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IPP-2011

auf Bestellung 4 Stücke:

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1+	498.96 EUR

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IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

auf Bestellung 4 Stücke:

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2+	96.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP-2031

IPP-2031

auf Bestellung 21 Stücke:

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2+	88.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP-2254

IPP-2254

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	357.59 EUR

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IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	1961.17 EUR

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IPP-8063

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Directional coupler that covers 225-2500MHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби

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IPP-RB201-2R0

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RF Resistor Резистори та cбірки постійні

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IPP-RB203-300

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RF Resistor Резистори та cбірки постійні

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IPP-RB216-100

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RF Resistor Резистори та cбірки постійні

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IPP011N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V

auf Bestellung 629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.56 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP011N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 1050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP011N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.56 EUR
2000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 3508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.68 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.13 EUR
2000+	2.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.74 EUR
50+	2.89 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 1236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.59 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR
2000+	1.5 EUR

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IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Part Status: Active
Packaging: Tube

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.58 EUR
50+	1.74 EUR
100+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP014N06NF2S

IPP014N06NF2S

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.66 EUR
27+	5.34 EUR
50+	5.03 EUR
100+	4.75 EUR
250+	4.53 EUR
500+	4.34 EUR
1000+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP014N06NF2SAKMA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.58 EUR
19+	3.89 EUR
25+	2.97 EUR
27+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

auf Bestellung 567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.5 EUR
50+	3.87 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.04 EUR
51+	2.8 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.11 EUR
54+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.04 EUR
51+	2.74 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 1077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.99 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.68 EUR
1000+	3.41 EUR
2000+	3.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

auf Bestellung 3550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G IPP015N04NG

N-CH. POWER MOS TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202345

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Transistoren > MOSFET N-CH

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5 St. - erwartet

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

auf Bestellung 2912 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.77 EUR
50+	1.85 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.63 EUR
47+	1.53 EUR
49+	1.47 EUR
57+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 40V

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1+	4.35 EUR
10+	2.45 EUR
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IPP015N04NG

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IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

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IPP015N04NGXKSA1

N-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори

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IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

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3+	23.84 EUR

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IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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500+	3.46 EUR

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IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 314 Stücke:

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IPP015N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3

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1+	9.12 EUR
10+	8.52 EUR
25+	4.66 EUR
100+	4.36 EUR
500+	3.89 EUR

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IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.52 EUR
50+	4.48 EUR
100+	4.09 EUR
500+	3.41 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	1.72 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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73+	1.99 EUR
79+	1.81 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.45 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 896 Stücke:

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IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 60V

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1+	4.35 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.36 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

auf Bestellung 706 Stücke:

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5+	4.19 EUR
50+	2.07 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.51 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 855 Stücke:

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73+	1.99 EUR
79+	1.77 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.37 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202346

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 688 Stücke:

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IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.85 EUR
50+	3.53 EUR
100+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 824 Stücke:

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1+	5.77 EUR
25+	3.29 EUR
100+	3.08 EUR
250+	3.06 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	2.92 EUR

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 131000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP016N08NF2SAKMA1
Produktcode: 183516

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
JHGF: THT

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1341 Stücke:

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.06 EUR

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IPP018N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP018N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.12 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.17 EUR
28+	4.91 EUR
50+	4.39 EUR
100+	4.03 EUR
250+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.29 EUR
28+	5.09 EUR
50+	4.63 EUR
100+	4.36 EUR
250+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	5.57 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP018N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.22 EUR
123+	1.14 EUR
129+	1.04 EUR
500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

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Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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119+	1.22 EUR
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129+	1.08 EUR
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IPP019N06NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP019N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202347

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IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 60V

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1+	4.8 EUR
10+	3.1 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.72 EUR
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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

auf Bestellung 1334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
50+	3.07 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	2.11 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	1.95 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.86 EUR
79+	1.82 EUR
100+	1.76 EUR
1000+	1.7 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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45+	3.22 EUR
48+	2.97 EUR
70+	2.01 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.63 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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97+	1.5 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 1296 Stücke:

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1+	5.56 EUR
10+	2.18 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.97 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2900 Stücke:

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224+	2.42 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 224 Stücke

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 942 Stücke:

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97+	1.5 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 640 Stücke:

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45+	3.22 EUR
48+	2.9 EUR
70+	1.94 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.67 EUR
500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 127000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.99 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.22 EUR
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IPP020N03LF2SAKSA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.92 EUR
2000+	0.84 EUR
5000+	0.81 EUR

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IPP020N03LF2SAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 125A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.66 EUR
66+	1.09 EUR
85+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPP020N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP020N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPP020N06N

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.64 EUR
10+	4.42 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.57 EUR
2500+	2.43 EUR

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IPP020N06N Infineon Technologie
Produktcode: 212141

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 409 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.34 EUR
50+	3.26 EUR
100+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP020N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.26 EUR
10+	4.15 EUR
25+	2.85 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.53 EUR

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1382 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.94 EUR
50+	4.83 EUR
100+	2.67 EUR
200+	2.42 EUR
500+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

verfügbar 268 Stücke:

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP020N06NXKSA1

IPP020N06NXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.34 EUR
50+	3.26 EUR
100+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP020N06NXKSA1

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.82 EUR
10+	8.25 EUR
25+	7.78 EUR
100+	6.67 EUR
250+	6.3 EUR
500+	5.93 EUR
1000+	5.07 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.12 EUR
50+	3.97 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.7 EUR
10+	5.37 EUR
25+	4.79 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

auf Bestellung 504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.72 EUR
50+	5.19 EUR
100+	4.75 EUR
500+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.94 EUR
27+	5.43 EUR
35+	4.04 EUR
500+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.54 EUR
95+	1.42 EUR
500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP022N12NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
25+	5.67 EUR
100+	5.63 EUR
500+	4.58 EUR

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IPP022N12NM6AKSA1

N-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

auf Bestellung 6136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.43 EUR
50+	5.02 EUR
100+	4.6 EUR
500+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.84 EUR
2000+	0.79 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP023N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP023N04NG

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023N04NGHKSA1

MOSFETs MV POWER MOS

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IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

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IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.25 EUR
53+	2.66 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 169000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3

auf Bestellung 3806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.9 EUR

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.12 EUR
54+	2.65 EUR
100+	2.42 EUR
500+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.25 EUR
53+	2.73 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPP023N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N08N5

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

auf Bestellung 231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.72 EUR
50+	3.46 EUR
100+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.19 EUR
51+	2.81 EUR
100+	2.7 EUR
200+	2.48 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.01 EUR
10+	5.39 EUR
100+	4.33 EUR
500+	3.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

auf Bestellung 21500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1
Produktcode: 215527

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.69 EUR
500+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Транзистори

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	16.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 56230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	3.68 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.19 EUR
10000+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 148 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	3.68 EUR
500+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 148 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.76 EUR
10+	4.59 EUR
100+	4.17 EUR
500+	3.54 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 422 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.8 EUR
50+	4.08 EUR
100+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.47 EUR
10+	8.8 EUR
25+	8.31 EUR
100+	7.13 EUR
250+	6.72 EUR
500+	6.32 EUR
1000+	5.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023NE7N3G

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.38 EUR
19+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.38 EUR
19+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.68 EUR
10+	9.08 EUR
25+	8.55 EUR
100+	7.36 EUR
250+	6.93 EUR
500+	6.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.88 EUR
23+	6.2 EUR
100+	5.2 EUR
500+	4.48 EUR
1000+	3.89 EUR
2500+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.71 EUR
50+	4.26 EUR
100+	4.21 EUR
500+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.9 EUR
17+	8.76 EUR
100+	7.02 EUR
500+	5.85 EUR
1000+	5.06 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

201+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 201 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3G

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.07 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.9 EUR
2500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.23 EUR
14+	5.36 EUR
17+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.08 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.81 EUR
2500+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

90+	5.01 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.93 EUR
57+	2.54 EUR
59+	2.38 EUR
100+	2.01 EUR
250+	1.89 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.67 EUR
50+	2.92 EUR
100+	2.66 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
50+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.07 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.01 EUR
2000+	1.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 256000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

auf Bestellung 889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2S

N-Channel 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) TO-220 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
2000+	1.07 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2S

IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.8 EUR
25+	8.3 EUR
50+	7.81 EUR
100+	7.38 EUR
250+	7.04 EUR
500+	6.75 EUR
1000+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.7 EUR
50+	3.53 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

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1+	8.71 EUR
10+	5.7 EUR
100+	4.26 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.29 EUR
2000+	3.1 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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186+	2.93 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.28 EUR
19+	3.89 EUR
26+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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40+	3.69 EUR
50+	3.6 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.4 EUR
2000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.32 EUR
50+	3.77 EUR
100+	3.43 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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41+	3.55 EUR
50+	3.47 EUR
100+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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186+	2.93 EUR
500+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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28+	5.2 EUR
38+	3.75 EUR
40+	3.48 EUR
100+	2.66 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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35+	4.16 EUR
50+	3.02 EUR
100+	2.94 EUR
1000+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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29+	5.13 EUR
39+	3.62 EUR
41+	3.31 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.3 EUR
500+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP027N08N5XKSA1

IPP027N08N5XKSA1

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP027N08N5XKSA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP028N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.59 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.91 EUR
500+	3.5 EUR

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IPP028N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3G

IFX

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP028N08N3GHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.58 EUR
17+	8.28 EUR
25+	7.45 EUR
50+	6.66 EUR
100+	5.92 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP028N08N3GXKSA1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06N

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.8 EUR
50+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1
Produktcode: 178126

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

MOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP029N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.26 EUR
50+	11.38 EUR
100+	9.7 EUR
500+	8.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N15NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.83 EUR
10+	8.59 EUR
100+	7.3 EUR
500+	6.21 EUR
1000+	5.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

166+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 166 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.03 EUR
50+	1.45 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 60V

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IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202348

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement

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IPP030N10N

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IPP030N10N3 G

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IPP030N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP030N10N3GHKSA1

MOSFETs MV POWER MOS

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IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Транзистори

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IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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19+	7.95 EUR
50+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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50+	3.02 EUR
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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3

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IPP030N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP030N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

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IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 199 Stücke:

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18+	8.06 EUR
50+	5.8 EUR

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IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP030N10N5XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.16 EUR
15+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

auf Bestellung 948 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.64 EUR
50+	4.52 EUR
100+	4.12 EUR
500+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP030N10N5XKSA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
50+	2.15 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10NF2SAKMA1

MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.47 EUR
10+	2.55 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.82 EUR
50+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.14 EUR
223+	0.63 EUR
234+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.42 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.59 EUR

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IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.8 EUR
82+	1.7 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP032N06N3GXKSA1
Produktcode: 192070

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IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.95 EUR
48+	1.52 EUR
53+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.78 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

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IPP033N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP033N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP033N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP033N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

auf Bestellung 1087 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP033N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202349

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IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.72 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP034N03L G
Produktcode: 202350

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IPP034N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.45 EUR
500+	1.36 EUR
2500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

437+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 437 Stücke

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IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.8 EUR
50+	1.85 EUR
100+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	1.99 EUR
100+	1.42 EUR
111+	1.26 EUR
200+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	2.87 EUR
74+	1.89 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	2.83 EUR
75+	1.91 EUR
100+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.8 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

199+	2.73 EUR
500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 199 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
50+	2.52 EUR
100+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.5 EUR
10+	1.95 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
50+	2.52 EUR
100+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

IPP034N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G
Produktcode: 182613

1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT

auf Bestellung 42 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.08 EUR
10+	3.63 EUR
100+	3.29 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.63 EUR
50+	3.86 EUR
100+	3.35 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.35 EUR
2000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2905 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.6 EUR
50+	3.93 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.54 EUR
2000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.97 EUR
1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.97 EUR
1000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.13 EUR
19+	3.8 EUR
22+	3.27 EUR
25+	2.96 EUR
50+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.24 EUR
50+	4.22 EUR
100+	3.84 EUR
500+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	2.75 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.37 EUR
10000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Транзистори

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IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.46 EUR
5000+	1.41 EUR

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IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

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IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.44 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.44 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.95 EUR
10000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.08 EUR
50+	2.02 EUR
100+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.44 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPP037N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

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IPP037N08N3 G E8181

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

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IPP037N08N3G

Rochester Electronics, LLC

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

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IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP037N08N3GHKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.66 EUR
38+	1.89 EUR
54+	1.33 EUR
100+	1.3 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.8 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.84 EUR
80+	1.76 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3

auf Bestellung 2529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	2.78 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.15 EUR

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IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

auf Bestellung 2237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.07 EUR
50+	3.07 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	2.11 EUR
2000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори

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IPP038N15NM6AKSA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

auf Bestellung 1169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.81 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.72 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP038N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.37 EUR
50+	5.43 EUR
100+	4.96 EUR
500+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.15 EUR
5000+	1.1 EUR
10000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP039N04LGXKSA1
Produktcode: 202351

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.63 EUR
104+	1.34 EUR
124+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

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Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5XKSA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

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IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

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IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

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IPP03N03LAG

08+

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IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

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IPP03N03LBG

08+

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IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

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IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

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544+	0.92 EUR

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IPP0400NXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IPP040N06N

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

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IPP040N06N
Produktcode: 202352

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IPP040N06N3 G

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IPP040N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP040N06N3G

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IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

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IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

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IPP040N06N3GXK

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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376+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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116+	1.25 EUR
122+	1.17 EUR
137+	1.02 EUR
200+	0.96 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.16 EUR
135+	1.06 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.68 EUR
125+	1.12 EUR
135+	1 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.79 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1430 Stücke:

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54+	2.71 EUR
99+	1.45 EUR
111+	1.26 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	1 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 335 Stücke:

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33+	2.2 EUR
53+	1.36 EUR
57+	1.26 EUR

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 741731 Stücke:

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376+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.16 EUR
10000+	1.01 EUR
100000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 376 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
50+	1.58 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.65 EUR
98+	1.46 EUR
124+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 496 Stücke:

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1+	3.8 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.12 EUR

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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 202066

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.3 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 418 Stücke:

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63+	2.29 EUR
68+	2.1 EUR
100+	1.74 EUR
200+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

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IPP040N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.8 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.61 EUR
2500+	1.54 EUR
5000+	1.5 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 36 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1 : IPP040N06N

MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Транзистори

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IPP040N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202353

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

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IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET 60V

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Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement

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IPP040N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

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5+	4.29 EUR
50+	2.12 EUR
100+	1.9 EUR

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IPP040N06NXKSA1

MOSFETs IFX FET 60V

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IPP040N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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281+	1.93 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.55 EUR
10000+	1.35 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

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100+	1.56 EUR
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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

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IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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100+	2.24 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.61 EUR
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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

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81+	1.79 EUR
200+	1.72 EUR
750+	1.64 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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112+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 208000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 250000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04N G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.15 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP041N04NG

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

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IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
50+	1.16 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 764000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 94W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	1.7 EUR
75+	0.96 EUR
84+	0.86 EUR
91+	0.79 EUR
100+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

610+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR
10000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 610 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

610+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 610 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 260 Stücke:

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.96 EUR
10+	5.28 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.78 EUR
1000+	3.36 EUR

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IPP041N12N3G

auf Bestellung 9 Stücke:

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IPP041N12N3GXK

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	6.66 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.66 EUR
27+	5.47 EUR
36+	3.92 EUR
50+	3.22 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.06 EUR
500+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.7 EUR
26+	5.38 EUR
36+	3.8 EUR
50+	3.07 EUR
100+	2.71 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
50+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 148 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.25 EUR
10+	6.18 EUR
25+	3.87 EUR
250+	3.66 EUR
500+	3.36 EUR

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 553 Stücke

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IPP042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 11433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.49 EUR
500+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP042N03LG

TO-220 0741+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

auf Bestellung 71180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 695 Stücke

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IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.35 EUR
110+	1.3 EUR
132+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 108 Stücke

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.58 EUR
107+	1.31 EUR
109+	1.23 EUR
131+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

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IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3463 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IPP044N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 2789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP044N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3 G

auf Bestellung 86450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.93 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.52 EUR
50+	4.29 EUR
100+	4.05 EUR
250+	3.84 EUR
500+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube

auf Bestellung 969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.44 EUR
10+	2.88 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3G

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 1694 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.72 EUR
50+	2.36 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 5807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.59 EUR
10+	2.41 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.24 EUR
67+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.79 EUR
63+	2.16 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.56 EUR
37+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.57 EUR
63+	2.29 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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69+	2.11 EUR
71+	2.03 EUR

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IPP048N04N G
Produktcode: 83952

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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125+	1.16 EUR
500+	1.1 EUR

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IPP048N04NGXKSA1
Produktcode: 202354

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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126+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 126 Stücke

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IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.01 EUR

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IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1

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IPP048N06LG

08+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP048N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 777 Stücke:

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1+	6.05 EUR
10+	3.48 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.82 EUR

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.63 EUR
18+	4.05 EUR
50+	2.72 EUR
100+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.05 EUR
38+	3.55 EUR
50+	3.33 EUR
100+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.14 EUR
20+	7.17 EUR
25+	6.85 EUR
50+	6.54 EUR
100+	5.4 EUR
500+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
50+	3.74 EUR
100+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.21 EUR
31+	4.39 EUR
50+	4.06 EUR
100+	3.54 EUR
250+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.87 EUR
33+	4.26 EUR
50+	4 EUR
100+	3.58 EUR
250+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.05 EUR
38+	3.69 EUR
50+	3.52 EUR
100+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04CN10NG

07+ DIP

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
10+	8.5 EUR
100+	6.97 EUR
500+	5.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 107 Stücke

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IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP04N03LBG

INF

07+;

auf Bestellung 17600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

auf Bestellung 986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
17+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N03LF2SAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N03LF2SAKSA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.46 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP050N10NF2SAKMA1
Produktcode: 188954

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IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 546 Stücke:

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50+	2.43 EUR
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IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	1.3 EUR

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IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm

auf Bestellung 968 Stücke:

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IPP051N15N5

MOSFETs IFX FET >100-150V

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IPP051N15N5

N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 75, Qg, нКл = 83, Rds = 5,1 мОм, Ugs(th) = 20, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 300, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: PG-TO 220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

verfügbar 10 Stücke:

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IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP051N15N5AKSA1
Produktcode: 197743

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IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A

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IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP051N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP051N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3 Транзистори

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IPP051N15N5XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.41 EUR
21+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

auf Bestellung 3471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.11 EUR
50+	4.26 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP051N15N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP051N15N5XKSA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 1789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.23 EUR
10+	5.6 EUR
100+	4.93 EUR
500+	4.22 EUR
1000+	3.73 EUR

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.97 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP052N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.69 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP052N06L3G

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP052N06L3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP052N06L3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP052N06L3GXKSA1

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.31 EUR
75+	1.88 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 115W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.25 EUR
35+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 549 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.96 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N06L3GXKSA1
Produktcode: 202355

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

auf Bestellung 534 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 70 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.42 EUR
10+	4.1 EUR
25+	3.94 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.33 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.33 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

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IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.33 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8166 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 545 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.87 EUR
2500+	0.82 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP055N03LG

08+

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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IPP055N03LGHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 86 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

497+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 497 Stücke

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N03LGXKSA1
Produktcode: 202356

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.5 EUR
117+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

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IPP055N03LGXKSA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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60+	2.44 EUR
86+	1.67 EUR
113+	1.24 EUR
200+	1.15 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 182800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

238+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

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IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.57 EUR
83+	1.69 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.62 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3
Produktcode: 113416

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
JHGF: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1191 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.8 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.83 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

400+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
50+	2.24 EUR
100+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

400+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1
Produktcode: 207071

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	0.77 EUR
198+	0.72 EUR
200+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.93 EUR
87+	1.64 EUR
100+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.06 EUR
59+	2.43 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.78 EUR
2000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.34 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
50+	2.79 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1903 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.05 EUR
53+	2.66 EUR
100+	1.67 EUR
250+	1.59 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.93 EUR
87+	1.61 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IPP057N15NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP057N15NM6AKSA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

auf Bestellung 489 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.78 EUR
2500+	1.69 EUR

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IPP057N15NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 276 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.03 EUR
78+	1.83 EUR
82+	1.71 EUR
100+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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IPP057N15NM6AKSA1

Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP057N15NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 276 Stücke:

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71+	2.04 EUR
78+	1.8 EUR
82+	1.65 EUR
100+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 71 Stücke

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IPP057N15NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 133000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.03 EUR
67000+	1.83 EUR
100500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05CN10N

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 314-318 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	5.09 EUR
100+	4.17 EUR
500+	4.05 EUR

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IPP05CN10NG

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP05N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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IPP05N03LBG

07+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP060N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 136-140 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.62 EUR
250+	1.47 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.15 EUR

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IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

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Mindestbestellmenge: 284 Stücke

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.76 EUR
91+	1.58 EUR
111+	1.26 EUR
200+	1.15 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

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IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 509 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

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IPP060N06NAKSA1
Produktcode: 202357

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP060N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.64 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.48 EUR

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IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.52 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

710+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 710 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 715 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

609+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 609 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 952 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04NGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06LG

INF

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.42 EUR
50+	6.18 EUR
100+	5.68 EUR
500+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 718 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP069N20NM6AKSA1

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.37 EUR
10+	6.16 EUR
100+	5.68 EUR

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IPP06CN10L

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

208+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 208 Stücke

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IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.32 EUR
125+	1.12 EUR
143+	0.94 EUR
152+	0.85 EUR
166+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 110 Stücke

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IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06LG

08+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

400+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

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IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

310+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 310 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.29 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3 G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Packaging: Tube

auf Bestellung 714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXK

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.78 EUR
99+	1.42 EUR
102+	1.32 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.45 EUR
103+	1.38 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.12 EUR
5000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 4497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.1 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.28 EUR
94+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 266 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 68 V

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.7 EUR
50+	2.87 EUR
100+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.21 EUR
10+	4.05 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.34 EUR
2500+	2.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.16 EUR
10+	4.05 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.25 EUR
2500+	2.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.7 EUR
25+	8.21 EUR
50+	7.73 EUR
100+	7.3 EUR
250+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3G

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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39+	3.78 EUR
84+	1.7 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.51 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 1249 Stücke:

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2+	9.66 EUR
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500+	3.8 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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39+	3.79 EUR
84+	1.66 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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34+	4.32 EUR
50+	3.2 EUR

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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500+	2.25 EUR
1000+	2.13 EUR

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1
Produktcode: 122947

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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3

MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Транзистори

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IPP076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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10+	4.21 EUR
25+	3.15 EUR
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IPP076N12N3 G

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IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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41+	3.54 EUR
45+	3.2 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.58 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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35+	4.19 EUR
38+	3.83 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.83 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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19+	7.85 EUR
29+	4.92 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.56 EUR
500+	2.81 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.59 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 380 Stücke:

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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34+	4.28 EUR
38+	3.81 EUR
100+	3.1 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.28 EUR
38+	3.73 EUR
100+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.78 EUR
42+	3.35 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPP076N15N5

auf Bestellung 38500 Stücke:

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IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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15+	10.17 EUR
16+	9.03 EUR
25+	8.8 EUR
50+	8.15 EUR
100+	6.63 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
50+	2.73 EUR
100+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.36 EUR
30+	4.54 EUR
100+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 5010 Stücke:

Lieferzeit 192-196 Tag (e)

1+	8.52 EUR
25+	4.45 EUR
100+	4.19 EUR
250+	4.14 EUR
500+	3.71 EUR
1000+	3.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.27 EUR
21+	6.92 EUR
50+	5.15 EUR
200+	4.72 EUR
500+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.36 EUR
30+	4.71 EUR
100+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.26 EUR
24+	6.06 EUR
50+	4.51 EUR
200+	4.15 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5XKSA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 693 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.83 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.84 EUR
50+	2.96 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP07N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N03LG

07+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.86 EUR
223+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 168 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.63 EUR
50+	1.76 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 266000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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149+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 149 Stücke

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IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

343+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 343 Stücke

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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1000+	0.95 EUR

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IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 915 Stücke:

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IPP083N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2+	2.31 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.49 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.32 EUR
5000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

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83+	1.75 EUR
92+	1.52 EUR
104+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

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IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

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83+	1.75 EUR
92+	1.55 EUR
104+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

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IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP083N10N5AKSA1
Produktcode: 166075

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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89+	1.63 EUR
96+	1.5 EUR
113+	1.23 EUR
200+	1.14 EUR
500+	1.12 EUR

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IPP083N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 500 Stücke:

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1+	3.75 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.16 EUR

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IPP083N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.77 EUR
50+	1.85 EUR
100+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

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IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 30364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

259+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 259 Stücke

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IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP085N06LGAKSA1 - IPP085N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 371 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

385+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 385 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP085N06LGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3G

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.66 EUR
100+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.23 EUR
70+	2.04 EUR
100+	1.81 EUR
200+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.3 EUR
88+	1.59 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.76 EUR
2500+	1.67 EUR
5000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP089N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
50+	2.22 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CN10LG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP08CNE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

341+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 341 Stücke

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IPP08CNE8NG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP08CNE8NG - IPP08CNE8 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 304 Stücke

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IPP091N06N G

Description: MOSFET N-CHAN TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP093N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.24 EUR
5000+	1.18 EUR
10000+	1.14 EUR

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IPP093N06N3G

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

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IPP093N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP093N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP095N20NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.51 EUR
36+	3.95 EUR
37+	3.64 EUR
100+	3.38 EUR
500+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPP095N20NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP095N20NM6AKSA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	3.91 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03LG

TO220 10+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP096N03LGHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 13100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

831+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 831 Stücke

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IPP096N03LGHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP096N03LGHKSA1 - IPP096N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP09N03LA - IPP09N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP09N03LAHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S204AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 213 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S204AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

auf Bestellung 9616 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

151+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L-03

MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

179+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 179 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA1 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12531 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

143+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 143 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S2L03AKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 36500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 157 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.52 EUR
10+	7.66 EUR
100+	6.28 EUR
250+	6.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

120+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S4-03D

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S4-H2

MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S403DXKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S205AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S205AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

auf Bestellung 13300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 293 Stücke

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IPP100N06S205AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 293 Stücke

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IPP100N06S205AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

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IPP100N06S2L-05

MOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3 OptiMOS

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IPP100N06S2L-05

auf Bestellung 2100 Stücke:

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IPP100N06S2L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

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IPP100N06S2L05AKSA2

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 495 Stücke:

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1+	8.06 EUR
10+	4.17 EUR
100+	3.82 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.15 EUR

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IPP100N06S2L05AKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 100A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.35 EUR
200+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IPP100N06S2L05AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N06S2L05AKSA2

Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP100N06S2L05AKSA2

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP100N06S2L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.08 EUR
10+	5.36 EUR
100+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-04IN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP100N08N3G

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GXKSA1