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IPP-2011

auf Bestellung 4 Stücke:

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1+	510.57 EUR

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IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

auf Bestellung 4 Stücke:

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2+	98.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP-2031

IPP-2031

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2+	90.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP-2254

IPP-2254

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	365.90 EUR

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IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	2006.78 EUR

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IPP011N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.66 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.24 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.74 EUR
3000+	1.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP011N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 56

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

auf Bestellung 808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.26 EUR
50+	2.77 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 880 Stücke:

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1+	3.40 EUR
25+	2.69 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.34 EUR

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IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

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IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 816 Stücke:

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IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.52 EUR
10+	2.57 EUR
100+	2.22 EUR
250+	2.20 EUR
500+	1.90 EUR
1000+	1.85 EUR

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IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.09 EUR
50+	2.56 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

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IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

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IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

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IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

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IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

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IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.81 EUR
31+	4.70 EUR
33+	4.28 EUR
100+	3.52 EUR
250+	3.19 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.51 EUR
50+	3.03 EUR
100+	2.90 EUR
200+	2.74 EUR
500+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.90 EUR
10+	6.48 EUR
25+	3.70 EUR
100+	3.40 EUR
500+	2.90 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.56 EUR
50+	3.72 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

auf Bestellung 3550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.29 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.94 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.45 EUR
10000+	1.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202345

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

auf Bestellung 768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
50+	2.10 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NG

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.12 EUR
10+	8.52 EUR
25+	4.66 EUR
100+	4.36 EUR
500+	3.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.47 EUR
50+	4.99 EUR
100+	4.56 EUR
500+	3.80 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.76 EUR
500+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 316 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

auf Bestellung 841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.19 EUR
50+	2.56 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.04 EUR
79+	1.81 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 73

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IPP016N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202346

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.04 EUR
79+	1.81 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 73

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IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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85+	1.76 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.78 EUR

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 824 Stücke:

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1+	5.77 EUR
25+	3.29 EUR
100+	3.08 EUR
250+	3.06 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	2.92 EUR

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IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.83 EUR
50+	3.52 EUR
100+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 131000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP016N08NF2SAKMA1
Produktcode: 183516

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
JHGF: THT

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IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

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IPP018N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.40 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.29 EUR
28+	5.02 EUR
50+	4.49 EUR
100+	4.12 EUR
250+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.29 EUR
28+	5.02 EUR
50+	4.49 EUR
100+	4.12 EUR
250+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 231 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.84 EUR
50+	6.36 EUR
100+	5.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 323 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.76 EUR
50+	6.32 EUR
100+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	5.70 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 41000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.70 EUR
50+	1.99 EUR
100+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.25 EUR
123+	1.16 EUR
129+	1.07 EUR
500+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 119

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202347

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.25 EUR
123+	1.16 EUR
129+	1.07 EUR
500+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 119

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.30 EUR
48+	2.97 EUR
70+	1.98 EUR
100+	1.79 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	2.48 EUR
500+	2.30 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 224

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.90 EUR
36+	1.99 EUR
40+	1.83 EUR
50+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.30 EUR
48+	2.97 EUR
70+	1.98 EUR
100+	1.79 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPP019N08NF2SAKMA1

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.90 EUR
36+	1.99 EUR
40+	1.83 EUR
50+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1812 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 127000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.25 EUR
2000+	1.20 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

auf Bestellung 791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.65 EUR
50+	2.57 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.46 EUR
10+	4.03 EUR
25+	3.08 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.60 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.90 EUR
79+	1.82 EUR
100+	1.73 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

auf Bestellung 877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
10+	1.77 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.90 EUR
5000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06N

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.63 EUR
10+	4.73 EUR
25+	4.47 EUR
100+	3.84 EUR
250+	3.61 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	2.90 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.84 EUR
55+	2.62 EUR
100+	2.35 EUR
200+	2.14 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 39

