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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IPP-2011Innovative Power ProductsIPP-2011
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+493.16 EUR
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IPP-2014Innovative Power ProductsOutline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+95.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP-2031Innovative Power ProductsIPP-2031
auf Bestellung 21 Stücke:
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2+87.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP-2254Innovative Power ProductsIPP-2254
auf Bestellung 1 Stücke:
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IPP-3175Innovative Power ProductsDirectional Couplers With Connectors
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+1938.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.00105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.56 EUR
10+2.96 EUR
100+2.06 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.99 EUR
100+2.22 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+2.52 EUR
100+2.29 EUR
500+1.92 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.17 EUR
50+2.61 EUR
100+2.36 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
50+1.74 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+1.68 EUR
100+1.65 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SInfineon TechnologiesIPP014N06NF2S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.6 EUR
27+5.17 EUR
50+4.78 EUR
100+4.44 EUR
250+4.14 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
50+3.87 EUR
100+3.52 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+3.99 EUR
51+2.71 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.07 EUR
54+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.15 EUR
10+4.28 EUR
100+3.7 EUR
500+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.58 EUR
19+3.89 EUR
25+2.97 EUR
27+2.69 EUR
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+2.98 EUR
500+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+3.99 EUR
51+2.71 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04N GINFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04N GInfineon
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.69 EUR
65+1.12 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP015N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202345
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+1.85 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
50+1.85 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP015N04NGInfineon technologies
auf Bestellung 30 Stücke:
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IPP015N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
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IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
50+4.48 EUR
100+4.09 EUR
500+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+8.52 EUR
25+4.66 EUR
100+4.36 EUR
500+3.89 EUR
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IPP015N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IPP015N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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1+4.21 EUR
10+1.38 EUR
100+1.36 EUR
500+1.34 EUR
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP016N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 896 Stücke:
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 855 Stücke:
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73+1.97 EUR
79+1.75 EUR
100+1.49 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 706 Stücke:
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5+4.19 EUR
50+2.07 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 855 Stücke:
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73+1.97 EUR
79+1.75 EUR
100+1.49 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IPP016N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202346
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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85+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 131000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.85 EUR
50+3.53 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP016N08NF2SAKMA1
Produktcode: 183516
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.77 EUR
25+3.29 EUR
100+3.08 EUR
250+3.06 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.11 EUR
28+4.85 EUR
50+4.34 EUR
100+3.98 EUR
250+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.11 EUR
28+4.85 EUR
50+4.34 EUR
100+3.98 EUR
250+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202347
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.21 EUR
123+1.13 EUR
129+1.03 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
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IPP019N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.21 EUR
123+1.13 EUR
129+1.03 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.2 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1296 Stücke:
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1+5.56 EUR
10+2.18 EUR
100+2.08 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.97 EUR
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.58 EUR
50+2.83 EUR
100+2.56 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.84 EUR
79+1.76 EUR
100+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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IPP019N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.19 EUR
48+2.87 EUR
70+1.91 EUR
100+1.73 EUR
250+1.65 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.39 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 224
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.19 EUR
48+2.87 EUR
70+1.91 EUR
100+1.73 EUR
250+1.65 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 127000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IPP020N03LF2SAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 125A
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.05mΩ
Power dissipation: 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.84 EUR
59+1.22 EUR
76+0.94 EUR
100+0.86 EUR
200+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.85 EUR
5000+0.77 EUR
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IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+1.78 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPP020N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+4.42 EUR
100+3.47 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.43 EUR
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IPP020N06N Infineon Technologie
Produktcode: 212141
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IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.34 EUR
50+3.26 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.88 EUR
50+4.67 EUR
100+2.55 EUR
200+2.27 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
10+4.15 EUR
25+2.85 EUR
100+2.78 EUR
250+2.76 EUR
500+2.53 EUR
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IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP020N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.34 EUR
50+3.26 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesIPP020N06NXKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP020N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+8.25 EUR
25+7.78 EUR
100+6.67 EUR
250+6.3 EUR
500+5.93 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.07 EUR
50+3.84 EUR
100+3.67 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+6.85 EUR
27+5.25 EUR
35+3.84 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+5.37 EUR
25+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.72 EUR
50+5.19 EUR
100+4.75 EUR
500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.52 EUR
95+1.41 EUR
500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Kind of package: tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.81 EUR
15+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP020N08N5XKSA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
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IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
25+5.67 EUR
100+5.63 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 6136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.43 EUR
50+5.02 EUR
100+4.6 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 0.00235 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.56 EUR
100+1.22 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
12+1.53 EUR
100+1.2 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGinfineon08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
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IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.22 EUR
53+2.64 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+2.68 EUR
100+2.32 EUR
250+2.31 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.21 EUR
53+2.63 EUR
100+1.99 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 169000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.09 EUR
54+2.56 EUR
100+2.3 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.72 EUR
50+3.46 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.14 EUR
51+2.71 EUR
100+2.57 EUR
200+2.32 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.99 EUR
10+6.12 EUR
25+3.82 EUR
100+3.48 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5Infineon
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1
Produktcode: 215527
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.78 EUR
23+6.1 EUR
50+5.4 EUR
100+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+3.87 EUR
100+3.68 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.4 EUR
13000+3.9 EUR
19500+3.51 EUR
26000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.8 EUR
50+4.08 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+8.8 EUR
25+8.31 EUR
100+7.13 EUR
250+6.72 EUR
500+6.32 EUR
1000+5.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP023NE7N3GInfineon technologies
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.78 EUR
17+8.47 EUR
100+6.69 EUR
500+5.47 EUR
1000+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.28 EUR
19+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.28 EUR
19+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.71 EUR
50+4.26 EUR
100+4.21 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+6.8 EUR
23+6.13 EUR
100+5.14 EUR
500+4.42 EUR
1000+3.84 EUR
2500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+9.08 EUR
25+8.55 EUR
100+7.36 EUR
250+6.93 EUR
500+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
201+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GInfineon technologies
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.05 EUR
500+2.91 EUR
1000+2.77 EUR
2500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.23 EUR
14+5.36 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.03 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
auf Bestellung 256000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.69 EUR
100+2.46 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.9 EUR
57+2.46 EUR
59+2.27 EUR
100+1.89 EUR
250+1.72 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.62 EUR
50+2.83 EUR
100+2.54 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.16 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+2.13 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SInfineon TechnologiesIPP026N10NF2S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.77 EUR
25+8.09 EUR
50+7.49 EUR
100+6.96 EUR
250+6.48 EUR
500+6.04 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.76 EUR
44+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.32 EUR
10+3.47 EUR
100+3.15 EUR
500+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.86 EUR
50+2.76 EUR
100+2.57 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.14 EUR
38+3.63 EUR
40+3.32 EUR
100+2.49 EUR
250+2.3 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.11 EUR
50+2.92 EUR
100+2.8 EUR
1000+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.07 EUR
39+3.58 EUR
41+3.27 EUR
100+2.46 EUR
250+2.27 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP027N08N5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3 GInfineon
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.59 EUR
10+4.49 EUR
100+3.91 EUR
500+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GIFX
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GHKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GXKSA1Infineon
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.47 EUR
17+8.18 EUR
25+7.36 EUR
50+6.58 EUR
100+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NInfineon technologies
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAK5A1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.8 EUR
50+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NAKSA1
Produktcode: 178126
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.83 EUR
10+8.59 EUR
100+7.3 EUR
500+6.21 EUR
1000+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.26 EUR
50+11.38 EUR
100+9.7 EUR
500+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 119A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.05mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
60+1.21 EUR
63+1.14 EUR
72+1 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
50+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202348
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.97 EUR
6000+0.86 EUR
9000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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106+1.35 EUR
116+1.19 EUR
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1000+0.72 EUR
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IPP030N10NINFINEON
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IPP030N10N3 GInfineon
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IPP030N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
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IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.05 EUR
50+2.92 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.03 EUR
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
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47+3.06 EUR
50+2.92 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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IPP030N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 419 Stücke:
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.45 EUR
50+4.45 EUR
100+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3
auf Bestellung 148 Stücke:
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1+7.3 EUR
10+4.14 EUR
100+3.84 EUR
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IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.85 EUR
50+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP030N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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IPP030N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
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IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+7.97 EUR
50+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
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IPP030N10N5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.16 EUR
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IPP030N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
50+4.15 EUR
100+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP030N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
50+2.24 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP030N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+1.92 EUR
100+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.23 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 240
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IPP032N06N3GXKSA1
Produktcode: 192070
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP032N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
48+1.52 EUR
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.76 EUR
100+1.65 EUR
500+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.82 EUR
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
10+2.2 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
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IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.23 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 240
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IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.12 EUR
223+0.62 EUR
234+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.75 EUR
82+1.68 EUR
100+1.58 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
14+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.43 EUR
100+1.03 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.43 EUR
100+1.11 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1
Produktcode: 202349
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.99 EUR
100+1.65 EUR
250+1.45 EUR
500+1.36 EUR
2500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03L G
Produktcode: 202350
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP034N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1250 Stücke:
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437+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
50+1.85 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.97 EUR
100+1.38 EUR
111+1.2 EUR
200+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.83 EUR
74+1.87 EUR
100+1.78 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.8 EUR
75+1.85 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.69 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+2.7 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 199
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
50+2.52 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP034N08N5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+1.95 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
50+2.52 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.42 EUR
10+3.29 EUR
100+2.99 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3 G
Produktcode: 182613
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
auf Bestellung 47 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3 GInfineon
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GInfineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.89 EUR
50+2.95 EUR
100+2.56 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.88 EUR
50+2.95 EUR
100+2.56 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
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IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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IPP037N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3
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IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP037N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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10000+1.59 EUR
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IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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223+2.41 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 223
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IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
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IPP037N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 304 Stücke:
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IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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223+2.41 EUR
500+2.1 EUR
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IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.08 EUR
50+2.02 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPP037N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP037N08N3 GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPP037N08N3 G E8181Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
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IPP037N08N3GInfineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP037N08N3GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPP037N08N3GE8181XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.82 EUR
80+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+2.78 EUR
100+2.53 EUR
500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.66 EUR
38+1.89 EUR
54+1.33 EUR
100+1.3 EUR
250+1.23 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
50+3.07 EUR
100+2.78 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
2000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.72 EUR
100+4.72 EUR
500+4 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP038N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.24 EUR
50+4.84 EUR
100+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+1.9 EUR
100+1.5 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.1 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.61 EUR
104+1.33 EUR
124+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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IPP039N04LGXKSA1
Produktcode: 202351
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.37 EUR
125+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP039N04LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP039N10N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
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IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.72 EUR
50+3.28 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
25+3.4 EUR
100+3.12 EUR
500+2.76 EUR
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IPP039N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
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IPP03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
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IPP03N03LAGINFINEON08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
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IPP03N03LBGinfineon08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP0400NInfineon TechnologiesDescription: IPP0400N
Packaging: Bulk
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 544
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IPP0400NXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 544
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IPP040N06N
Produktcode: 202352
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IPP040N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.7 EUR
10+2.6 EUR
100+1.97 EUR
250+1.81 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.42 EUR
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IPP040N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
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IPP040N06N3 GInfineon
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP040N06N3GInfineon technologies
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP040N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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IPP040N06N3GXKInfineon technologies
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.61 EUR
50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.23 EUR
122+1.13 EUR
137+0.97 EUR
200+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.63 EUR
98+1.41 EUR
124+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+1.39 EUR
100+1.32 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.63 EUR
98+1.41 EUR
124+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 202066
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.27 EUR
68+2.03 EUR
100+1.66 EUR
200+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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IPP040N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.62 EUR
97+1.43 EUR
106+1.26 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.25 EUR
100+2.08 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.4 EUR
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IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.63 EUR
96+1.44 EUR
106+1.26 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.01 EUR
100+0.98 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.17 EUR
145+0.95 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202353
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 49000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.18 EUR
144+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.95 EUR
163+0.85 EUR
180+0.74 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+0.88 EUR
180+0.77 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.08 EUR
50+2.01 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.66 EUR
100+2.24 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.63 EUR
90+1.54 EUR
100+1.48 EUR
200+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.77 EUR
200+1.66 EUR
750+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04N GInfineon
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGInfineon technologies
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 610
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
50+1.16 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 764000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
75+0.96 EUR
84+0.86 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 610
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.28 EUR
100+4.36 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GInfineon technologies
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.58 EUR
27+5.29 EUR
36+3.73 EUR
50+3.02 EUR
100+2.66 EUR
250+1.83 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.25 EUR
10+6.18 EUR
25+3.87 EUR
250+3.66 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
50+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.63 EUR
26+5.32 EUR
36+3.75 EUR
50+3.04 EUR
100+2.68 EUR
250+1.85 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 11433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.9 EUR
100+1.49 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03L GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGINFINEONTO-220 0741+
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGInfineon TechnologiesDescription: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
auf Bestellung 71180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
10+1.95 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.33 EUR
110+1.26 EUR
132+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.56 EUR
107+1.29 EUR
109+1.22 EUR
131+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP044N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.59 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP044N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.47 EUR
50+4.15 EUR
100+3.86 EUR
250+3.6 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3 GInfineon
auf Bestellung 86450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.22 EUR
100+2.46 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GInfineon technologies
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.44 EUR
10+2.88 EUR
100+1.99 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
37+1.97 EUR
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 5807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+2.41 EUR
100+2.18 EUR
500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.72 EUR
50+2.36 EUR
100+2.13 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.53 EUR
63+2.21 EUR
100+1.93 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP045N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04N G
Produktcode: 83952
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGInfineon TechnologiesDescription: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1
Produktcode: 202354
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+2.11 EUR
100+1.69 EUR
250+1.55 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N06LGinfineon08+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.05 EUR
10+3.48 EUR
100+3.22 EUR
500+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 24500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4 EUR
38+3.51 EUR
50+3.3 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.05 EUR
20+6.93 EUR
25+6.52 EUR
50+6.13 EUR
100+4.93 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP048N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.15 EUR
31+4.34 EUR
50+4.01 EUR
100+3.5 EUR
250+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.63 EUR
18+4.05 EUR
50+2.72 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.81 EUR
33+4.05 EUR
50+3.75 EUR
100+3.27 EUR
250+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4 EUR
38+3.51 EUR
50+3.3 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
50+3.74 EUR
100+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP04CN10NGINFINEON07+ DIP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+8.5 EUR
100+6.97 EUR
500+5.67 EUR
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IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IPP04N03LAINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04N03LBGINF07+;
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N03LF2SAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+0.97 EUR
100+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
50+1.62 EUR
100+1.59 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1
Produktcode: 188954
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1
Produktcode: 197743
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.11 EUR
50+4.26 EUR
100+3.89 EUR
500+3.24 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.43 EUR
34+4.06 EUR
35+3.87 EUR
50+3.62 EUR
100+3.25 EUR
250+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.43 EUR
34+4.06 EUR
35+3.87 EUR
50+3.62 EUR
100+3.25 EUR
250+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPP052N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 542 Stücke:
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2+2.76 EUR
10+2.31 EUR
100+1.83 EUR
250+1.69 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP052N06L3GInfineon technologies
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1
Produktcode: 202355
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.94 EUR
100+1.59 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
75+1.86 EUR
100+1.52 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 115W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5Infineon
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+2.02 EUR
100+1.67 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.43 EUR
51+2.73 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.42 EUR
10+4.1 EUR
25+3.94 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GInfineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.3 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.3 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.3 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP054NE8NGHKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.62 EUR
100+1.27 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGinfineon08+
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.49 EUR
117+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
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2+2.32 EUR
10+1.62 EUR
100+1.27 EUR
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2500+0.93 EUR
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IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP055N03LGXKSA1
Produktcode: 202356
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP055N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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90+1.6 EUR
100+1.46 EUR
500+1.04 EUR
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
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238+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 238
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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60+2.41 EUR
86+1.61 EUR
113+1.18 EUR
200+1.07 EUR
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1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
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41+3.53 EUR
83+1.67 EUR
100+1.45 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
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IPP055N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1127 Stücke:
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IPP057N06N3
Produktcode: 113416
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
JHGF: THT
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IPP057N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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2+2.8 EUR
10+2.32 EUR
100+1.85 EUR
250+1.83 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP057N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 492 Stücke:
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400+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.76 EUR
198+0.7 EUR
200+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 365 Stücke:
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1+2.99 EUR
10+2.41 EUR
100+1.99 EUR
500+1.4 EUR
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IPP057N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
50+2.24 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1
Produktcode: 207071
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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IPP057N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.92 EUR
250+2.69 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.11 EUR
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IPP057N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.02 EUR
53+2.63 EUR
100+1.65 EUR
250+1.57 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.9 EUR
87+1.59 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.9 EUR
87+1.59 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+2.09 EUR
100+1.97 EUR
500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.02 EUR
59+2.35 EUR
100+2.13 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
50+2.79 EUR
100+2.52 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.31 EUR
100+1.74 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.01 EUR
78+1.77 EUR
82+1.63 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+3.29 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 133000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.01 EUR
67000+1.77 EUR
100500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP057N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.01 EUR
78+1.77 EUR
82+1.63 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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IPP05CN10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NINFINEON
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 314-318 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+5.09 EUR
100+4.17 EUR
500+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP05N03LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
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IPP05N03LBGinfineon07+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP060N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+2.13 EUR
100+1.62 EUR
250+1.47 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.15 EUR
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IPP060N06NInfineon TechnologiesDescription: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
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IPP060N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IPP060N06NAKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.74 EUR
91+1.53 EUR
111+1.2 EUR
200+1.08 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
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IPP060N06NAKSA1
Produktcode: 202357
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.85 EUR
100+1.64 EUR
250+1.63 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.48 EUR
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IPP062NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+3.43 EUR
100+2.73 EUR
250+2.52 EUR
500+2.29 EUR
1000+1.97 EUR
2500+1.87 EUR
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IPP062NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
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IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3
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IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
710+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 710
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N03LGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
609+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 609
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N04N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 952
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N04NGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N06LGINF
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP065N06LGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.42 EUR
50+6.18 EUR
100+5.68 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.24 EUR
10+6.16 EUR
100+6.07 EUR
500+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10LINFINEON
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
208+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.3 EUR
125+1.11 EUR
143+0.93 EUR
152+0.84 EUR
166+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3
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IPP06N03LAHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IPP070N06
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
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IPP070N06LGinfineon08+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP070N06LGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IPP070N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N06NGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IPP070N06NGINInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N08N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3 GInfineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+2.76 EUR
100+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
10+2.73 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 4497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+2.02 EUR
100+1.83 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.73 EUR
99+1.4 EUR
102+1.3 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
103+1.34 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.24 EUR
94+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 68 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
50+2.33 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3 GInfineon
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.6 EUR
25+7.94 EUR
50+7.35 EUR
100+6.83 EUR
250+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.16 EUR
10+4.05 EUR
100+3.03 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.25 EUR
2500+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GInfineon technologies
auf Bestellung 24500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1
Produktcode: 122947
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
50+2.97 EUR
100+2.72 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 12882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.74 EUR
84+1.64 EUR
100+1.56 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 12885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.74 EUR
84+1.64 EUR
100+1.57 EUR
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2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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34+4.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 34
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IPP076N12N3 GInfineon
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IPP076N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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1+4.8 EUR
10+4.21 EUR
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IPP076N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.23 EUR
38+3.69 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.74 EUR
42+3.31 EUR
100+2.72 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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41+3.5 EUR
45+3.09 EUR
100+2.54 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.16 EUR
50+2.83 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.15 EUR
38+3.71 EUR
100+3.06 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IPP076N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.76 EUR
29+4.76 EUR
50+3.7 EUR
100+3.33 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IPP076N15N5Infineon
auf Bestellung 38500 Stücke:
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IPP076N15N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.17 EUR
24+5.86 EUR
50+4.29 EUR
200+3.89 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
50+2.73 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP076N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
1+8.52 EUR
25+4.45 EUR
100+4.19 EUR
250+4.14 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.66 EUR
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.05 EUR
16+8.73 EUR
25+8.37 EUR
50+7.63 EUR
100+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.3 EUR
30+4.48 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.18 EUR
21+6.69 EUR
50+4.9 EUR
200+4.42 EUR
500+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.3 EUR
30+4.48 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IPP07N03LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP07N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP080N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP080N03LGinfineon07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP080N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+1.94 EUR
100+1.47 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 266000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 343
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IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.85 EUR
223+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.61 EUR
96+1.45 EUR
113+1.17 EUR
200+1.07 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP083N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3
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IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1
Produktcode: 166075
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
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IPP083N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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IPP083N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
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50+1.85 EUR
100+1.66 EUR
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IPP084N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
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IPP084N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
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IPP084N06L3GXKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
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IPP084N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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94+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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IPP084N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP084N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
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IPP084N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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87+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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IPP084N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
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259+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 259
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IPP085N06LGAKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP085N06LGAKSA1 - IPP085N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP085N06LGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
385+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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IPP085N06LGINInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
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IPP086N10N3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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IPP086N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.09 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.18 EUR
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IPP086N10N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
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IPP086N10N3GInfineon technologies
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP086N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.26 EUR
88+1.58 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.65 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.18 EUR
70+1.97 EUR
100+1.72 EUR
200+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.47 EUR
50+2.22 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+3.06 EUR
100+2.45 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.76 EUR
2500+1.67 EUR
5000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP08CN10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP08CN10LGINFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP08CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP08CNE8NGROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP08CNE8NG - IPP08CNE8 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP08CNE8NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
341+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 341
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP091N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHAN TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP093N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
500+2.53 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.24 EUR
5000+1.18 EUR
10000+1.14 EUR
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IPP093N06N3GInfineon technologies
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP093N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP093N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP093N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
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144+1 EUR
Mindestbestellmenge: 144
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IPP093N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP093N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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IPP093N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP093N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP095N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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1+7.52 EUR
10+3.91 EUR
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
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IPP095N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 500 Stücke:
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33+4.46 EUR
36+3.9 EUR
37+3.6 EUR
100+3.34 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IPP095N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP096N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP096N03LGINFINEONTO220 10+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP096N03LGHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP096N03LGHKSA1 - IPP096N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP096N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
auf Bestellung 13100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
831+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 831
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IPP09N03LAROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP09N03LA - IPP09N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP09N03LA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPP09N03LAHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IPP100N04S204AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S204AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP100N04S204AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
182+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 182
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IPP100N04S204AKSA2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S204AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP100N04S2L-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA1 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S2L03AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
172+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S3-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+7.66 EUR
100+6.28 EUR
250+6.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S303AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S303AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S303AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S4-03DInfineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S4-H2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S403DXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N04S4H2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S205AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
293+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 293
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S205AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S205AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
293+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 293
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IPP100N06S205AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP100N06S2L-05INFINEON
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L05AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
10+5.36 EUR
100+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.15 EUR
10+3.71 EUR
100+3.52 EUR
500+2.87 EUR
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IPP100N06S2L05AKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S3-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N06S3L-04INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IPP100N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GInfineon technologies
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+2.59 EUR
100+2.06 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.4 EUR
5000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.23 EUR
10+6.49 EUR
100+5.33 EUR
500+4.52 EUR
1000+3.82 EUR
2500+3.63 EUR
5000+3.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+6.44 EUR
100+5.28 EUR
500+4.49 EUR
1000+3.77 EUR
2500+3.59 EUR
5000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+5.72 EUR
25+5.1 EUR
100+4.61 EUR
250+4.36 EUR
500+4.1 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N10S3-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.17 EUR
10+5.46 EUR
500+5.37 EUR
1000+4.59 EUR
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IPP100N10S3-05
Produktcode: 176365
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP100N10S305AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N10S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.05 EUR
10+6.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP100N10S305AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N10S305AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.06 EUR
10+4.28 EUR
500+3.89 EUR
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IPP100N12S305AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N12S305AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
119+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N12S305AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N18N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 13A TO-220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N18N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
92+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100P03P3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP10N03LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP10N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.76 EUR
10+5.16 EUR
100+4.26 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.43 EUR
25+13.27 EUR
50+12.26 EUR
100+11.38 EUR
250+10.58 EUR
500+9.86 EUR
1000+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3 GInfineon
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GInfineonN-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 38818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.01 EUR
39+3.43 EUR
50+3.23 EUR
100+2.88 EUR
250+2.48 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 16254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.23 EUR
50+3.75 EUR
100+3.41 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.15 EUR
21+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+3.92 EUR
100+3.57 EUR
500+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 38818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.02 EUR
39+3.43 EUR
50+3.24 EUR
100+2.88 EUR
250+2.49 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP110N20N3GXKSA1
Produktcode: 144237
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.09 EUR
10+12.58 EUR
25+9.82 EUR
100+9.05 EUR
500+7.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+8.5 EUR
100+7.78 EUR
500+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+8.5 EUR
100+7.78 EUR
500+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.07 EUR
14+9.89 EUR
50+6.79 EUR
100+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP110N20NAXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+4.38 EUR
100+3.61 EUR
500+3.04 EUR
1000+2.69 EUR
2500+2.59 EUR
5000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+2.89 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+2.89 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.64 EUR
67+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.64 EUR
67+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
50+3.31 EUR
100+3.18 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.09 EUR
57+2.43 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.39 EUR
60+2.31 EUR
100+2 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH