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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJ110EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ110EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ110EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 18479 Stücke:
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1+3.96 EUR
10+2.76 EUR
100+1.96 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.38 EUR
6000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ114ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.87 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ114ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 33A; Idm: 126A
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 115W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ116EP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ118ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ118ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120ELP-T1/GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
98+2.39 EUR
145+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
145+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
16+1.36 EUR
25+1.23 EUR
100+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
104+2.25 EUR
155+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120EP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ120EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
104+2.25 EUR
155+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ122ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ122ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
117+1.99 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ122ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
117+1.99 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELPVishayTrans MOSFET P-CH 12V 238A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
115+1.87 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.98 EUR
100+2.39 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELP-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.51 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
79+2.98 EUR
115+1.87 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ123ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
106+2.02 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
73+3.2 EUR
106+2.02 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ128ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 1150 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 21939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.23 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.55 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ128ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 1150 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
70+3.32 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ131ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ131ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ131ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.45 EUR
100+2.34 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.92 EUR
3000+1.37 EUR
9000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ136ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
75+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.44 EUR
9000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ136ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
106+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
10+3.21 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 6473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 182A; Idm: 534A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 182A
Pulsed drain current: 534A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
82+2.86 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 315A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 30919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.45 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 28243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.3 EUR
100+1.62 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138EP-T1_JE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ138EP-T1_NE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.09 EUR
100+1.5 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
auf Bestellung 11551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.36 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
95+2.46 EUR
140+1.54 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 31738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+1.78 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.95 EUR
9000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
140+1.54 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
131+1.64 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 154A; Idm: 385A
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 385A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 49.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 154A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
93+2.51 EUR
131+1.64 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ140EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 57044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+1.93 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ141ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -134A; Idm: -322A; 500W
Pulsed drain current: -322A
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Drain current: -134A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.82 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.23 EUR
6000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
auf Bestellung 14440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
3000+0.88 EUR
9000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 175A; 190W
Application: automotive industry
Power dissipation: 190W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 175A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1-GE3-JVishayVishay MOSFET 40V NCH 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.39 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 36761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.39 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
13+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ142EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.09 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ144EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
124+1.88 EUR
185+1.15 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ144EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ144EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 20866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.49 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ144EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
124+1.88 EUR
185+1.15 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ144EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
12+1.83 EUR
100+1.43 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
auf Bestellung 32168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 88A; 75W
Application: automotive industry
Power dissipation: 75W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 88A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
14+1.56 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 31362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.4 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146EP-T1_JE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ146EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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