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.25 EUR
35+	4.11 EUR
47+	2.97 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
10+	5.68 EUR
25+	3.34 EUR
100+	3.12 EUR
250+	3.03 EUR
500+	2.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.30 EUR
35+	4.16 EUR
46+	3.00 EUR
100+	2.50 EUR
250+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

auf Bestellung 487 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.77 EUR
50+	3.47 EUR
100+	3.30 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

IPP020N06NXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

SP005573707

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.93 EUR
50+	3.56 EUR
100+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.82 EUR
10+	8.25 EUR
25+	7.78 EUR
100+	6.67 EUR
250+	6.30 EUR
500+	5.93 EUR
1000+	5.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

auf Bestellung 544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.11 EUR
50+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.06 EUR
73+	1.97 EUR
77+	1.79 EUR
500+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 72

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 46

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.70 EUR
10+	5.37 EUR
25+	4.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.95 EUR
12+	6.26 EUR
15+	4.80 EUR
16+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.95 EUR
12+	6.26 EUR
15+	4.80 EUR
16+	4.53 EUR
250+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.00 EUR
75+	1.91 EUR
80+	1.74 EUR
500+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 46

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.51 EUR
10+	8.50 EUR
100+	6.23 EUR
500+	5.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP022N12NM6AKSA1

N-channel MOSFET

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IPP022N12NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.55 EUR
10+	8.03 EUR
100+	5.97 EUR
500+	5.72 EUR

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 0.00235 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.79 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.20 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPP023N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP023N04NG

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023N04NG

auf Bestellung 405 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023N04NGHKSA1

MOSFETs MV POWER MOS

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IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

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IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.32 EUR
53+	2.72 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 169000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP023N04NGXKSA1

IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.20 EUR
54+	2.66 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 47

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IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.33 EUR
53+	2.73 EUR
100+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3

auf Bestellung 3806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.90 EUR

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IPP023N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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IPP023N08N5

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.29 EUR
51+	2.81 EUR
100+	2.66 EUR
200+	2.40 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.99 EUR
10+	6.12 EUR
25+	3.82 EUR
100+	3.48 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.82 EUR

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IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 854 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

auf Bestellung 352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.95 EUR
50+	3.69 EUR
100+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

auf Bestellung 21500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.05 EUR
22+	6.74 EUR
50+	5.88 EUR
100+	5.36 EUR
200+	4.89 EUR
500+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.52 EUR
50+	4.46 EUR
100+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.47 EUR
10+	8.80 EUR
25+	8.31 EUR
100+	7.13 EUR
250+	6.72 EUR
500+	6.32 EUR
1000+	5.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3G

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.71 EUR
50+	4.26 EUR
100+	4.21 EUR
500+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.13 EUR
17+	8.77 EUR
100+	6.92 EUR
500+	5.67 EUR
1000+	4.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.57 EUR
19+	7.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.57 EUR
19+	7.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.68 EUR
10+	9.08 EUR
25+	8.55 EUR
100+	7.36 EUR
250+	6.93 EUR
500+	6.42 EUR

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.04 EUR
23+	6.34 EUR
100+	5.32 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	3.98 EUR
2500+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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IPP024N06N3G

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

201+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 201

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IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

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IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.74 EUR
13+	5.79 EUR
18+	4.03 EUR
19+	3.80 EUR
250+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP024N06N3GXKSA1

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.74 EUR
13+	5.79 EUR
18+	4.03 EUR
19+	3.80 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.15 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.87 EUR
2500+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

108+	4.53 EUR

Mindestbestellmenge: 108

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.14 EUR
500+	3.00 EUR
1000+	2.86 EUR
2500+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 48

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 12250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP024N06N3GXKSA1

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IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

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IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.84 EUR
50+	2.62 EUR
100+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 256000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.00 EUR
57+	2.54 EUR
59+	2.35 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.75 EUR
50+	2.93 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.00 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.23 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
2000+	1.07 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.08 EUR
25+	8.38 EUR
50+	7.76 EUR
100+	7.21 EUR
250+	6.71 EUR
500+	6.25 EUR
1000+	5.84 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.71 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 598 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.49 EUR
10+	6.48 EUR
25+	3.70 EUR
100+	3.48 EUR
250+	3.31 EUR
500+	2.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.44 EUR
50+	3.60 EUR
100+	3.44 EUR
500+	2.88 EUR
1000+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.89 EUR
44+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.41 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.32 EUR
38+	3.75 EUR
40+	3.43 EUR
100+	2.58 EUR
250+	2.39 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

70+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.26 EUR
50+	3.02 EUR
100+	2.90 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.25 EUR
39+	3.71 EUR
41+	3.39 EUR
100+	2.55 EUR
250+	2.35 EUR
500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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IPP027N08N5AKSA1

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IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

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IPP027N08N5XKSA1

IPP027N08N5XKSA1

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IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

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IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

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IPP028N08N3 G

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.28 EUR
25+	8.15 EUR
100+	6.85 EUR
500+	6.07 EUR
1000+	4.89 EUR

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IPP028N08N3G

IFX

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPP028N08N3GHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP028N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.80 EUR
17+	8.47 EUR
25+	7.62 EUR
50+	6.82 EUR
100+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP028N08N3GXKSA1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 12895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP029N06N

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

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IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

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IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP029N06NAKSA1
Produktcode: 178126

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

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IPP029N06NAKSA1

IPP029N06NAKSA1 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V

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IPP029N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP029N06NXKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.26 EUR
50+	11.38 EUR
100+	9.70 EUR
500+	8.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.20 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	1.00 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202348

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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235+	0.61 EUR
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IPP030N10N

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IPP030N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP030N10N3 G

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IPP030N10N3GHKSA1

MOSFETs MV POWER MOS

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IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

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IPP030N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3

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10+	7.94 EUR
25+	4.73 EUR
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250+	3.84 EUR

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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32+	4.69 EUR

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IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	23.84 EUR
5+	14.30 EUR
12+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

auf Bestellung 633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.87 EUR
50+	4.82 EUR
100+	4.50 EUR
500+	3.75 EUR

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IPP030N10N3GXKSA1

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3+	23.84 EUR

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

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45+	3.32 EUR
50+	3.17 EUR
100+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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45+	3.34 EUR
50+	3.19 EUR
100+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPP030N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

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IPP030N10N5AKSA1

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 142

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IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

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IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

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IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.29 EUR
50+	3.81 EUR
100+	3.47 EUR
500+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP030N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP030N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V

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IPP030N10NF2SAKMA1

StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V

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IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPP032N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.06 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.80 EUR
1000+	1.60 EUR

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IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.69 EUR
100+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.72 EUR
66+	1.09 EUR
70+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	1.23 EUR
129+	1.11 EUR
135+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 120

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IPP032N06N3GXKSA1
Produktcode: 192070

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.93 EUR
50+	2.45 EUR
100+	2.21 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 87

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	22.88 EUR

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	1.23 EUR
129+	1.11 EUR
135+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 120

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IPP032N06N3GXKSA1

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.72 EUR
66+	1.09 EUR
70+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 47000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.04 EUR
88+	1.63 EUR
100+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.10 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.72 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP033N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 180 Stücke:

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2+	1.75 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.72 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 899 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

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IPP033N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202349

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034N03L G
Produktcode: 202350

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP034N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 444 Stücke:

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2+	2.52 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.45 EUR
500+	1.36 EUR
2500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1250 Stücke:

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437+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 437

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IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

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IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

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IPP034N03LGXKSA1

IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 247 Stücke:

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IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.04 EUR
100+	1.43 EUR
111+	1.24 EUR
200+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.80 EUR
50+	1.85 EUR
100+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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IPP034N03LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR
50+	2.78 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.80 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.70 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.20 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
50+	2.35 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

IPP034N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G
Produktcode: 182613

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT

auf Bestellung 6 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	5.46 EUR
25+	3.08 EUR
100+	2.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.74 EUR
76+	1.89 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 54

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

187+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 187

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.86 EUR
22+	3.40 EUR
25+	2.95 EUR
26+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034NE7N3GXKSA1

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19+	3.86 EUR
22+	3.40 EUR
25+	2.95 EUR
26+	2.79 EUR
250+	2.69 EUR

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1059 Stücke:

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54+	2.77 EUR
75+	1.91 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 54

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IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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500+	2.42 EUR

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IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 75 Stücke:

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3+	6.88 EUR
50+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

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30+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 608 Stücke:

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1+	3.22 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.46 EUR
5000+	1.41 EUR

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IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5130 Stücke:

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66+	2.27 EUR
71+	2.02 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
2500+	0.99 EUR
5000+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 66

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1040 Stücke:

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IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5130 Stücke:

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70+	2.12 EUR
76+	1.89 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.00 EUR
2500+	0.92 EUR
5000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IPP037N06L3GXKSA1

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IPP037N06L3GXKSA1

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPP037N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

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IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPP037N08N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

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IPP037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

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IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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IPP037N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3

auf Bestellung 4682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	4.22 EUR
25+	3.13 EUR
100+	2.85 EUR
250+	2.62 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.15 EUR

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IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3.06 EUR
40+	1.79 EUR
52+	1.40 EUR
55+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.77 EUR
55+	2.63 EUR
61+	2.26 EUR
100+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 54

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.74 EUR
41+	3.54 EUR
48+	2.91 EUR
50+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.09 EUR
56+	2.58 EUR
100+	2.37 EUR
200+	2.26 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.06 EUR
40+	1.79 EUR
52+	1.40 EUR
55+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.80 EUR
54+	2.65 EUR
61+	2.28 EUR
100+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.18 EUR
56+	2.58 EUR
100+	2.35 EUR
200+	2.24 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

auf Bestellung 1033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.35 EUR
50+	3.07 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.90 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.15 EUR
5000+	1.10 EUR
10000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	1.46 EUR
63+	1.14 EUR
76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.67 EUR
104+	1.38 EUR
124+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP039N04LGXKSA1
Produktcode: 202351

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IPP039N04LGXKSA1

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.46 EUR
63+	1.14 EUR
76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR
500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.42 EUR
125+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 105

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 138000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP039N10N5AKSA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.09 EUR
25+	3.40 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.76 EUR

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IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

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IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.72 EUR
50+	3.28 EUR
100+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

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IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

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IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

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IPP03N03LAG

08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

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IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IPP03N03LBG

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 544

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IPP0400NXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 544

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IPP040N06N
Produktcode: 202352

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IPP040N06N

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.70 EUR
10+	2.60 EUR
100+	1.97 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.42 EUR

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IPP040N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.00 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.54 EUR

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IPP040N06N3 G

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3G

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXK

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	7.04 EUR
10+	6.34 EUR
100+	5.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.69 EUR
98+	1.46 EUR
124+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.92 EUR
50+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	2.32 EUR
40+	1.80 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.28 EUR
122+	1.17 EUR
137+	1.01 EUR
200+	0.93 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 116

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.51 EUR
10+	2.16 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

31+	2.32 EUR
40+	1.80 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.68 EUR
98+	1.46 EUR
124+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 202066

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IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP040N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	2.25 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.35 EUR
68+	2.10 EUR
100+	1.72 EUR
200+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06NAKSA1

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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88+	1.68 EUR
97+	1.48 EUR
106+	1.30 EUR
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IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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88+	1.69 EUR
96+	1.49 EUR
106+	1.31 EUR
500+	1.14 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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122+	1.22 EUR
144+	0.99 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.66 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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2+	1.92 EUR
10+	1.23 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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152+	0.98 EUR
163+	0.88 EUR
180+	0.76 EUR
500+	0.68 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 100 Stücke:

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 820 Stücke:

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163+	0.91 EUR
180+	0.79 EUR
500+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 163

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IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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122+	1.21 EUR
145+	0.99 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.65 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202353

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	0.77 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

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IPP040N06NXKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

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81+	1.84 EUR
200+	1.72 EUR
750+	1.62 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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112+	1.32 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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10+	2.24 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.63 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 208000 Stücke:

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1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.66 EUR

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 377 Stücke:

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88+	1.68 EUR
90+	1.60 EUR
100+	1.54 EUR
200+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.73 EUR
50+	1.57 EUR
100+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP041N04N G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP041N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.85 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP041N04NG

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

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IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

auf Bestellung 415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N04NGXKSA1

IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.48 EUR
117+	1.23 EUR
138+	1.00 EUR
500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 101

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 773500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.27 EUR
138+	1.03 EUR
500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 117

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 577 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.78 EUR
10+	5.86 EUR
25+	5.21 EUR
100+	4.54 EUR
250+	4.36 EUR
500+	3.70 EUR
1000+	3.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3G

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXK

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.86 EUR
26+	5.51 EUR
36+	3.89 EUR
50+	3.15 EUR
100+	2.77 EUR
250+	1.91 EUR
500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 148

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1 THT N channel transistors

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.00 EUR
50+	3.94 EUR
100+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N12N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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250+	1.90 EUR
500+	1.80 EUR

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPP042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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10+	1.90 EUR
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IPP042N03LG

TO-220 0741+

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IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

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IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

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8+	2.38 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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92+	1.62 EUR
107+	1.34 EUR
109+	1.26 EUR
131+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 92

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 79W
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 48 Stücke:

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44+	1.64 EUR
48+	1.49 EUR

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IPP042N03LGXKSA1

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44+	1.64 EUR
48+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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108+	1.38 EUR
110+	1.30 EUR
132+	1.05 EUR

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IPP044N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

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2+	1.42 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP044N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.32 EUR
13+	1.47 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IPP045N10N3 G

auf Bestellung 86450 Stücke:

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IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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42+	3.52 EUR
50+	3.27 EUR
100+	3.04 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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IPP045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 4655 Stücke:

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1+	4.96 EUR
10+	4.17 EUR
25+	3.92 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.31 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.55 EUR

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IPP045N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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4+	4.86 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP045N10N3G

auf Bestellung 254 Stücke:

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IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 103

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 6454 Stücke:

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1+	4.22 EUR
10+	4.14 EUR
25+	2.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
50+	1.82 EUR
100+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.05 EUR
27+	2.72 EUR
35+	2.09 EUR
37+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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IPP045N10N3GXKSA1

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3.05 EUR
27+	2.72 EUR
35+	2.09 EUR
37+	1.97 EUR
250+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.29 EUR
67+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.85 EUR
63+	2.21 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.16 EUR
71+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1730 Stücke:

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IPP048N04N G
Produktcode: 83952

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IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 126

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IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.18 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP048N04NGXKSA1

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IPP048N04NGXKSA1
Produktcode: 202354

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

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IPP048N06LG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP048N06LG

08+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP048N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	4.86 EUR
25+	3.12 EUR

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.33 EUR
20+	7.17 EUR
25+	6.75 EUR
50+	6.34 EUR
100+	5.10 EUR
500+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.33 EUR
31+	4.49 EUR
50+	4.15 EUR
100+	3.62 EUR
250+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.88 EUR
27+	2.67 EUR
29+	2.53 EUR
500+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.98 EUR
33+	4.20 EUR
50+	3.88 EUR
100+	3.39 EUR
250+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.14 EUR
38+	3.63 EUR
50+	3.41 EUR
100+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IPP048N12N3GXKSA1

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.88 EUR
27+	2.67 EUR
29+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.64 EUR
50+	3.44 EUR
100+	3.13 EUR
500+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.14 EUR
38+	3.63 EUR
50+	3.41 EUR
100+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IPP04CN10NG

07+ DIP

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
10+	8.50 EUR
100+	6.97 EUR
500+	5.67 EUR

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IPP04CN10NGXKSA1

IPP04CN10NG THT N channel transistors

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IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V

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IPP04N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

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IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

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IPP04N03LBG

INF

07+;

auf Bestellung 17600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP050N03LF2SAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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IPP050N03LF2SAKSA1

IPP050N03LF2SAKSA1

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IPP050N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
14+	1.29 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPP050N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.30 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.57 EUR
5000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 66

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1
Produktcode: 188954

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.50 EUR
50+	1.71 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP051N15N5

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

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IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 600 Stücke:

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1+	9.35 EUR
25+	5.10 EUR
100+	4.51 EUR
500+	4.28 EUR

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IPP051N15N5XKSA1

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IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.87 EUR
50+	4.65 EUR
100+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP051N15N5XKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP051N15N5XKSA1

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auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.77 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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IPP051N15N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

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IPP052N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.69 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.33 EUR

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IPP052N06L3G

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP052N06L3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

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IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

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IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GXKSA1

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IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2.03 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.01 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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IPP052N06L3GXKSA1

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

36+	2.03 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.10 EUR
250+	1.07 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IPP052N06L3GXKSA1
Produktcode: 202355

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.36 EUR
75+	1.92 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 63

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IPP052N08N5

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.88 EUR
50+	3.04 EUR
100+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 601 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.22 EUR
71+	2.02 EUR
100+	1.73 EUR
250+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 67

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.50 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 43

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IPP052N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

auf Bestellung 534 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N08N5AKSA1

IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.22 EUR
71+	2.02 EUR
100+	1.73 EUR
250+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 67

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IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

auf Bestellung 4313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.43 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPP052NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.42 EUR
10+	4.10 EUR
25+	3.94 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.22 EUR

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IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP052NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 4482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.89 EUR
50+	2.49 EUR
100+	2.26 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.30 EUR
8+	8.94 EUR
10+	7.15 EUR
21+	3.40 EUR
50+	2.09 EUR
250+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 71

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP052NE7N3GXKSA1

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	14.30 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP055N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.80 EUR
5000+	0.77 EUR

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IPP055N03LG

08+

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IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

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IPP055N03LGHKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

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IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

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IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

53+	1.37 EUR
67+	1.07 EUR
102+	0.71 EUR
108+	0.67 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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IPP055N03LGXKSA1
Produktcode: 202356

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP055N03LGXKSA1

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.37 EUR
67+	1.07 EUR
102+	0.71 EUR
108+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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IPP055N03LGXKSA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	1.78 EUR
90+	1.59 EUR
102+	1.36 EUR
200+	1.23 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 84

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IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 94-98 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.14 EUR
138+	1.04 EUR
147+	0.94 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 130

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IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.85 EUR
50+	1.82 EUR
100+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.14 EUR
138+	1.04 EUR
147+	0.94 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 130

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 272000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

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IPP057N06N3
Produktcode: 113416

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
JHGF: THT

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IPP057N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1191 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.80 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.83 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	1.60 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.80 EUR
50+	1.43 EUR
72+	1.00 EUR
76+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

400+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 400

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1
Produktcode: 207071

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	0.79 EUR
198+	0.72 EUR
200+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

400+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 400

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.80 EUR
50+	1.43 EUR
72+	1.00 EUR
76+	0.94 EUR
500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
50+	2.24 EUR
100+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
50+	2.79 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.90 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.40 EUR
100+	1.80 EUR
500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 62

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.12 EUR
53+	2.73 EUR
100+	1.71 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.97 EUR
87+	1.65 EUR
100+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1903 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.97 EUR
87+	1.65 EUR
100+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.13 EUR
59+	2.44 EUR
100+	2.21 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 48

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IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP05CN10N

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 314-318 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	5.09 EUR
100+	4.17 EUR
500+	4.05 EUR

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IPP05CN10NG

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

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IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP05CN10NGXKSA1

IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors

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IPP05N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP05N03LBG

07+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP060N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 136-140 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.62 EUR
250+	1.47 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.15 EUR

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.80 EUR
91+	1.58 EUR
111+	1.24 EUR
200+	1.12 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP060N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.64 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.48 EUR

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

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IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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IPP060N06NAKSA1
Produktcode: 202357

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IPP060N06NXKSA1

SP005573716

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IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.52 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.87 EUR

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IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

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IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP062NE7N3GXKSA1

IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

866+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 866

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IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

742+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 742

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 952

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04NGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06LG

INF

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.53 EUR
50+	8.50 EUR
100+	7.46 EUR
500+	7.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.92 EUR
10+	9.77 EUR
100+	7.37 EUR
500+	7.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP069N20NM6AKSA1

Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 0.0063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP06CN10L

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

208+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 208

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

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IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.35 EUR
125+	1.14 EUR
143+	0.97 EUR
152+	0.87 EUR
166+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

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IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

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IPP070N06

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06LG

08+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP070N06LG

INF

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

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IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

400+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 400

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

310+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3 G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.80 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Packaging: Tube

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.51 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXK

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 1038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.14 EUR
50+	2.09 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.97 EUR
77+	1.86 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.08 EUR
2000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.10 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	2.13 EUR
76+	1.88 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.08 EUR
2000+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 70

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.10 EUR
39+	1.83 EUR
5000+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 2152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.80 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.50 EUR
2500+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 169000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4752 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.97 EUR
77+	1.86 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.08 EUR
2000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.31 EUR
100+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

auf Bestellung 466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.17 EUR
50+	2.58 EUR
100+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.85 EUR
25+	7.24 EUR
50+	6.71 EUR
100+	6.23 EUR
250+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.30 EUR
10+	6.14 EUR
25+	5.79 EUR
100+	4.96 EUR
250+	4.89 EUR
500+	4.15 EUR
1000+	3.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3G

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP075N15N3G

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IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

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IPP075N15N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3

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IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.61 EUR
18+	4.13 EUR
19+	3.90 EUR
1000+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 199 Stücke:

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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40+	3.75 EUR
63+	2.27 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.80 EUR
2000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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IPP075N15N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1543 Stücke:

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1+	8.54 EUR
10+	8.45 EUR
25+	4.54 EUR
100+	4.15 EUR
500+	3.56 EUR

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP075N15N3GXKSA1
Produktcode: 122947

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 469 Stücke:

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32+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 77 Stücke:

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3+	6.28 EUR
50+	3.20 EUR

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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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40+	3.74 EUR
63+	2.27 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.79 EUR
2000+	1.54 EUR

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IPP075N15N3GXKSA1

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18+	4.13 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP076N12N3 G

auf Bestellung 3800 Stücke:

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IPP076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 435 Stücke:

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1+	4.80 EUR
10+	4.21 EUR
25+	3.15 EUR
100+	2.92 EUR
1000+	2.36 EUR

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IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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35+	4.29 EUR
38+	3.84 EUR
100+	3.16 EUR
500+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1400 Stücke:

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19+	8.03 EUR
29+	4.93 EUR
50+	3.83 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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34+	4.38 EUR
38+	3.82 EUR
100+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 34

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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34+	4.38 EUR
38+	3.82 EUR
100+	3.06 EUR

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IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.87 EUR
42+	3.42 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.62 EUR
45+	3.20 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.50 EUR

Mindestbestellmenge: 41

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IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IPP076N15N5

auf Bestellung 38500 Stücke:

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IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.49 EUR
30+	4.64 EUR
100+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.46 EUR
21+	6.93 EUR
50+	5.08 EUR
200+	4.58 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.49 EUR
30+	4.64 EUR
100+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.43 EUR
24+	6.07 EUR
50+	4.45 EUR
200+	4.02 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.97 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP076N15N5AKSA1

IPP076N15N5 THT N channel transistors

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.48 EUR
21+	3.53 EUR
22+	3.35 EUR
1000+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.40 EUR
16+	9.04 EUR
25+	8.67 EUR
50+	7.90 EUR
100+	6.26 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP076N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 5010 Stücke:

Lieferzeit 192-196 Tag (e)

1+	8.52 EUR
25+	4.45 EUR
100+	4.19 EUR
250+	4.14 EUR
500+	3.71 EUR
1000+	3.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP07N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N03LG

07+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

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IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 223

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 266000 Stücke:

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1000+	1.10 EUR

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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149+	0.99 EUR

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IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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153+	0.97 EUR

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