Produkte > SQJ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| SQJ110EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET, 6.3 mO 10V | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ123ELP | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 238A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ123ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ123ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V | auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ123ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ123ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ126EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ126EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ126EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 0.0007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ126EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ126EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 0.0007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ128ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 437A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ128ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 11339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ128ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ128ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 437A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ128ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 350A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ136ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 315A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ138ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 315A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 20854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ138ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ138ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 315A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ138EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ138EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ138EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 5473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ140ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ140ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 263W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 20834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ140ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ140ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ140EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 68830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ142ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S) | auf Bestellung 16625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ142ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ142EP-T1-GE3-J | Vishay | Vishay MOSFET 40V NCH 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 167A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 191W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ142EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 36761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ142EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 167A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 191W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ142EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ144EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 20866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ144EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ144EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ144EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ144EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S) | auf Bestellung 32922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ146ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ146EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 31696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ146EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ146EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 23181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 130475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ147ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ147ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ148EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ148EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ148EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ150EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 10960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ150EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8 | auf Bestellung 3048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ152ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ152ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ152ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ152ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 123A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ152ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ152ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S) | auf Bestellung 8361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ152ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ152EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In PressFit 400V 1500uF 18K Hrs Life 5pin | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ154EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 243A Automotive AEC-Q101 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ154EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 243A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 14123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ154EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ154EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 243A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 14123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ154EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs | auf Bestellung 11557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ154EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ158EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ158EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 70612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ158EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ158EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ160EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ160EP-T1_GE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ160EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ160EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101 | auf Bestellung 2737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ162EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ162EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ162EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 5 mohm a. 10V | auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ162EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ162EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ164ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ164ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ164ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 26109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ164ELP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ164ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ168ELP | Vishay | SQJ168ELP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ168ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ168ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ168ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ170ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V | auf Bestellung 4001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ170ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 10289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ170ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ170ELP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ174EP-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ174EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 293A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL | auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ174EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ174EP-T2-GE3 | Vishay | Vishay MOSFET 60V NCH 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ180EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ180EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 10897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ182EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 32473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ182EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 395W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ182EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ182EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ182EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ182EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 210A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ184EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ184EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ184EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET | auf Bestellung 4655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ184EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ184EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ185ELP-T1/GE3 | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ185ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF | auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| SQJ186ELP-T1/GE3 | Vishay | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ186ELP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V | auf Bestellung 5233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 25023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ186EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 9449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ186EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ190ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L, 50 mohm a. 10V, 58 mohm a. 4.5V | auf Bestellung 5129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ200EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 0.0031 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ200EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 0.0031 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ202EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ202EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ202EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ208EP-T1/GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ208EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ208EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20A/60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ208EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 71620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ208EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 22487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ211ELP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.0242 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0242ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ211ELP-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ244EP-T1_BE3 | Vishay General Semiconductor | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1/GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ260EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1/GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ262EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ262EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay | DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ264EP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A/54A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ264EP-T1/GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ264EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ264EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ264EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE | auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ401EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ401EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V | auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ401EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ401EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ401EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 38314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ401EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1"GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V | auf Bestellung 6949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 Produktcode: 155826
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 8453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 33480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 8453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ402EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ402EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 25917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 6255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403BEEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403EEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 21896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ403EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ403EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm | auf Bestellung 11895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 55151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm | auf Bestellung 11895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ407EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Vishay | P Channel Trans MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 6279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | VISHAY | SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 83000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 73364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 83000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 8939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 8939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T2/GE3 | Vishay | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 48393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay | Automotive P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ410EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8 | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ410EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ410EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ410EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 26198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V | auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ411EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5758 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ412EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ414EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ414EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ414EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ414EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ415EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ415EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 4236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ415EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ416EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 53243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1 Produktcode: 147924
