
500+ 4.18 EUR
1000+ 3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.31 EUR
100+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 68
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.7 EUR
10+ 8.74 EUR
100+ 7.12 EUR
500+ 6.08 EUR
1000+ 5.1 EUR
5000+ 5.02 EUR
10000+ 4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6009W.H. BradyPrinter Ribbon Black Side Out
Produkt ist nicht verfügbar
R6009Brady CorporationDescription: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R6009-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
31+ 0.86 EUR
37+ 0.72 EUR
39+ 0.67 EUR
50+ 0.64 EUR
100+ 0.57 EUR
250+ 0.54 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
R6009-00HarwinStandoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
66+ 0.79 EUR
100+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 52
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 5016 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.93 EUR
10+ 4.93 EUR
100+ 3.92 EUR
500+ 3.32 EUR
1000+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Power MOSFET. Power MOSFET R6009END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.82 EUR
12+ 4.55 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.69 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.78 EUR
2500+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6009END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
104+ 1.46 EUR
250+ 1.35 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.16 EUR
2500+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 99
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.25 EUR
10+ 5.88 EUR
100+ 4.89 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.51 EUR
2000+ 3.41 EUR
5000+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.56 EUR
100+ 2.36 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
85+ 1.79 EUR
530+ 0.27 EUR
534+ 0.26 EUR
538+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 83
R6009ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.68 EUR
10+ 7.83 EUR
100+ 6.4 EUR
500+ 5.43 EUR
1000+ 4.34 EUR
5000+ 4.19 EUR
10000+ 4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6009ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.89 EUR
10+ 7.98 EUR
100+ 6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6009ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3693 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 6.29 EUR
50+ 5.15 EUR
100+ 4.39 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6009ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
50+ 5.1 EUR
100+ 4.37 EUR
500+ 3.88 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
100+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.34 EUR
120+ 1.27 EUR
530+ 0.27 EUR
541+ 0.26 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 6.04 EUR
100+ 4.86 EUR
500+ 3.99 EUR
1000+ 3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.03 EUR
11+ 5.02 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.89 EUR
2500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 96
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.74 EUR
60+ 2.54 EUR
100+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 58
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.76 EUR
10+ 5.69 EUR
25+ 5.36 EUR
100+ 4.63 EUR
250+ 4.34 EUR
500+ 4.11 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.74 EUR
60+ 2.54 EUR
100+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 58
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.52 EUR
500+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.84 EUR
88+ 1.72 EUR
100+ 1.53 EUR
200+ 1.43 EUR
1000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85
R6009JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.89 EUR
50+ 3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6009JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.83 EUR
50+ 6.2 EUR
100+ 5.31 EUR
500+ 4.72 EUR
1000+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.95 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.39 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 2.16 EUR
2500+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 14
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 81
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6009KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
13+ 4.32 EUR
100+ 3.46 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.35 EUR
2000+ 2.19 EUR
5000+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.17 EUR
10+ 4.66 EUR
100+ 3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6009KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 71
R6009KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.86 EUR
12+ 4.39 EUR
100+ 3.54 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.23 EUR
5000+ 2.14 EUR
10000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.6 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.48 EUR
500+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.35 EUR
118+ 1.28 EUR
123+ 1.18 EUR
200+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 116
R6009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.43 EUR
50+ 5.38 EUR
100+ 4.37 EUR
250+ 4.34 EUR
500+ 3.9 EUR
1000+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6009RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2500+1.73 EUR
10000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.4 EUR
25+ 3.2 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.24 EUR
1000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.98 EUR
87+ 1.74 EUR
107+ 1.37 EUR
200+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.13 EUR
100+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 74
R600CH08
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH10
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH12
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20C2G0
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20C2H0
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20D2H0
Produktcode: 108459		WestcodeTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
R600CH20FY0
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH25
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R601-000-000Hammond2.5mm X 1M Silicone Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-000Hammond ManufacturingDescription: GASKET
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-001Hammond3mm X 1M Silicone Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-002Hammond3.5mm X 1M Silicone Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M
Produkt ist nicht verfügbar
R6010BRADYDescription: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M
Art des Zubehörs: Farbband für Drucker
Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+108.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6010Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75'
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+160.11 EUR
10+ 145.11 EUR
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6010-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6010-00HarwinStandoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
42+1.25 EUR
66+ 0.8 EUR
100+ 0.69 EUR
200+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6010-00HARWINDescription: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
Höhe: 10.5
Außenbreite: 4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6010...BRADYDescription: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Bandbreite: 0
Beschriftungsband: Thermal Transfer
euEccn: NLR
Länge des Bands: 0
Klebebandmaterial: Polyester
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Farbe des Beschriftungsbands: Black
Zur Verwendung mit: 0
usEccn: EAR99
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R60100-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60100-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-1CREaton ElectricalFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
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R60100-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3CREatonFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
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R60100-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3CRQBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-3CRQEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3SREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
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R601001 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R601001 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28'
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R601002 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56'
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R601002 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R601003 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable
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1+348.92 EUR
5+ 328.35 EUR
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R601003 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84'
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R601005 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4'
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R601005 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R6010225XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010230XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
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R6010430XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
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R6010630XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010830XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010ANX
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R6010ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 10A MOSFET
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6+9.28 EUR
10+ 8.35 EUR
100+ 6.84 EUR
500+ 5.82 EUR
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R6010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 79 Stücke:
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42+3.8 EUR
50+ 3.52 EUR
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R6010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
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R6010F00HarwinR6010F00
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414+0.38 EUR
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R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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80+1.97 EUR
87+ 1.75 EUR
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200+ 1.23 EUR
500+ 1.18 EUR
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R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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82+1.92 EUR
100+ 1.77 EUR
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R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
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61+2.58 EUR
67+ 2.26 EUR
100+ 1.78 EUR
200+ 1.6 EUR
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R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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65+2.41 EUR
100+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 65
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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77+2.03 EUR
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104+ 1.4 EUR
200+ 1.26 EUR
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R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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80+1.96 EUR
100+ 1.81 EUR
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R6011030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO
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R6011225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
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R6011230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
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R6011425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
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R6011430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
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R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
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R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
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R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
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R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
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R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.07 EUR
10+ 5.9 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.35 EUR
2500+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.9 EUR
10+ 7.11 EUR
100+ 5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
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R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
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R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.2 EUR
10+ 8.29 EUR
100+ 6.79 EUR
500+ 5.77 EUR
1000+ 4.86 EUR
2000+ 4.63 EUR
5000+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.26 EUR
10+ 8.31 EUR
100+ 6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.44 EUR
10+ 6.68 EUR
100+ 5.49 EUR
500+ 4.65 EUR
1000+ 3.9 EUR
2500+ 3.72 EUR
5000+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.57 EUR
50+ 6 EUR
100+ 5.14 EUR
500+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.98 EUR
10+ 7.18 EUR
100+ 5.9 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.24 EUR
2000+ 4 EUR
5000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.44 EUR
10+ 6.71 EUR
100+ 5.38 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.74 EUR
2500+ 3.43 EUR
5000+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.23 EUR
10+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.75 EUR
10+ 5.17 EUR
100+ 4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.46 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.35 EUR
2500+ 2.19 EUR
5000+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.91 EUR
10+ 4.07 EUR
100+ 3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.03 EUR
10+ 7.2 EUR
100+ 5.9 EUR
500+ 5.04 EUR
1000+ 4.24 EUR
2000+ 4.03 EUR
5000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.55 EUR
10+ 7.68 EUR
100+ 6.29 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.37 EUR
50+ 4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.38 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.78 EUR
250+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6012ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANXFU7C7
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.11 EUR
50+ 3.81 EUR
100+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 71
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.73 EUR
50+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.19 EUR
50+ 3.77 EUR
100+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.88 EUR
10+ 6.63 EUR
100+ 5.37 EUR
500+ 4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.03 EUR
10+ 6.73 EUR
25+ 6.37 EUR
100+ 5.46 EUR
250+ 5.17 EUR
500+ 4.86 EUR
1000+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.99 EUR
86+ 1.77 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 79
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.31 EUR
10+ 7.8 EUR
50+ 7.36 EUR
100+ 6.32 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON .5" DI BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+254.41 EUR
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+187.06 EUR
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.87 EUR
88+ 1.72 EUR
100+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 84
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.84 EUR
10+ 6.14 EUR
25+ 5.79 EUR
100+ 4.93 EUR
250+ 4.63 EUR
500+ 4.05 EUR
1000+ 3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A TO-252 POWER MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2500+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.7 EUR
10+ 6.91 EUR
50+ 6.53 EUR
100+ 5.66 EUR
250+ 5.37 EUR
500+ 4.82 EUR
1000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 8A TO-220FM POWER MOSFET
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.83 EUR
10+ 6.89 EUR
50+ 5.82 EUR
100+ 5.3 EUR
250+ 5.02 EUR
500+ 4.71 EUR
1000+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.29 EUR
72+ 2.09 EUR
100+ 1.76 EUR
200+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 69
R6014YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.63 EUR
10+ 7.25 EUR
25+ 6.84 EUR
100+ 5.88 EUR
250+ 5.54 EUR
500+ 5.25 EUR
1000+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.9 EUR
50+ 6.26 EUR
100+ 5.37 EUR
500+ 4.77 EUR
1000+ 4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6014YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 9AR MOSFET
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.98 EUR
10+ 7.02 EUR
50+ 5.93 EUR
100+ 5.38 EUR
250+ 5.1 EUR
500+ 4.78 EUR
1000+ 4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6015REED InstrumentsDescription: WOOD MOISTURE METER
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6015ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.96 EUR
28+ 5.5 EUR
50+ 5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 27
R6015ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANXROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANX
Produktcode: 105991		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.48 EUR
26+ 5.98 EUR
50+ 5.54 EUR
100+ 5.14 EUR
250+ 4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6015ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.33 EUR
10+ 12.04 EUR
100+ 9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6015ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.28 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.64 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.28 EUR
10+ 7.8 EUR
25+ 7.36 EUR
100+ 6.32 EUR
250+ 5.95 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 84
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.79 EUR
25+ 6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.92 EUR
10+ 8.66 EUR
50+ 7.07 EUR
100+ 6.06 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.55 EUR
45+ 3.41 EUR
55+ 2.65 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.87 EUR
50+ 7.02 EUR
100+ 6.01 EUR
500+ 5.35 EUR
1000+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.35 EUR
50+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 47
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.35 EUR
50+ 3.1 EUR
100+ 2.89 EUR
250+ 2.69 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 47
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.89 EUR
28+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.49 EUR
30+ 9.11 EUR
120+ 7.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.57 EUR
10+ 9.72 EUR
25+ 9.44 EUR
100+ 7.85 EUR
300+ 7.62 EUR
600+ 6.97 EUR
1200+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.62 EUR
50+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.67 EUR
10+ 8.71 EUR
100+ 7.12 EUR
500+ 6.08 EUR
1000+ 5.1 EUR
2000+ 4.86 EUR
5000+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.98 EUR
10+ 6.69 EUR
100+ 5.41 EUR
500+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.68 EUR
10+ 11.49 EUR
100+ 9.3 EUR
500+ 8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.64 EUR
10+ 14.95 EUR
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500+ 10.4 EUR
1000+ 8.79 EUR
2500+ 8.35 EUR
5000+ 8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
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28+5.63 EUR
30+ 5.19 EUR
50+ 4.81 EUR
100+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.48 EUR
67+ 2.28 EUR
100+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.16 EUR
2000+ 3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.36 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.41 EUR
500+ 3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.71 EUR
10+ 5.56 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.04 EUR
2000+ 2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.02 EUR
10+ 4.17 EUR
100+ 3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.04 EUR
13+ 4.21 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.3 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.28 EUR
5000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.03 EUR
81+ 1.87 EUR
100+ 1.77 EUR
200+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 77
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.87 EUR
50+ 7.02 EUR
100+ 6.01 EUR
500+ 5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.92 EUR
10+ 7.49 EUR
50+ 7.36 EUR
100+ 6.06 EUR
250+ 5.93 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.87 EUR
50+ 3.59 EUR
100+ 3.34 EUR
250+ 3.11 EUR
500+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 41
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.49 EUR
30+ 9.11 EUR
120+ 7.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.57 EUR
10+ 9.72 EUR
25+ 9.44 EUR
100+ 7.85 EUR
300+ 7.62 EUR
600+ 6.97 EUR
1200+ 5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
Produkt ist nicht verfügbar
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.88 EUR
10+ 8.32 EUR
25+ 7.83 EUR
100+ 6.73 EUR
250+ 6.34 EUR
500+ 5.98 EUR
1000+ 5.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.85 EUR
10+ 8.26 EUR
100+ 6.68 EUR
500+ 5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.78 EUR
10+ 9.88 EUR
50+ 9.33 EUR
100+ 8.01 EUR
250+ 7.54 EUR
500+ 7.1 EUR
1000+ 6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.73 EUR
50+ 9.28 EUR
100+ 7.95 EUR
500+ 7.07 EUR
1000+ 6.05 EUR
2000+ 5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.29 EUR
10+ 7.28 EUR
50+ 6.16 EUR
100+ 5.62 EUR
250+ 5.3 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 61
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.16 EUR
50+ 6.45 EUR
100+ 5.53 EUR
500+ 4.92 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R601F3150AA6AJKEMETR601F3150AA6AJ
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R602-10-4
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+257.4 EUR
R6020PHILIPS04+
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+972.4 EUR
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.29 EUR
25+ 6.73 EUR
50+ 6.23 EUR
100+ 5.79 EUR
250+ 5.39 EUR
500+ 5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.46 EUR
10+ 14.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ANX
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020ANZ
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.52 EUR
26+ 6.01 EUR
50+ 5.57 EUR
100+ 5.18 EUR
250+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
100+ 3.75 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.33 EUR
2000+ 3.13 EUR
5000+ 3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
100+ 3.75 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 9061 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.37 EUR
500+ 3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.64 EUR
25+ 5.62 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.45 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.11 EUR
10+ 7.05 EUR
25+ 6.63 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.38 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.29 EUR
10+ 7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.43 EUR
10+ 10.45 EUR
50+ 10.22 EUR
100+ 8.42 EUR
250+ 8.27 EUR
500+ 7.49 EUR
1000+ 6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.7 EUR
50+ 4.36 EUR
100+ 4.05 EUR
250+ 3.78 EUR
500+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.16 EUR
50+ 3.25 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.35 EUR
50+ 9.77 EUR
100+ 8.38 EUR
500+ 7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.7 EUR
50+ 4.36 EUR
100+ 4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.47 EUR
10+ 11.31 EUR
30+ 9.15 EUR
270+ 8.11 EUR
510+ 6.94 EUR
1020+ 6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.27 EUR
25+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.73 EUR
10+ 11.53 EUR
100+ 9.33 EUR
500+ 8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.64 EUR
10+ 12.3 EUR
100+ 9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.55 EUR
25+ 6.05 EUR
50+ 5.6 EUR
100+ 5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.35 EUR
10+ 12.06 EUR
25+ 11.7 EUR
100+ 9.75 EUR
300+ 9.44 EUR
600+ 8.66 EUR
1200+ 6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.44 EUR
10+ 8.47 EUR
100+ 6.94 EUR
500+ 5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.26 EUR
10+ 11.93 EUR
100+ 9.78 EUR
500+ 8.35 EUR
1000+ 7.02 EUR
2000+ 6.66 EUR
5000+ 6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.57 EUR
25+ 6.06 EUR
50+ 5.62 EUR
100+ 5.22 EUR
250+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.9 EUR
10+ 16.19 EUR
100+ 13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.57 EUR
50+ 3.23 EUR
200+ 3.07 EUR
500+ 2.85 EUR
1000+ 2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.01 EUR
25+ 7.39 EUR
50+ 6.85 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 8.03 EUR
100+ 7.2 EUR
500+ 6.81 EUR
1000+ 5.88 EUR
2000+ 5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.18 EUR
10+ 9.39 EUR
100+ 7.6 EUR
500+ 6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.01 EUR
25+ 7.39 EUR
50+ 6.85 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 252W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
69+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.68 EUR
10+ 12.06 EUR
50+ 10.53 EUR
100+ 9.28 EUR
250+ 9.07 EUR
500+ 8.14 EUR
1000+ 6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.66 EUR
25+ 6.14 EUR
50+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.94 EUR
10+ 11.7 EUR
100+ 9.46 EUR
500+ 8.41 EUR
1000+ 7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.63 EUR
10+ 17.21 EUR
25+ 14.95 EUR
100+ 14.01 EUR
250+ 12.38 EUR
600+ 11.15 EUR
1200+ 10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.05 EUR
10+ 17.18 EUR
100+ 14.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.76 EUR
10+ 13.26 EUR
25+ 13.03 EUR
100+ 11.83 EUR
300+ 10.11 EUR
600+ 9.41 EUR
1200+ 7.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.01 EUR
25+ 6.47 EUR
50+ 6 EUR
100+ 5.57 EUR
250+ 5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.44 EUR
10+ 12.98 EUR
100+ 10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.9 EUR
82+ 1.86 EUR
100+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.79 EUR
25+ 7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.45 EUR
10+ 14.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.79 EUR
25+ 7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.22 EUR
32+ 4.81 EUR
50+ 4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.29 EUR
10+ 6.95 EUR
100+ 5.62 EUR
500+ 5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.11 EUR
10+ 6.81 EUR
25+ 6.79 EUR
100+ 5.51 EUR
500+ 4.91 EUR
1000+ 4.19 EUR
2000+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.63 EUR
10+ 5.59 EUR
25+ 5.49 EUR
100+ 4.52 EUR
250+ 4.45 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 5.66 EUR
100+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020KNX
Produktcode: 181658		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.65 EUR
10+ 9.77 EUR
100+ 7.9 EUR
500+ 7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.68 EUR
50+ 4.34 EUR
100+ 4.04 EUR
250+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.41 EUR
10+ 9.57 EUR
50+ 9.39 EUR
100+ 7.75 EUR
250+ 7.59 EUR
500+ 6.86 EUR
1000+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.32 EUR
26+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.8 EUR
10+ 16.1 EUR
100+ 13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.31 EUR
25+ 6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET. R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+ 11.61 EUR
100+ 9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.57 EUR
10+ 11.39 EUR
25+ 11.05 EUR
100+ 9.18 EUR
300+ 8.92 EUR
600+ 8.16 EUR
1200+ 6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.8 EUR
25+ 6.28 EUR
50+ 5.81 EUR
100+ 5.4 EUR
250+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.37 EUR
10+ 13.18 EUR
100+ 10.98 EUR
500+ 9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.05 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 11.73 EUR
100+ 10.79 EUR
250+ 10.14 EUR
500+ 9.49 EUR
1000+ 8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.59 EUR
52+ 2.92 EUR
100+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.14 EUR
10+ 8.5 EUR
25+ 8.03 EUR
100+ 6.89 EUR
250+ 6.5 EUR
500+ 6.19 EUR
1000+ 5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.84 EUR
10+ 9.74 EUR
100+ 7.98 EUR
500+ 6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.74 EUR
50+ 3.47 EUR
100+ 3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.26 EUR
50+ 3.03 EUR
100+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.53 EUR
10+ 7.17 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.16 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 12A MOSFET
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.4 EUR
10+ 7.38 EUR
50+ 6.24 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 5.04 EUR
1000+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.44 EUR
10+ 12.97 EUR
100+ 10.49 EUR
500+ 9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.46 EUR
50+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.16 EUR
10+ 12.71 EUR
25+ 12.01 EUR
100+ 10.3 EUR
250+ 9.72 EUR
600+ 9.15 EUR
1200+ 7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.6 EUR
25+ 6.09 EUR
50+ 5.64 EUR
100+ 5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.36 EUR
10+ 6.16 EUR
25+ 5.82 EUR
100+ 5.02 EUR
250+ 4.71 EUR
500+ 4.45 EUR
1000+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9 EUR
10+ 7.57 EUR
100+ 6.12 EUR
500+ 5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 7.05 EUR
100+ 6.03 EUR
250+ 5.69 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.53 EUR
50+ 4.2 EUR
100+ 3.91 EUR
250+ 3.65 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.84 EUR
10+ 7.44 EUR
25+ 7.05 EUR
100+ 6.03 EUR
250+ 5.69 EUR
500+ 5.43 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.64 EUR
50+ 4.3 EUR
100+ 4 EUR
250+ 3.73 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.9 EUR
50+ 10.21 EUR
100+ 8.76 EUR
500+ 7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.97 EUR
10+ 10.89 EUR
50+ 10.76 EUR
100+ 8.81 EUR
250+ 8.71 EUR
500+ 7.83 EUR
1000+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.33 EUR
26+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 24A TO-247
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.69 EUR
10+ 12.32 EUR
25+ 11.62 EUR
100+ 9.96 EUR
250+ 9.41 EUR
600+ 8.84 EUR
1200+ 7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.65 EUR
29+ 5.22 EUR
50+ 4.83 EUR
100+ 4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.95 EUR
10+ 12.55 EUR
100+ 10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.83 EUR
24+ 6.4 EUR
50+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.25 EUR
25+ 6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6024ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.82 EUR
10+ 12.45 EUR
25+ 12.06 EUR
100+ 10.06 EUR
300+ 9.75 EUR
600+ 8.94 EUR
1200+ 7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+ 12.66 EUR
100+ 10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.68 EUR
30+ 5.17 EUR
50+ 4.57 EUR
200+ 4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6024ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6024ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.47 EUR
30+ 5.05 EUR
50+ 4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHMDescription: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 7.83 EUR
25+ 7.07 EUR
100+ 6.34 EUR
250+ 5.98 EUR
500+ 5.64 EUR
1000+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6024KNXROHMDescription: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.63 EUR
10+ 5.51 EUR
100+ 4.39 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 2.96 EUR
5000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6024KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6024KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+ 5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.97 EUR
10+ 10.89 EUR
50+ 10.76 EUR
100+ 8.81 EUR
250+ 8.71 EUR
500+ 7.83 EUR
1000+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6024KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.97 EUR
56+ 2.73 EUR
100+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53
R6024KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 970 Stücke:
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3+12.9 EUR
50+ 10.21 EUR
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500+ 7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
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R6024KNZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 313 Stücke:
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R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
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23+6.85 EUR
25+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24AHIGH-SWITCH MOSFET
auf Bestellung 1193 Stücke:
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4+15.63 EUR
10+ 13.39 EUR
50+ 13.26 EUR
100+ 11.15 EUR
250+ 11.08 EUR
500+ 9.85 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
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16+9.87 EUR
25+ 9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.89 EUR
10+ 13.63 EUR
100+ 11.36 EUR
500+ 10.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+ 12.66 EUR
100+ 10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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21+7.66 EUR
25+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6024KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.82 EUR
10+ 12.45 EUR
25+ 12.06 EUR
100+ 10.06 EUR
300+ 9.75 EUR
600+ 8.94 EUR
1200+ 7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6024KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6024VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A HIGH-SPEED DIODE
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.13 EUR
10+ 11.57 EUR
50+ 9.8 EUR
100+ 8.89 EUR
250+ 8.42 EUR
500+ 7.9 EUR
1000+ 6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
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42+3.76 EUR
50+ 3.49 EUR
100+ 3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.9 EUR
50+ 10.23 EUR
100+ 8.77 EUR
500+ 7.79 EUR
1000+ 6.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
R6024VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.31 EUR
50+ 8.97 EUR
100+ 7.69 EUR
500+ 6.84 EUR
1000+ 5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.127 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.54 EUR
10+ 10.14 EUR
50+ 8.58 EUR
100+ 7.8 EUR
250+ 7.38 EUR
500+ 6.94 EUR
1000+ 5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.3 EUR
50+ 3.06 EUR
100+ 2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6025ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8
Produktcode: 131473		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.21 EUR
25+ 9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6025ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9
Produktcode: 118196		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.37 EUR
25+ 8.65 EUR
50+ 8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.37 EUR
25+ 8.65 EUR
50+ 8.01 EUR
100+ 7.44 EUR
250+ 6.93 EUR
500+ 6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.12 EUR
10+ 13.55 EUR
50+ 12.79 EUR
100+ 10.95 EUR
250+ 10.35 EUR
500+ 9.75 EUR
1000+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6025JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.48 EUR
10+ 13.83 EUR
100+ 11.19 EUR
500+ 9.94 EUR
1000+ 8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.87 EUR
57+ 2.65 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 55
R6025JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.57 EUR
10+ 19.34 EUR
100+ 16.12 EUR
500+ 14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.98 EUR
25+ 7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6025JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.9 EUR
25+ 7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.74 EUR
10+ 14.38 EUR
25+ 14.17 EUR
100+ 13.47 EUR
300+ 11.26 EUR
600+ 10.53 EUR
1200+ 9.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6025JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.43 EUR
10+ 14.08 EUR
100+ 11.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.77 EUR
25+ 8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.6 EUR
10+ 16.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13 EUR
10+ 10.92 EUR
25+ 10.32 EUR
100+ 8.84 EUR
250+ 8.37 EUR
500+ 7.88 EUR
1000+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6027YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.49 EUR
10+ 11.34 EUR
25+ 10.69 EUR
100+ 9.15 EUR
250+ 8.66 EUR
500+ 8.16 EUR
1000+ 6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.75 EUR
10+ 11.54 EUR
100+ 9.34 EUR
500+ 8.3 EUR
1000+ 7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.72 EUR
10+ 12.35 EUR
25+ 11.67 EUR
100+ 10.01 EUR
250+ 9.46 EUR
600+ 8.03 EUR
1200+ 7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+355.81 EUR
R603-000-001HammondR603-000-001
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.81 EUR
100+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
R6030PHIQFN
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+413.4 EUR
R6030PHILIPS04+
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1128.4 EUR
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.82 EUR
25+ 6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 7.93 EUR
25+ 7.54 EUR
100+ 7.44 EUR
250+ 7.33 EUR
500+ 6.79 EUR
5000+ 6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.16 EUR
50+ 12.1 EUR
100+ 10.83 EUR
500+ 9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.26 EUR
10+ 13.1 EUR
50+ 12.69 EUR
100+ 10.89 EUR
250+ 10.69 EUR
500+ 9.59 EUR
1000+ 8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.61 EUR
25+ 6.1 EUR
50+ 5.65 EUR
100+ 5.25 EUR
250+ 4.89 EUR
500+ 4.56 EUR
1000+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
auf Bestellung 93 Stücke:
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R6030ENZ1C9
Produktcode: 169489		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 258 Stücke:
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R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.8 EUR
10+ 19.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+22.36 EUR
10+ 19.16 EUR
30+ 17.39 EUR
120+ 16.3 EUR
270+ 15.03 EUR
510+ 14.07 EUR
1020+ 12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.37 EUR
25+ 12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.2 EUR
10+ 13.91 EUR
25+ 13.18 EUR
100+ 11.57 EUR
300+ 11.18 EUR
600+ 10.19 EUR
1200+ 8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.4 EUR
25+ 6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.94 EUR
50+ 4.26 EUR
200+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 32
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.89 EUR
10+ 13.61 EUR
100+ 11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.02 EUR
50+ 3.65 EUR
200+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.51 EUR
10+ 16.73 EUR
25+ 15.95 EUR
100+ 13.85 EUR
250+ 13.23 EUR
500+ 12.06 EUR
1000+ 10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.15 EUR
10+ 15.55 EUR
50+ 14.09 EUR
100+ 12.95 EUR
250+ 12.19 EUR
500+ 11.44 EUR
1000+ 10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.2 EUR
25+ 6.64 EUR
50+ 6.15 EUR
100+ 5.72 EUR
250+ 5.32 EUR
500+ 4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.19 EUR
25+ 8.49 EUR
50+ 7.86 EUR
100+ 7.3 EUR
250+ 6.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.58 EUR
10+ 10.57 EUR
100+ 8.55 EUR
500+ 7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.19 EUR
25+ 8.49 EUR
50+ 7.86 EUR
100+ 7.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.36 EUR
10+ 17.06 EUR
25+ 14.48 EUR
100+ 13.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.26 EUR
10+ 14.78 EUR
100+ 12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.9 EUR
100+ 4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.6 EUR
10+ 15.08 EUR
25+ 14.69 EUR
100+ 13.68 EUR
300+ 11.83 EUR
600+ 10.97 EUR
1200+ 9.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.1 EUR
25+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.11 EUR
25+ 9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6030JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 30A POWER
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.11 EUR
25+ 9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6030JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.62 EUR
10+ 19.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030KNXROHMDescription: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6030KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.87 EUR
10+ 7.43 EUR
500+ 5.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.69 EUR
29+ 5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28