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Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

auf Bestellung 3138 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.84 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SQJ110EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ110EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 18479 Stücke:

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1+	3.96 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.46 EUR
3000+	1.38 EUR
6000+	1.34 EUR

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SQJ114ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.27 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ116EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 3140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.17 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ118ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.8 EUR
6000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ118ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SQJ120ELP-T1/GE3

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.59 EUR
137+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.43 EUR
90+	2.59 EUR
137+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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SQJ120ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	3.8 EUR
104+	2.25 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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SQJ120EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.88 EUR
16+	1.36 EUR
25+	1.23 EUR
100+	1.08 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.8 EUR
104+	2.25 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ122ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.68 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.62 EUR
111+	2.11 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.62 EUR
111+	2.11 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP

Trans MOSFET P-CH 12V 238A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.97 EUR
79+	2.98 EUR
115+	1.87 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.98 EUR
115+	1.87 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

auf Bestellung 2630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ126EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2635 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.94 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5028 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.07 EUR
73+	3.2 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ126EP-T1_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5028 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.2 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 1150 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm

auf Bestellung 2983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.59 EUR
85+	2.74 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ128ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 21951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.55 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.46 EUR
3000+	1.37 EUR

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SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 1150 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm

auf Bestellung 2983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.74 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ131ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2.23 EUR
3000+	1.37 EUR
9000+	1.32 EUR

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SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ136ELP-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.95 EUR
75+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.12 EUR
6000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 6488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 182A; Idm: 534A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 182A
Pulsed drain current: 534A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 315A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.52 EUR
87+	2.69 EUR
128+	1.68 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.02 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.69 EUR
128+	1.68 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 30919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.2 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 28243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ138EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.25 EUR
3000+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	0.95 EUR
9000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 20555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.18 EUR
95+	2.46 EUR
140+	1.54 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.04 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ140ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 31808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

auf Bestellung 11551 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.69 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 20555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
140+	1.54 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.04 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SQJ140EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 8040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.43 EUR
93+	2.51 EUR
131+	1.64 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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SQJ140EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 62630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.98 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ140EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 8040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
131+	1.64 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SQJ140EP-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 154A; Idm: 385A
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 385A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 49.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 154A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ141ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.16 EUR
10+	2.67 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.45 EUR
3000+	1.23 EUR
6000+	1.21 EUR

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SQJ141ELP-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SQJ141ELP-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ142ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V

auf Bestellung 2779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.25 EUR
11+	2.06 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SQJ142ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

auf Bestellung 14440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.27 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.88 EUR
9000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ142EP-T1-GE3-J

Vishay MOSFET 40V NCH 175C

Produkt ist nicht verfügbar

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SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	3.82 EUR
103+	2.26 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.09 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ142EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 36761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.09 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.82 EUR
103+	2.26 EUR
155+	1.39 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ142EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.37 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ144EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 20866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.49 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.22 EUR
124+	1.88 EUR
185+	1.15 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	3.22 EUR
124+	1.88 EUR
185+	1.15 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 78 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	2.05 EUR
12+	1.83 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ146ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm

auf Bestellung 14965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.07 EUR
130+	1.8 EUR
196+	1.09 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
5000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ146ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

auf Bestellung 32168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm

auf Bestellung 14965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	3.07 EUR
130+	1.8 EUR
196+	1.09 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
5000+	0.7 EUR

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SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

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SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

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500+	0.94 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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SQJ146EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 31362 Stücke:

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100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ146EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2850 Stücke:

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3000+	0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ146EP-T1_JE3

Description: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

auf Bestellung 50 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SQJ147ELP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1"GE3 - P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 42AJ0842
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
directShipCharge: 25

auf Bestellung 4485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	1.73 EUR
179+	1.3 EUR
210+	1.02 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 145 Stücke

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SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	3.2 EUR
122+	1.92 EUR
182+	1.18 EUR
500+	0.96 EUR
1500+	0.88 EUR

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SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

auf Bestellung 428 Stücke:

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130+	1.34 EUR
131+	1.31 EUR
135+	1.25 EUR
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250+	0.93 EUR

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SQJ147ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.73 EUR
9000+	0.7 EUR
15000+	0.67 EUR
21000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ147ELP-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 40V; 90A; 183W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 183W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SQJ147ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 91128 Stücke:

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2+	2.93 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SQJ147ELP-T1_GE3