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ418EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 48 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 48576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 48 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ418EP-T2_GE3 | Vishay | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ420EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ420EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay | Automotive N-Channel 40 V D-S 175 C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 27891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_BE3 | VISHAY | SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 9491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V | auf Bestellung 8873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 4047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 5568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 5568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ423EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ423EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 55A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 111632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay | P-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_BE3 | VISHAY | SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 40592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.254 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431AEP-T2-GE3 | Vishay | Vishay MOSFET 200V PCH 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 30196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -200V Drain current: -12A On-state resistance: 527mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -200V Drain current: -12A On-state resistance: 527mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 51644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ431EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 30684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431AEP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ431EPT1-GE3 | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ433EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ433EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ433EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ433EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443AEP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443AEP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ443EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 26703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_BE3 | Vishay | SQJ443EP-T1_BE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -23A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -23A; 28W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -23A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 59667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T2_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ443EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ443EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ444EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 47713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ444EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ446EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ446EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ446EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ446EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | auf Bestellung 2135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.118 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 17707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ454EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ456EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ456EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJA72EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ456EP-T2_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 125538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_BE3 | Vishay | SQJ457EP-T1_BE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 1392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 133140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ457EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ457EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V | auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_BE3 | VISHAY | SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 68500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 8557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 68970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm | auf Bestellung 1963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 44095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T2_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 76933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ459EP-T2_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T2_GE3 | Vishay | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ459EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V | auf Bestellung 4395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ460AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ460AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ460AEP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 10460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ460AEP-T2_GE3 | Vishay | Automotive N Channel 60 V 175 C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ460EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ461EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ461EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 17503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ461EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ461EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ463EP-T1"GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ463EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET SQ Series Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 Produktcode: 170979
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive | auf Bestellung 1377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ463EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3 | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ463EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm | auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1/BE3 | Vishay | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V | auf Bestellung 11585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 84681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ464EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ465EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 2794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ465EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ465EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 13599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 42662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ465EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | auf Bestellung 13967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 31388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ469EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 31568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 29727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ474EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ474EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | auf Bestellung 2812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 13250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 45W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 17150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 13250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 45W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 45W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ476EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 229994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | auf Bestellung 8392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 Produktcode: 194623
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 50767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ479EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T1"GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9937 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_BE3 | Vishay | P-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 27425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 45803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -9.2A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2416 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 26734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 Produktcode: 191995
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| Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| SQJ481EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -9.2A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ481EP-T2-GE3 | Vishay | Vishay MOSFET 80V PCH 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ486EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ486EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 17A Power dissipation: 56W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ486EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 17A Power dissipation: 56W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 24829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 290-294 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6073 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6073 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 20968 Stücke: Lieferzeit 740-744 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T2_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T2_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T2_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T2_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T2_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T2_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ488EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N and P CH 40V (D-S) | auf Bestellung 45348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ500AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 66465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 8A 48W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ500EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ504EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ504EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs | auf Bestellung 8528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ504EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ504EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ504EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0061 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0061ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1/BE3 | Vishay | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 11893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 53887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ560EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ570EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 48903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ570EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ740EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 93W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ740EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V | auf Bestellung 3566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ746ELP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 2572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ840EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ840EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ840EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ840EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 23688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ844EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ848AEP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ848EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ848EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8 | auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ848EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ848EPT1-GE3 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4 | auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ850EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ850EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ850EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 52342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 9365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ858AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ858EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ860EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 61859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 56809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 127214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 8429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 58749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 11060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ910AEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 11060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ910EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | auf Bestellung 5369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 40630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912AEP-T2_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) | auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912BEP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.009 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.009ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 14003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE | auf Bestellung 22632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912DEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ912EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 Produktcode: 180512
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| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 55768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ941EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17W, 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ942EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ946EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V | auf Bestellung 53266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 20985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ958EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ958EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 17947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 2545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 80248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ960EP-T1_GE3 Produktcode: 186737
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| SQJ962EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay | SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 18140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ964EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 18 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung, p-Kanal: 25 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 31906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ968EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ970EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ970EPT1-GE3 | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_BE3 | Vishay | Dual N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_BE3 | Vishay | MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 3746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 16W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25.5mΩ Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 59147 Stücke: Lieferzeit 508-512 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 16W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25.5mΩ Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A | auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ980AEP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 75V 17A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ980AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ980AEP-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ980AEP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ980AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 31238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ980AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ980AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ990EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 34 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJ992EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 8620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA00EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA02EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA02EP-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA04EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA04EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA04EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA04EP-T1_GE3 | Vishay | Automotive N-Channel 60 V D-S 175 Degreec Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA04EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 228-232 Tag (e) |
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| SQJA04EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA06EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA06EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA06EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA16EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA16EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA16EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 38048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA16EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA20EP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 200V 22.5A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA20EP-T1/BE3 | Vishay | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA20EP-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SQJA20EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJA20EP-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |