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RF HYBRID COUPLER

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	539.57 EUR

IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	104.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP-2031

IPP-2031

auf Bestellung 21 Stücke:

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2+	95.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP-2254

IPP-2254

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	386.69 EUR

IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	2120.8 EUR

IPP-7006

100W SMD coupler operating in the frequency range 2000 - 6000 MH, Ins. loss:

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	178.56 EUR

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 60

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.48 EUR
10+	7.1 EUR
25+	6.71 EUR
100+	5.75 EUR
250+	5.43 EUR
500+	5.12 EUR
1000+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

auf Bestellung 773 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.37 EUR
50+	6.65 EUR
100+	5.7 EUR
500+	5.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 1017 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.11 EUR
11+	5.1 EUR
100+	4.06 EUR
250+	3.74 EUR
500+	3.41 EUR
1000+	2.89 EUR
2000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.01 EUR
50+	4.84 EUR
100+	3.98 EUR
500+	3.37 EUR
1000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.79 EUR
50+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.82 EUR
38+	3.99 EUR
50+	3.19 EUR
200+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.87 EUR
10+	7.44 EUR
25+	7.05 EUR
100+	6.03 EUR
250+	5.69 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

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IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET

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IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04N G

auf Bestellung 3550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP015N04N G

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

auf Bestellung 946 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.81 EUR
50+	3.85 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFET

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.89 EUR
13+	4.06 EUR
100+	3.25 EUR
250+	2.99 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.31 EUR
2000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 732 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04NG

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.88 EUR
31+	5 EUR
37+	3.98 EUR
50+	3.81 EUR
100+	3.32 EUR
250+	3.15 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

auf Bestellung 418 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.47 EUR
50+	9.09 EUR
100+	7.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.08 EUR
19+	3.86 EUR
20+	3.65 EUR
500+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.46 EUR
33+	4.64 EUR
40+	3.69 EUR
50+	3.53 EUR
100+	3.08 EUR
250+	2.92 EUR
500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPP015N04NGXKSA1

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.08 EUR
19+	3.86 EUR
20+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP015N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.54 EUR
10+	9.7 EUR
25+	7.38 EUR
100+	6.71 EUR
250+	6.68 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	5.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 89

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.98 EUR
84+	1.8 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.98 EUR
84+	1.8 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.01 EUR
11+	5.02 EUR
100+	3.98 EUR
250+	3.67 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	2.83 EUR
2000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 48000 Stücke:

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IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

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IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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10+	7.46 EUR
25+	6.27 EUR
100+	5.43 EUR
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1000+	4.63 EUR

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

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100+	2.94 EUR
1000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

auf Bestellung 581 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.66 EUR
50+	6.87 EUR
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500+	5.24 EUR

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

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62+	2.55 EUR
64+	2.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 62

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 1396 Stücke:

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62+	2.55 EUR
64+	2.29 EUR
100+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 62

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 180 Stücke:

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IPP016N08NF2SAKMA1
Produktcode: 183516

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
JHGF: THT

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IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

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71+	2.21 EUR

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IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 476 Stücke:

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22+	7.3 EUR
50+	6.13 EUR
100+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 423 Stücke:

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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22+	7.3 EUR
50+	6.13 EUR
100+	5.28 EUR

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IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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50+	11.64 EUR
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IPP018N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 3 Stücke:

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4+	14.79 EUR
10+	12.43 EUR
25+	11.73 EUR
100+	10.06 EUR
250+	9.93 EUR
500+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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27+	5.96 EUR
28+	5.39 EUR
29+	5.07 EUR
50+	4.86 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.69 EUR
50+	11.64 EUR
100+	9.98 EUR
500+	8.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 456 Stücke:

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27+	5.96 EUR
28+	5.39 EUR
29+	5.07 EUR
50+	4.86 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 14500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.04 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.38 EUR
76+	2.01 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 66

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.55 EUR
71+	2.15 EUR
100+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 62

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 573 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
99+	1.53 EUR
107+	1.36 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
99+	1.53 EUR
107+	1.36 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 47000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.07 EUR
13+	4.24 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.12 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.4 EUR
2000+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.14 EUR
2000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.76 EUR
118+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 89

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.06 EUR
750+	1.81 EUR
1500+	1.63 EUR
2250+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 919 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.79 EUR
13+	4.26 EUR
25+	3.64 EUR
100+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 118

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.73 EUR
50+	5.34 EUR
100+	4.58 EUR
500+	4.07 EUR
1000+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.82 EUR
50+	3.42 EUR
100+	3.09 EUR
200+	2.95 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP019N08NF2SAKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP020N06N

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

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7+	8.58 EUR
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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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24+	6.79 EUR
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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.42 EUR
50+	6.69 EUR
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500+	5.1 EUR

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IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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55+	2.85 EUR
100+	2.63 EUR
250+	2.43 EUR

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IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPP020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

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7+	8.35 EUR
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1000+	4.16 EUR

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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35+	4.48 EUR
38+	4 EUR
42+	3.49 EUR
100+	2.85 EUR
250+	2.69 EUR

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

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IPP020N06NXKSA1

SP005573707

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IPP020N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

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10+	12.22 EUR
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1000+	7.49 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

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26+	5.9 EUR
27+	5.43 EUR
100+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1215 Stücke:

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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29+	5.44 EUR
31+	5.02 EUR
50+	4.65 EUR
100+	4.32 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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25+	6.3 EUR
27+	5.66 EUR
29+	5.16 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.51 EUR
500+	3.92 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 34 Stücke:

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7+	10.27 EUR
11+	6.72 EUR
12+	6.36 EUR

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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14+	11.73 EUR
19+	8.24 EUR
50+	7.03 EUR
100+	6.35 EUR
200+	5.75 EUR
500+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

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21+	7.65 EUR
24+	6.31 EUR
25+	5.81 EUR
100+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPP020N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 209 Stücke:

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4+	14.14 EUR
10+	12.17 EUR
25+	11.13 EUR
100+	9.85 EUR
250+	9.83 EUR
500+	8.24 EUR
1000+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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25+	6.3 EUR
27+	5.66 EUR
29+	5.16 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.51 EUR
500+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

auf Bestellung 572 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.4 EUR
50+	11.42 EUR
100+	9.79 EUR
500+	8.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

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IPP020N08N5AKSA1

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	10.27 EUR
11+	6.72 EUR
12+	6.36 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP022N12NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.63 EUR
10+	13.39 EUR
25+	12.14 EUR
100+	11.15 EUR
250+	10.5 EUR
500+	9.85 EUR
1000+	8.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

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IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

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IPP023N04NG

auf Bestellung 405 Stücke:

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IPP023N04NG

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

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IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.98 EUR
97+	1.56 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	2.78 EUR
104+	1.45 EUR
105+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 57

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.81 EUR
61+	2.5 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023N04NGXKSA1

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.02 EUR
50+	3.15 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm

auf Bestellung 1447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3

auf Bestellung 5994 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.95 EUR
21+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP023N08N5

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP023N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.24 EUR
50+	3.05 EUR
54+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 49

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.07 EUR
10+	6.73 EUR
25+	5.98 EUR
100+	5.49 EUR
250+	5.46 EUR
500+	5.04 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.71 EUR
50+	6.9 EUR
100+	5.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.51 EUR
37+	4.14 EUR
42+	3.48 EUR
50+	3.32 EUR
100+	2.89 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

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18+	8.69 EUR
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100+	5.74 EUR
200+	5.47 EUR
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1000+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

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35+	4.51 EUR
37+	4.14 EUR
42+	3.48 EUR
50+	3.32 EUR
100+	2.89 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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49+	3.24 EUR
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54+	2.6 EUR

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IPP023N08N5XKSA1

MOSFET

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IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

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IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

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IPP023N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

auf Bestellung 3 Stücke:

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4+	16.04 EUR
10+	13.47 EUR
25+	12.69 EUR
100+	10.89 EUR
250+	10.27 EUR
500+	8.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP023N10N5

auf Bestellung 21500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP023N10N5AKSA1

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IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

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IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1130 Stücke:

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12+	14.12 EUR
16+	9.92 EUR
50+	8.47 EUR
100+	7.64 EUR
200+	6.91 EUR
500+	6.18 EUR
1000+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPP023N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 154-168 Tag (e)

4+	16.02 EUR
10+	13.44 EUR
25+	11.78 EUR
100+	10.27 EUR
250+	9.78 EUR
500+	9.2 EUR
1000+	7.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

auf Bestellung 431 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.89 EUR
50+	12.6 EUR
100+	10.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

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IPP023N10N5XKSA1

MOSFET

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IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.47 EUR
10+	13 EUR
25+	12.27 EUR
100+	10.53 EUR
250+	9.93 EUR
500+	9.33 EUR
1000+	8.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

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IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023NE7N3G

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.7 EUR
17+	9.27 EUR
100+	7.31 EUR
500+	5.99 EUR
1000+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.06 EUR
19+	7.97 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.06 EUR
19+	7.97 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP023NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.44 EUR
23+	6.7 EUR
100+	5.62 EUR
500+	4.84 EUR
1000+	4.21 EUR
2500+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.3 EUR
10+	13.42 EUR
25+	12.64 EUR
100+	10.87 EUR
250+	10.24 EUR
500+	9.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.39 EUR
50+	12.19 EUR
100+	10.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

201+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 201

IPP024N06N3G

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

102+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 102

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.74 EUR
13+	5.79 EUR
18+	4.05 EUR
19+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP024N06N3GXKSA1

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.74 EUR
13+	5.79 EUR
18+	4.05 EUR
19+	3.82 EUR
250+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP024N06N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.17 EUR
57+	2.69 EUR
59+	2.48 EUR
100+	2.06 EUR
250+	1.88 EUR
500+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.96 EUR
50+	3.09 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 256000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.45 EUR
50+	5.11 EUR
100+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

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IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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8+	6.5 EUR
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100+	4.42 EUR
250+	4.34 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.9 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.1 EUR

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IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET

auf Bestellung 164 Stücke:

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14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.58 EUR
5000+	1.5 EUR

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IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

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IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 392 Stücke:

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31+	5.21 EUR
32+	4.84 EUR
35+	4.19 EUR
100+	3.66 EUR
250+	3.48 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

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5+	12.01 EUR
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100+	8.11 EUR
250+	8.09 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 392 Stücke:

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31+	5.21 EUR
32+	4.84 EUR
35+	4.19 EUR
100+	3.66 EUR
250+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 31

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

auf Bestellung 1172 Stücke:

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

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1000+	4.35 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

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19+	8.5 EUR
26+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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50+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1443 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.31 EUR
50+	10.56 EUR
100+	9.06 EUR
500+	8.05 EUR
1000+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP027N08N5AKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.53 EUR
10+	8.83 EUR
100+	7.15 EUR
500+	6.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP027N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 484 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.39 EUR
10+	10.24 EUR
100+	8.37 EUR
500+	7.12 EUR
1000+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

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IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

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IPP028N08N3 G

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP028N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.18 EUR
25+	12.04 EUR
100+	10.11 EUR
500+	8.97 EUR
1000+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP028N08N3G

IFX

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP028N08N3GHKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.36 EUR
17+	8.96 EUR
25+	8.05 EUR
50+	7.2 EUR
100+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPP028N08N3GXKSA1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP029N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.55 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.34 EUR
250+	4 EUR
500+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP029N06N

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP029N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

auf Bestellung 256 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.68 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4.42 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	2.94 EUR
5000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP029N06NAKSA1
Produktcode: 178126

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 862 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.67 EUR
50+	2.94 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	1.06 EUR
160+	0.94 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 148

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.12 EUR
148+	1.02 EUR
160+	0.91 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 140

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1153 Stücke:

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15+	3.67 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.53 EUR
5000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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157+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 157

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP030N10N

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IPP030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP030N10N3 G

auf Bestellung 2000 Stücke:

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IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

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IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

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IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.11 EUR
25+	6.08 EUR
32+	4.66 EUR
50+	4.47 EUR
100+	3.96 EUR
250+	3.78 EUR
500+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.19 EUR
13+	5.56 EUR
14+	5.38 EUR
15+	5.08 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

auf Bestellung 1748 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.86 EUR
50+	12.58 EUR
100+	10.78 EUR
500+	9.58 EUR
1000+	8.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 550 Stücke:

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IPP030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

auf Bestellung 491 Stücke:

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4+	14.85 EUR
10+	13.57 EUR
25+	11.78 EUR
100+	10.24 EUR
250+	9.96 EUR
500+	9.18 EUR
1000+	7.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2484 Stücke:

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15+	10.88 EUR
20+	7.65 EUR
50+	6.53 EUR
100+	5.91 EUR
200+	5.34 EUR
500+	4.78 EUR
1000+	4.29 EUR
2000+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

auf Bestellung 497 Stücke:

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IPP030N10N3GXKSA1

auf Bestellung 34 Stücke:

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12+	6.19 EUR
13+	5.56 EUR
14+	5.38 EUR
15+	5.08 EUR
50+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 850 Stücke:

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21+	7.8 EUR
23+	6.68 EUR
29+	5.12 EUR
50+	4.91 EUR
100+	4.35 EUR
250+	4.16 EUR
500+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPP030N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

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15+	10.66 EUR
17+	9.3 EUR
50+	7.85 EUR
100+	7.2 EUR
200+	6.65 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP030N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 154-168 Tag (e)

5+	12.95 EUR
10+	10.66 EUR
25+	9.44 EUR
100+	8.35 EUR
250+	7.96 EUR
500+	7.57 EUR
1000+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N5AKSA1

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IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

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IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP030N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

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IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

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IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1708 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.73 EUR
99+	1.53 EUR
107+	1.36 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 91

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.88 EUR
91+	1.67 EUR
100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 83

IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

33+	2.17 EUR
37+	1.96 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.13 EUR
58+	2.61 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.47 EUR
56+	2.71 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.88 EUR
91+	1.67 EUR
100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 83

IPP032N06N3GXKSA1

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.17 EUR
37+	1.96 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	2.02 EUR
81+	1.87 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 78

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	24.18 EUR

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2879 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.64 EUR
50+	4.53 EUR
100+	3.73 EUR
500+	3.16 EUR
1000+	2.68 EUR
2000+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP032N06N3GXKSA1
Produktcode: 192070

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.72 EUR
11+	4.76 EUR
100+	3.77 EUR
250+	3.48 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	2.7 EUR
2500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.85 EUR
92+	1.64 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 85

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.59 EUR
25+	2.11 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.13 EUR
2000+	1.07 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP033N04NF2SAKMA1

IPP033N04NF2SAKMA1

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IPP034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 834 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	1.67 EUR
5000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

437+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 437

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

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IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

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IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP034N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.47 EUR
70+	2.17 EUR
100+	1.7 EUR
200+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034N03LGXKSA1

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IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.92 EUR
89+	1.71 EUR
104+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 82

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.65 EUR
112+	1.35 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 95

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	1.22 EUR
134+	1.13 EUR
250+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 128

IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP034N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.13 EUR
53+	2.85 EUR
54+	2.73 EUR
100+	2.4 EUR
250+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.91 EUR
45+	3.26 EUR
100+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.13 EUR
53+	2.85 EUR
54+	2.73 EUR
100+	2.4 EUR
250+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.41 EUR
10+	6.22 EUR
100+	5.04 EUR
500+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP034N08N5AKSA1

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IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.94 EUR
28+	5.49 EUR
50+	4.29 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP034N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 597 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.4 EUR
10+	5.23 EUR
100+	4.32 EUR
250+	4.24 EUR
500+	3.67 EUR
1000+	3.04 EUR
5000+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.91 EUR
45+	3.26 EUR
100+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

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IPP034N08N5XKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP034NE7N3 G
Produktcode: 182613

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT

auf Bestellung 35 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP034NE7N3 G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.79 EUR
10+	8.45 EUR
25+	6.76 EUR
100+	5.82 EUR
250+	5.77 EUR
500+	5.15 EUR
1000+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP034NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.46 EUR
55+	2.75 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1409 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 352 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.56 EUR
29+	5.37 EUR
50+	3.94 EUR
100+	3.77 EUR
200+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.46 EUR
55+	2.75 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPP034NE7N3GXKSA1

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.51 EUR
16+	4.46 EUR
250+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.71 EUR
50+	6.91 EUR
100+	5.93 EUR
500+	5.27 EUR
1000+	4.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 608 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.76 EUR
14+	3.98 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.15 EUR
5000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.84 EUR
10+	4.03 EUR
100+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	2.24 EUR
76+	2 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 70

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.4 EUR
71+	2.14 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 66

IPP037N06L3GXKSA1

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP037N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

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IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP037N08N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

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IPP037N08N3GHKSA1

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IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.35 EUR
24+	3 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.54 EUR
38+	4.03 EUR
50+	3.14 EUR
100+	2.82 EUR
200+	2.7 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP037N08N3GXKSA1

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.35 EUR
24+	3 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.17 EUR
250+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

auf Bestellung 3922 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.24 EUR
10+	5.69 EUR
25+	5.3 EUR
100+	4.52 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.35 EUR
2500+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.11 EUR
40+	3.77 EUR
50+	2.94 EUR
100+	2.63 EUR
200+	2.51 EUR
500+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

auf Bestellung 2273 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.5 EUR
50+	5.15 EUR
100+	4.42 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.36 EUR
2000+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 251 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
15+	3.69 EUR
100+	2.89 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.54 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

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IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	1.74 EUR
46+	1.57 EUR
50+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

auf Bestellung 3086 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.46 EUR
50+	2.78 EUR
100+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP039N04LGXKSA1

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

41+	1.74 EUR
46+	1.57 EUR
50+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.75 EUR
105+	1.44 EUR
126+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 90

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.38 EUR
136+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 114

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.36 EUR
10+	9.33 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.37 EUR
500+	4.78 EUR
1000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 53500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

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IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP03N03LAG

08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

IPP03N03LBG

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 544

IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 544

IPP040N06N

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.84 EUR
13+	4.03 EUR
100+	3.22 EUR
250+	3.04 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.29 EUR
2500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP040N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.12 EUR
13+	4.26 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.12 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.42 EUR
2500+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP040N06N3 G

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06N3G

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06N3GXK

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

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IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

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1+	7.44 EUR
10+	6.7 EUR

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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116+	1.35 EUR
122+	1.24 EUR
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200+	0.99 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 116

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.1 EUR
50+	4.1 EUR
100+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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88+	1.78 EUR
98+	1.54 EUR
124+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 88

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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41+	1.76 EUR
46+	1.56 EUR
50+	1.43 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR
250+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP040N06N3GXKSA1

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41+	1.76 EUR
46+	1.56 EUR
50+	1.43 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR
250+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

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17+	3.15 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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88+	1.78 EUR
98+	1.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 88

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 202066

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

auf Bestellung 173 Stücke:

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50+	3.86 EUR
100+	3.17 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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49+	3.25 EUR
52+	2.92 EUR
100+	2.39 EUR
200+	2.19 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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96+	1.64 EUR
105+	1.44 EUR
115+	1.27 EUR
250+	1.17 EUR
500+	1.05 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

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11+	4.84 EUR
14+	3.9 EUR
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500+	2.6 EUR
1000+	2.18 EUR
5000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 850 Stücke:

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96+	1.57 EUR
106+	1.38 EUR
250+	1.27 EUR
500+	1.14 EUR

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

auf Bestellung 585 Stücke:

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IPP040N06NAKSA1

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IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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500+	1.41 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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17+	3.07 EUR
21+	2.54 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.28 EUR
5000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

auf Bestellung 47000 Stücke:

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1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 933 Stücke:

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

auf Bestellung 1024 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.09 EUR
50+	2.48 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.36 EUR

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IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

auf Bestellung 827 Stücke:

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137+	1.15 EUR
149+	1.02 EUR
168+	0.87 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 137

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

auf Bestellung 827 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

149+	1.05 EUR
168+	0.9 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 149

IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 112

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1183 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.02 EUR
13+	4.11 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.33 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.81 EUR
2000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.78 EUR
90+	1.69 EUR
100+	1.62 EUR
200+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 88

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.94 EUR
200+	1.82 EUR
750+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 81

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 112

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

auf Bestellung 208000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 814 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.72 EUR
50+	4.6 EUR
100+	3.78 EUR
500+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP041N04N G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

16+	3.33 EUR
20+	2.68 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.38 EUR
5000+	1.31 EUR
10000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPP041N04NG

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 764500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

auf Bestellung 433 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
50+	2.66 EUR
100+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.3 EUR
143+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 121

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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95+	1.65 EUR
112+	1.36 EUR
133+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR

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IPP041N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 496 Stücke:

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4+	14.87 EUR
10+	12.74 EUR
25+	11.57 EUR
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250+	10.01 EUR
500+	9.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP041N12N3G

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IPP041N12N3GXK

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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13+	12.03 EUR
19+	8.13 EUR
50+	6.94 EUR
100+	6.39 EUR
200+	5.77 EUR
500+	4.99 EUR
1000+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2225 Stücke:

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29+	5.58 EUR
30+	5.1 EUR
31+	4.83 EUR
100+	4.17 EUR
500+	3.84 EUR
1000+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1767 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP041N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2223 Stücke:

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30+	5.21 EUR
32+	4.76 EUR
33+	4.51 EUR
100+	3.9 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.33 EUR
27+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.55 EUR
50+	12.33 EUR
100+	10.57 EUR
500+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 44 Stücke:

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27+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 275 Stücke:

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4+	13.7 EUR
10+	12.14 EUR
25+	11.93 EUR
100+	10.63 EUR
500+	9.36 EUR
1000+	8.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP041N12N3GXKSA1

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IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1225 Stücke:

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IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPP042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 11741 Stücke:

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16+	3.46 EUR
19+	2.83 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPP042N03LG

TO-220 0741+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

auf Bestellung 71180 Stücke:

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IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

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IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

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IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.51 EUR
10+	2.88 EUR
100+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

46+	1.57 EUR
51+	1.41 EUR
70+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.15 EUR
147+	1.03 EUR
164+	0.89 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 136

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 340 Stücke:

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IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.99 EUR
175+	0.86 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 158

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP042N03LGXKSA1

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.57 EUR
51+	1.41 EUR
70+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.72 EUR
50+	3.45 EUR
100+	3.21 EUR
250+	2.99 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 42

IPP045N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 5108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.18 EUR
10+	6.03 EUR
25+	5.69 EUR
100+	4.89 EUR
250+	4.63 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP045N10N3 G

auf Bestellung 86450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP045N10N3G

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP045N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

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IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.8 EUR
50+	4.14 EUR
100+	3.66 EUR
200+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.85 EUR
21+	3.43 EUR
28+	2.63 EUR
29+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 7449 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.3 EUR
25+	4 EUR
100+	3.72 EUR
500+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.51 EUR
50+	3.9 EUR
100+	3.43 EUR
200+	3.28 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

auf Bestellung 2520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.1 EUR
50+	5.63 EUR
100+	4.83 EUR
500+	4.29 EUR
1000+	3.68 EUR
2000+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP045N10N3GXKSA1

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.85 EUR
21+	3.43 EUR
28+	2.63 EUR
29+	2.49 EUR
250+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP048N04N G
Produktcode: 83952

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

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IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP048N04NGXKSA1

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.94 EUR
174+	0.87 EUR
250+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 167

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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104+	1.51 EUR
500+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 104

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.74 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.29 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

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IPP048N06LG

08+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP048N06LG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP048N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 466 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.57 EUR
10+	8.32 EUR
25+	7.07 EUR
100+	6.55 EUR
500+	6.53 EUR
1000+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.34 EUR
10+	9.53 EUR
100+	7.71 EUR
500+	6.85 EUR
1000+	5.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.37 EUR
38+	3.84 EUR
50+	3.61 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.81 EUR
20+	7.58 EUR
25+	7.13 EUR
50+	6.7 EUR
100+	5.39 EUR
500+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.63 EUR
31+	4.75 EUR
50+	4.39 EUR
100+	3.83 EUR
250+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP048N12N3GXKSA1

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR
5+	14.3 EUR
13+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.26 EUR
33+	4.43 EUR
50+	4.1 EUR
100+	3.58 EUR
250+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.37 EUR
38+	3.84 EUR
50+	3.61 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP04CN10NG

07+ DIP

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS

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IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.99 EUR
10+	12.56 EUR
100+	10.3 EUR
500+	8.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP04N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

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IPP04N03LBG

INF

07+;

auf Bestellung 17600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

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IPP050N10NF2SAKMA1
Produktcode: 188954

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

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IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 862 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	5.82 EUR
25+	5.46 EUR
100+	4.65 EUR
250+	4.63 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.72 EUR
19+	7.98 EUR
50+	6.96 EUR
100+	6.35 EUR
200+	5.79 EUR
500+	5.23 EUR
1000+	4.73 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.5 EUR
25+	13.16 EUR
100+	10.87 EUR
500+	9.62 EUR
1000+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP051N15N5AKSA1
Produktcode: 197743

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP051N15N5AKSA1

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.41 EUR
22+	7.02 EUR
100+	5.86 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP051N15N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

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19+	8.43 EUR
22+	7.04 EUR
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IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 130 Stücke:

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

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500+	6.57 EUR

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IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

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IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

auf Bestellung 294 Stücke:

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2+	15.08 EUR
10+	12.92 EUR
100+	10.77 EUR

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IPP052N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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13+	4 EUR
16+	3.35 EUR
100+	2.65 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP052N06L3G

auf Bestellung 17 Stücke:

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IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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73+	2.17 EUR
80+	1.9 EUR
100+	1.49 EUR
200+	1.34 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.09 EUR

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IPP052N06L3GXKSA1

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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76+	1.98 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 120 Stücke:

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43+	1.67 EUR
48+	1.5 EUR
54+	1.33 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.1 EUR

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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63+	2.51 EUR
76+	1.99 EUR
77+	1.91 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 63

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 739 Stücke:

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IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052N06L3GXKSA1

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43+	1.67 EUR
48+	1.5 EUR
54+	1.33 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.1 EUR
250+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IPP052N08N5

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IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 314 Stücke:

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67+	2.35 EUR
71+	2.13 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 67

IPP052N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP052N08N5AKSA1

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IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 490 Stücke:

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39+	4.1 EUR
50+	3.21 EUR
100+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.35 EUR
71+	2.13 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 67

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 942 Stücke:

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43+	3.7 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IPP052N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

auf Bestellung 765 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.76 EUR
13+	4.21 EUR
100+	3.54 EUR
250+	3.33 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.68 EUR
5000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

auf Bestellung 4463 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.82 EUR
10+	4.85 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	2.77 EUR
2000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	6.42 EUR
25+	5.36 EUR
100+	4.6 EUR
250+	4.55 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPP052NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

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IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.71 EUR
50+	5.31 EUR
100+	4.56 EUR
500+	4.05 EUR
1000+	3.47 EUR
2000+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

26+	2.83 EUR
29+	2.5 EUR
33+	2.19 EUR
35+	2.06 EUR
250+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP052NE7N3GXKSA1

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	2.83 EUR
29+	2.5 EUR
33+	2.19 EUR
35+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8932 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.89 EUR
23+	2.35 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.26 EUR
2500+	1.19 EUR
5000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP055N03LG

08+

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.41 EUR
169+	0.89 EUR
181+	0.8 EUR
500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 112

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.57 EUR
59+	1.22 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 268

IPP055N03LGXKSA1

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

46+	1.57 EUR
59+	1.22 EUR
82+	0.87 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 258 Stücke:

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

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19+	2.89 EUR
24+	2.25 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

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IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

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181+	0.87 EUR
193+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 181

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 353000 Stücke:

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1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 295000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 990 Stücke:

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 1210 Stücke:

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53+	2.99 EUR
58+	2.61 EUR
100+	2.05 EUR
200+	1.85 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 706 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.32 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.17 EUR
2000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.55 EUR
50+	3.64 EUR
100+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.76 EUR
97+	1.57 EUR
110+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 89

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

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IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.62 EUR
200+	1.52 EUR
750+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 97

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

auf Bestellung 607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.76 EUR
97+	1.57 EUR
110+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 89

IPP057N06N3
Produktcode: 113416

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
JHGF: THT

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IPP057N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1266 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
16+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.65 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.53 EUR
118+	1.28 EUR
127+	1.15 EUR
250+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 102

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

41+	1.77 EUR
45+	1.6 EUR
51+	1.42 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.86 EUR
190+	0.8 EUR
200+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 181

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+	1.24 EUR
136+	1.11 EUR
250+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 126

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.6 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.87 EUR
2500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.11 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	1.77 EUR
45+	1.6 EUR
51+	1.42 EUR
62+	1.16 EUR
65+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.47 EUR
10+	5.38 EUR
100+	4.32 EUR
250+	3.98 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.31 EUR
59+	2.57 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.78 EUR
2000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.53 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 62

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.3 EUR
53+	2.88 EUR
100+	1.8 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.08 EUR
87+	1.74 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1906 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	4.76 EUR
100+	3.93 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.07 EUR
2500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.37 EUR
50+	5.12 EUR
100+	4.21 EUR
500+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.08 EUR
87+	1.74 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10N

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 318-332 Tag (e)

7+	8.35 EUR
10+	7.51 EUR
100+	6.16 EUR
500+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP05CN10NG

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP05CN10NGXKSA1

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IPP05N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

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IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP05N03LBG

07+

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP060N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 1003 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1531 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.43 EUR
70+	2.17 EUR
100+	1.76 EUR
200+	1.61 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 65

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.74 EUR
50+	3 EUR
100+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP060N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

auf Bestellung 461 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.74 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.3 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.95 EUR
173+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 165

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	1.83 EUR
100+	1.51 EUR
117+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 86

IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.11 EUR
11+	5.07 EUR
100+	4.03 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.38 EUR
1000+	2.91 EUR
2500+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

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IPP062NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP062NE7N3GXKSA1

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IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 2285 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

866+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 866

IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 16500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

742+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 742

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

auf Bestellung 952 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

952+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 952

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N06LG

INF

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 834 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.33 EUR
10+	17.42 EUR
25+	15.78 EUR
100+	14.51 EUR
250+	13.65 EUR
500+	12.82 EUR
1000+	11.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.2 EUR
10+	17.31 EUR
100+	14.43 EUR
500+	12.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP06CN10L

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

208+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 208

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.43 EUR
125+	1.21 EUR
143+	1.02 EUR
152+	0.92 EUR
166+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 110

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N06

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

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IPP070N06LG

INF

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP070N06LG

08+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

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IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

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IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

400+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 400

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

310+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 310

IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP072N10N3 G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.23 EUR
12+	4.34 EUR
100+	3.46 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

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IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP072N10N3GXK

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.86 EUR
28+	2.59 EUR
39+	1.87 EUR
41+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.65 EUR
53+	2.84 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	1.96 EUR
2000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 3089 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.2 EUR
50+	4.19 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.47 EUR
2000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP072N10N3GXKSA1

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.86 EUR
28+	2.59 EUR
39+	1.87 EUR
41+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.44 EUR
74+	2.05 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.25 EUR
12+	4.37 EUR
100+	3.48 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 218000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.61 EUR
69+	2.2 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 60

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

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IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFET

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 379-393 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	5.62 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.11 EUR
500+	3.74 EUR
1000+	3.2 EUR
2500+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.56 EUR
25+	7.9 EUR
50+	7.32 EUR
100+	6.8 EUR
250+	6.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP075N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.75 EUR
10+	11.57 EUR
25+	10.89 EUR
100+	9.36 EUR
250+	9.1 EUR
500+	7.72 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP075N15N3 G

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP075N15N3G

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP075N15N3G

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

auf Bestellung 833 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.65 EUR
50+	10.82 EUR
100+	9.28 EUR
500+	8.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.55 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm

auf Bestellung 747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.87 EUR
21+	7.19 EUR
25+	6.83 EUR
100+	5.39 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	3.83 EUR
2500+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP075N15N3GXKSA1
Produktcode: 122947

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 3066 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.21 EUR
10+	12.27 EUR
25+	10.58 EUR
100+	9.15 EUR
250+	8.94 EUR
500+	8.14 EUR
1000+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.69 EUR
20+	7.85 EUR
25+	7.46 EUR
100+	5.88 EUR
500+	5.01 EUR
1000+	4.18 EUR
2500+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPP075N15N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP076N12N3 G

auf Bestellung 3800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP076N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.2 EUR
10+	6.68 EUR
25+	4.99 EUR
100+	4.65 EUR
1000+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.82 EUR
45+	3.38 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

auf Bestellung 274 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.06 EUR
10+	6.79 EUR
100+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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35+	4.54 EUR
38+	4.06 EUR
100+	3.34 EUR
500+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1400 Stücke:

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19+	8.49 EUR
29+	5.21 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.65 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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34+	4.63 EUR
38+	4.03 EUR
100+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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34+	4.63 EUR
38+	4.03 EUR
100+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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39+	4.09 EUR
42+	3.62 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPP076N15N5

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IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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29+	5.53 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPP076N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

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27+	5.8 EUR
30+	4.91 EUR
100+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm

auf Bestellung 808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 642 Stücke:

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18+	8.94 EUR
21+	7.32 EUR
50+	5.36 EUR
200+	4.84 EUR
500+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.8 EUR
30+	4.91 EUR
100+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPP076N15N5AKSA1

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IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1833 Stücke:

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IPP076N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 247 Stücke:

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5+	12.17 EUR
10+	11.6 EUR
25+	9.96 EUR
100+	8.74 EUR
500+	7.9 EUR
1000+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1333 Stücke:

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20+	7.85 EUR
24+	6.42 EUR
50+	4.7 EUR
200+	4.25 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 1855 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.03 EUR
50+	10.33 EUR
100+	8.85 EUR
500+	7.87 EUR
1000+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	11 EUR
16+	9.55 EUR
25+	9.16 EUR
50+	8.35 EUR
100+	6.62 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPP07N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP080N03LG

07+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
20+	2.63 EUR
100+	1.84 EUR
250+	1.77 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.17 EUR
79+	1.91 EUR
100+	1.5 EUR
200+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 72

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
50+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.5 EUR
200+	1.38 EUR
750+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 104

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
113+	1.33 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 267000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

161+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 161

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.04 EUR
88+	1.72 EUR
106+	1.38 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 77

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

161+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 161

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1
Produktcode: 166075

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.09 EUR
82+	1.85 EUR
100+	1.45 EUR
200+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 75

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.55 EUR
14+	3.95 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2 EUR
5000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.83 EUR
63+	2.4 EUR
100+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.83 EUR
63+	2.4 EUR
100+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPP083N10N5AKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

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IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

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IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 1664 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

380+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 380

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP084N06L3GXKSA1

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IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 87

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP085N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

385+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 385

IPP085N06LGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

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IPP085N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP086N10N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPP086N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.58 EUR
14+	3.82 EUR
100+	3.28 EUR
250+	3.04 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.25 EUR
2500+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPP086N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

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IPP086N10N3G

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP086N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP086N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.52 EUR
108+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 103

IPP086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

auf Bestellung 1709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP086N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
73+	2.07 EUR
100+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 68

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	2.75 EUR
63+	2.42 EUR
100+	1.89 EUR
200+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 57

IPP086N10N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP08CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3

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IPP08CN10LG

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO-220

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IPP08CNE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

341+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 341

IPP093N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 857 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.21 EUR
500+	3.74 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.84 EUR
5000+	1.74 EUR
10000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPP093N06N3G

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP093N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 73

IPP093N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 144

IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP093N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPP093N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 150

IPP093N06N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPP096N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP096N03LG

TO220 10+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP096N03LGHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

auf Bestellung 13100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

831+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 831

IPP09N03LA

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPP09N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPP09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP09N03LAHKSA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPP100N04S2-04

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPP100N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPP100N04S204AKSA1