Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPP-2011 | Innovative Power Products | IPP-2011 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP-2014 | Innovative Power Products | Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP-2031 | Innovative Power Products | IPP-2031 | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP-2254 | Innovative Power Products | IPP-2254 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP-3175 | Innovative Power Products | Directional Couplers With Connectors | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP-8063 | --- | Directional coupler that covers 225-2500MHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP-RB201-2R0 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP-RB203-300 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP-RB216-100 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP011N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP011N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 1050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm | auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP011N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP011N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 201A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 3441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Part Status: Active Packaging: Tube | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP013N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP013N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP013N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2S | Infineon Technologies | IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2S | Infineon Technologies | IPP014N06NF2S | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 198A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP014N08NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP014N08NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP015N04N G | Infineon | IPP015N04N G IPP015N04NG N-CH. POWER MOS TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04N G | Infineon | auf Bestellung 3550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP015N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04N G | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 3021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP015N04NF2SAKMA1 Produktcode: 202345
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 193A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 106nC | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Part Status: Active | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04NG | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP015N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon | N-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 194A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 Produktcode: 202346
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 Produktcode: 183516
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 80 В Drain-Strom Idd, A: 196 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12000/170 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 131000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 261500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP018N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V | auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP018N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP019N06NF2SAKMA1 Produktcode: 202347
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