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BGA

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DMN-8100 C0

02+

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DMN-8100 C0

02+

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DMN-8100CO

BGA

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BGA

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DMN-8600

N/A

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DMN-8600

04+ QFP

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DMN-8600 BO

BGA

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DMN-8600 BO

BGA

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DMN-8600 D0

BGA

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DMN-8600DU

03+

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DMN-8602

06+ PBGA308;

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DMN-8602

BGA 04+

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DMN-8602 BO

BGA

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DMN-8602 BO

03+

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DMN-8602 BO

BGA

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DMN-8602-BO

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DMN-8602B0

LSILOGIG

0614+

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DMN-8602BO

QFP

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DMN-8602BO

QFP

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DMN-8602BO

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DMN-8602BO

05+

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DMN-8603

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DMN-8603B1

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DMN-8623

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DMN-8652

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DMN-8652 BO

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DMN-8652B0

2005 BGA

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DMN-8652BO

BGA

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DMN-8652BO

06PB

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DMN-8652BO

BGA

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DMN-8802BO

BGA

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DMN100

MOSFET

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DMN100

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DMN100-7

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

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DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

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195+	0.8 EUR
197+	0.77 EUR
254+	0.57 EUR
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500+	0.39 EUR
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DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

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16+	1.69 EUR
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500+	0.85 EUR
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DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

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191+	0.79 EUR
195+	0.75 EUR
197+	0.71 EUR
254+	0.53 EUR
267+	0.48 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 165

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

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3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

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DMN100-7-F

MOSFET N-Channel

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DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN1001UCA10-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Kind of channel: enhanced
Case: X2-TSN1820-10
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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DMN1001UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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24+	2.25 EUR
30+	1.79 EUR
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500+	1.2 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.83 EUR

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DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

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DMN1001UCA10-7

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DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

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DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

auf Bestellung 21000 Stücke:

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3000+	0.87 EUR
6000+	0.82 EUR
9000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

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DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

auf Bestellung 21000 Stücke:

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DMN1002UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

auf Bestellung 21000 Stücke:

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DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

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DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

auf Bestellung 21000 Stücke:

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3000+	0.89 EUR
6000+	0.85 EUR
9000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1003UCA6-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

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25+	2.08 EUR
31+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

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DMN1003UFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

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DMN1003UFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V

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DMN1003UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

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DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1004UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

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DMN1004UFDF-13

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

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DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1004UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6

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DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
24+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1004UFDF-7

auf Bestellung 2105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1004UFDF-7

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DMN1004UFDF-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 11681 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.31 EUR
47+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.46 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 40

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.45 EUR
9000+	0.42 EUR
30000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN1004UFV-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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DMN1004UFV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

auf Bestellung 92885 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN1004UFV-13

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DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1004UFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerDI®3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1846 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

186+	0.39 EUR
207+	0.35 EUR
246+	0.29 EUR
260+	0.28 EUR
2000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 186

DMN1004UFV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.38 EUR
45+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.52 EUR
2000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN1004UFV-7

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR
10000+	0.41 EUR
50000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN1004UFV-7

auf Bestellung 1846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.39 EUR
207+	0.35 EUR
246+	0.29 EUR
260+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 186

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN1004UFV-7

auf Bestellung 105842 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN1004UFV-7

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1006UCA6-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1006UCA6-7

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DMN1006UCA6-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.88 EUR
32+	1.67 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

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DMN1006UCA6-7-01

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 599900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.31 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN1008UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 590000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.27 EUR
30000+	0.26 EUR
50000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1008UFDF-13

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DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 1250000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1008UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDF-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 167535 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
30+	0.88 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 100376 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
67+	0.78 EUR
107+	0.49 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 52

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR
9000+	0.27 EUR
30000+	0.26 EUR
75000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1008UFDF-7

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DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K

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DMN1008UFDFQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDFQ-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDFQ-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1008UFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V

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DMN1008UFDFQ-7

auf Bestellung 237000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
75000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K

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DMN1008UFDFQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

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DMN1014UFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

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DMN1014UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN1014UFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

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DMN1014UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 2954 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.55 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DMN1016UCB6-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.73 EUR
35+	1.5 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 31

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

auf Bestellung 3520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
19+	1.43 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 16

DMN1017UCP3-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.64 EUR
37+	1.41 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 32

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 2146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	0.6 EUR
306+	0.49 EUR
309+	0.47 EUR
395+	0.35 EUR
399+	0.34 EUR
508+	0.25 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 259

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

auf Bestellung 1668000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR
9000+	0.34 EUR
30000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 495000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UFDE-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 2146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

309+	0.51 EUR
395+	0.38 EUR
399+	0.36 EUR
508+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 309

DMN1019UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 27950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
60+	0.88 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.36 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 50

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

auf Bestellung 1669861 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
27+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN1019UFDE-7

auf Bestellung 1703 Stücke:

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DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

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DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USN

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

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DMN1019USN-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 8375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

402+	0.39 EUR
580+	0.26 EUR
587+	0.25 EUR
592+	0.24 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 402

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.26 EUR
30000+	0.25 EUR
50000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 42698 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

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DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 8375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

280+	0.56 EUR
343+	0.44 EUR
402+	0.36 EUR
580+	0.24 EUR
587+	0.23 EUR
592+	0.22 EUR
1000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 280

DMN1019USN-13

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DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

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DMN1019USN-13

MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

auf Bestellung 71234 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.85 EUR
111+	0.47 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.28 EUR
100000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

auf Bestellung 59248 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
31+	0.86 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.32 EUR
2000+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 42698 Stücke:

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DMN1019USN-13
Produktcode: 121899

Transistoren > MOSFET N-CH

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DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

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DMN1019USN-7

auf Bestellung 363721 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
31+	0.84 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 357000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USN-7

MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

auf Bestellung 57650 Stücke:

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48+	1.09 EUR
62+	0.85 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN1019USN-7

auf Bestellung 360000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
75000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

auf Bestellung 10440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

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DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

auf Bestellung 10440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
12000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1019USNQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10K

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DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

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DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019USNQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K

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DMN1019UVT-13

MOSFET 12V Enh Mode FET

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DMN1019UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN1019UVT-13

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DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

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DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

auf Bestellung 149711 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN1019UVT-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1019UVT-7

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
30000+	0.24 EUR
75000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
15000+	0.14 EUR
30000+	0.13 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1019UVT-7

MOSFET 12V Enh Mode FET

auf Bestellung 13152 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.84 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN1019UVT-7

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DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

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DMN1025UFDB-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

auf Bestellung 2183 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
68+	0.77 EUR
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1000+	0.3 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 54

DMN1025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

315+	0.23 EUR
400+	0.18 EUR
450+	0.16 EUR
515+	0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 315

DMN1025UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN1025UFDB-7

auf Bestellung 2690 Stücke:

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315+	0.23 EUR
400+	0.18 EUR
450+	0.16 EUR
515+	0.14 EUR
545+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 315

DMN1029UFDB-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1029UFDB-13

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1029UFDB-13

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DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

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DMN1029UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar

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DMN1029UFDB-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

auf Bestellung 16200 Stücke:

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47+	1.11 EUR
69+	0.76 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR
24000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 47

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 149772 Stücke:

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34+	0.78 EUR
43+	0.61 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.24 EUR

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DMN1029UFDB-7

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DMN1029UFDB-7

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DMN1029UFDB-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

auf Bestellung 48000 Stücke:

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DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

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DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

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DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

auf Bestellung 48049 Stücke:

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DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

auf Bestellung 16939 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	0.93 EUR
197+	0.77 EUR
212+	0.69 EUR
262+	0.53 EUR
264+	0.51 EUR
500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 169

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

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DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

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DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

auf Bestellung 1330 Stücke:

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DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

auf Bestellung 5174 Stücke:

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16+	1.72 EUR
18+	1.5 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 16

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1045UFR4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R

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DMN1045UFR4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: X2-DFN1010-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.26W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

auf Bestellung 73421 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN1045UFR4-7

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DMN1045UFR4-7

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DMN1045UFR4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

auf Bestellung 14322 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
67+	0.78 EUR
149+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR
24000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 47

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 30789 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.05 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 50

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
31+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 27

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

auf Bestellung 5976 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN1054UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET

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DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

auf Bestellung 945000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR
9000+	0.51 EUR
30000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1054UCB4-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

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DMN1054UCB4-7

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DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

auf Bestellung 947642 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H099SFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN10H099SFG-13

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

auf Bestellung 8040 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.4 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 33

DMN10H099SFG-13

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DMN10H099SFG-7

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DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H099SFG-7

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

auf Bestellung 1971 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.38 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.6 EUR
4000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 33

DMN10H099SFG-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
18+	1.46 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 16

DMN10H099SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
5000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H099SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H099SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 5730 Stücke:

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18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN10H099SK3-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

auf Bestellung 4958 Stücke:

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37+	1.43 EUR
42+	1.27 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 37

DMN10H099SK3-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 49728 Stücke:

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17+	1.55 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.76 EUR

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DMN10H100SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.68 EUR
5000+	0.64 EUR
12500+	0.6 EUR
25000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H100SK3-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DMN10H120SE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

auf Bestellung 3739 Stücke:

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35+	1.5 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 978275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 975000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H120SE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 977500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.47 EUR
12500+	0.44 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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DMN10H120SE-13

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DMN10H120SFG-13

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H120SFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN10H120SFG-13

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DMN10H120SFG-13

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 1019848 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN10H120SFG-13

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

auf Bestellung 3026 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.57 EUR
39+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 1017000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.52 EUR
30000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 1017000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 210281 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN10H120SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H120SFG-7

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

auf Bestellung 5797 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
39+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H120SFG-7

auf Bestellung 1982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 204000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H120SFG-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H120SFG-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H170SFDE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H170SFDE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

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DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm

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DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

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DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN10H170SFDE-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

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43+	1.23 EUR
50+	1.05 EUR
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DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors

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DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.03W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

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DMN10H170SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN10H170SFG-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

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38+	1.4 EUR
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3000+	0.47 EUR
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DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors

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DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

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17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
25+	1.23 EUR
100+	0.98 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.6 EUR

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DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

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3000+	0.55 EUR

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DMN10H170SFG-7

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17+	1.53 EUR
20+	1.32 EUR
25+	1.23 EUR
100+	0.98 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
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DMN10H170SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN10H170SFG-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

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38+	1.4 EUR
47+	1.12 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.71 EUR
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2000+	0.47 EUR
10000+	0.46 EUR

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DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors

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DMN10H170SFG-7

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DMN10H170SFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

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DMN10H170SFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K

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DMN10H170SFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

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DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

auf Bestellung 164569 Stücke:

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26+	1.01 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.47 EUR

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DMN10H170SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors

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DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

auf Bestellung 162500 Stücke:

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2500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H170SK3-13

MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A

auf Bestellung 39906 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.38 EUR
43+	1.22 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 727500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.58 EUR
12500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H170SK3Q-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V

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DMN10H170SK3Q-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors

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DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 732505 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.41 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN10H170SVT-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

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DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors

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DMN10H170SVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors

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DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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DMN10H170SVT-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

auf Bestellung 49225 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 43

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

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DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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DMN10H170SVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS

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DMN10H170SVTQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
20+	1.33 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors

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DMN10H170SVTQ-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

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DMN10H220L

MOSFET

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DMN10H220L-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

auf Bestellung 8884 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
60+	0.87 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.36 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 52

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR
50000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN10H220L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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DMN10H220L-13

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DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

auf Bestellung 58657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

256+	0.61 EUR
313+	0.48 EUR
317+	0.46 EUR
423+	0.33 EUR
427+	0.31 EUR
547+	0.23 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 256

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

auf Bestellung 58657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1966 Stücke:

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317+	0.49 EUR
423+	0.36 EUR
427+	0.34 EUR
547+	0.26 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 317

DMN10H220L-7

auf Bestellung 588000 Stücke:

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3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
45000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220L-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

auf Bestellung 160299 Stücke:

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53+	0.99 EUR
64+	0.82 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 53

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

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3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
45000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 276000 Stücke:

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DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

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3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220L-7

auf Bestellung 590700 Stücke:

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26+	1.01 EUR
31+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DMN10H220L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

160+	0.44 EUR
365+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 160

DMN10H220L-7

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 160

DMN10H220LDV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LDV-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LDV-7

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H220LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LDV-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 16000 Stücke:

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2000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H220LDV-7

auf Bestellung 1310 Stücke:

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DMN10H220LDV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

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DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 215000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.51 EUR
12500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LE-13

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC

auf Bestellung 8620 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.25 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.56 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LE-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LE-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 216941 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LE-13

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

auf Bestellung 8770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN10H220LFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFDF-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LFDF-7

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 5815 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
62+	0.84 EUR
100+	0.52 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DMN10H220LFDF-7

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LFVW-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-7

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H220LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN10H220LFVW-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LFVW-7

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2497 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

207+	0.35 EUR
262+	0.27 EUR
296+	0.24 EUR
350+	0.2 EUR
370+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 207

DMN10H220LK3-13

auf Bestellung 2497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

207+	0.35 EUR
262+	0.27 EUR
296+	0.24 EUR
350+	0.2 EUR
370+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 207

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LK3-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 17889 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

auf Bestellung 56467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
30+	0.89 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN10H220LK3-13

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.35 EUR
5000+	0.33 EUR
12500+	0.31 EUR
25000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN10H220LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LPDW-13

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN10H220LPDW-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMN10H220LPDW-13

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DMN10H220LPDW-13

MOSFET MOSFET BVDSS61V-100V

auf Bestellung 2496 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
43+	1.22 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.53 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
35+	0.76 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
2000+	0.2 EUR
5000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 495000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 3K

auf Bestellung 164154 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
68+	0.77 EUR
169+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 47

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LQ-7

auf Bestellung 548640 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
35+	0.76 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN10H220LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 2945 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

305+	0.24 EUR
515+	0.14 EUR
575+	0.12 EUR
685+	0.1 EUR
725+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 305

DMN10H220LQ-7

auf Bestellung 2945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	0.24 EUR
515+	0.14 EUR
575+	0.12 EUR
685+	0.1 EUR
725+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 305

DMN10H220LQ-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LQ-7

auf Bestellung 543000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.16 EUR
75000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LQ-7

auf Bestellung 2755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LVT-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LVT-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.07W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LVT-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H220LVT-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

auf Bestellung 26779 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
23+	1.13 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LVT-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

auf Bestellung 2635 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

39+	1.35 EUR
46+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 39

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LVT-7

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H220LVT-7

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H6D2LFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H6D2LFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H6D2LFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H6D2LFDB-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H6D2LFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H6D2LFDB-7

auf Bestellung 2510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H700S-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 6816 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.1 EUR
64+	0.82 EUR
112+	0.47 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.21 EUR
5000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

auf Bestellung 9976 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
2000+	0.21 EUR
5000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN10H700S-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN10H700S-13

DMN10H700S-13 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

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DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

auf Bestellung 17366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
15000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN10H700S-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H700S-7

DMN10H700S-7 SMD N channel transistors

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DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

auf Bestellung 17366 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN10H700S-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 24790 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.08 EUR
68+	0.77 EUR
114+	0.46 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

auf Bestellung 31696 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
32+	0.82 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN1150UFB-7B

MOSFET N-CH MOSFET 12V

auf Bestellung 19099 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
98+	0.54 EUR
197+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR
2500+	0.17 EUR
10000+	0.15 EUR
20000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 53

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

auf Bestellung 257659 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
37+	0.72 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR
2000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN1150UFB-7B

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1150UFB-7B

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DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

auf Bestellung 240000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.15 EUR
50000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

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DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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DMN1150UFL3-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6

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DMN1150UFL3-7

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DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

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DMN1150UFL3-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 5890 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN11M2UCA14-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14

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DMN1250UFEL-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Gate charge: 1.9nC
Case: U-QFN1515-12
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.55Ω
Pulsed drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x8
Power dissipation: 1.25W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN1250UFEL-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

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DMN1250UFEL-7

MOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

auf Bestellung 1947 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
32+	1.66 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DMN1250UFEL-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

auf Bestellung 7552 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

auf Bestellung 274610 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
41+	0.63 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR
2000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DMN1260UFA-7B

MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

auf Bestellung 15780 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
77+	0.68 EUR
137+	0.38 EUR
1000+	0.19 EUR
2500+	0.17 EUR
10000+	0.14 EUR
20000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 59

DMN1260UFA-7B

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

auf Bestellung 260000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.13 EUR
50000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN1260UFA-7B

Produkt ist nicht verfügbar

DMN1260UFA-7B

Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN12M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN12M7UCA10-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.73W
Case: X4-DSN3015-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN12M7UCA10-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN12M7UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.27 EUR
26+	2.01 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.88 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-

Produkt ist nicht verfügbar

DMN12M8UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.69 EUR
36+	1.48 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 31

DMN13H750S-13

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN13H750S-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

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DMN13H750S-13

DMN13H750S-13 SMD N channel transistors

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DMN13H750S-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

auf Bestellung 3399 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.39 EUR
43+	1.21 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 38

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN13H750S-7

DMN13H750S-7 SMD N channel transistors

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DMN13H750S-7

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

auf Bestellung 14096 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.24 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.77 EUR
250+	0.6 EUR
252+	0.58 EUR
347+	0.4 EUR
351+	0.38 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 204

DMN13H750S-7

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN13M9UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 2964 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.49 EUR
26+	2.05 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR
3000+	1.07 EUR

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DMN14M8UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 41

DMN15H310SE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

auf Bestellung 342500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.14 EUR
5000+	1.08 EUR
12500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN15H310SE-13

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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DMN15H310SE-13

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DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

auf Bestellung 349123 Stücke:

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10+	2.73 EUR
12+	2.25 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

DMN15H310SE-13

MOSFET 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

auf Bestellung 3176 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.78 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN15H310SK3

MOSFET

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DMN15H310SK3-13

MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

auf Bestellung 1508 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DMN15H310SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET

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DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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DMN15H310SK3-13

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DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2402 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN15M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K

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DMN15M5UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6

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DMN16M0UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6

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DMN16M0UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN16M9UCA6-7

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

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DMN16M9UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2004DMK

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	0.81 EUR
250+	0.6 EUR
274+	0.53 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 193

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

auf Bestellung 310681 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

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DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

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DMN2004DMK-7

MOSFET Dual N-Channel

auf Bestellung 34541 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 53

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.1 EUR
184+	0.82 EUR
193+	0.76 EUR
250+	0.56 EUR
274+	0.49 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 143

DMN2004DMK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

auf Bestellung 310681 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

38+	0.7 EUR
44+	0.6 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DMN2004DMK-7

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DMN2004DWK

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 634083 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN2004DWK-7

MOSFET Dual N-Channel

auf Bestellung 24194 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
61+	0.85 EUR
107+	0.49 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.3 EUR
9000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 45

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 630000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.27 EUR
75000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004DWK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

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DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2004DWK-7

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DMN2004DWK-7-R

DIODES/ZETEX

2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 200

DMN2004DWKQ-7

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DMN2004DWKQ-7

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DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.24 EUR
30000+	0.23 EUR
75000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004DWKQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2004K

MOSFET

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DMN2004K

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
9000+	0.17 EUR

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DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 34154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2004K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1615 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

295+	0.24 EUR
545+	0.13 EUR
610+	0.12 EUR
705+	0.1 EUR
750+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 295

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 292 Stücke:

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279+	0.56 EUR

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DMN2004K-7

auf Bestellung 1615 Stücke:

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295+	0.24 EUR
545+	0.13 EUR
610+	0.12 EUR
705+	0.1 EUR
750+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 295

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 34154 Stücke:

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DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

auf Bestellung 25310 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
41+	0.64 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DMN2004K-7

MOSFET 20V 540mA

auf Bestellung 82570 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

64+	0.82 EUR
97+	0.54 EUR
228+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
24000+	0.16 EUR
45000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 64

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.11 EUR

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DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004K-7 NAB

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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300+	0.12 EUR

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DMN2004K-7-F

10+ROHS SOT-23

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DMN2004L

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2004TK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

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DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

auf Bestellung 639000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004TK-7

MOSFET 20V N-CHANNEL

auf Bestellung 223581 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
53+	0.98 EUR
100+	0.55 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 43

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004TK-7

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DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

auf Bestellung 642241 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
39+	0.68 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

auf Bestellung 1234767 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2004VK-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

auf Bestellung 1230000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR
75000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004VK-7

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DMN2004VK-7

MOSFET 20V 540mA

auf Bestellung 14272 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
67+	0.78 EUR
123+	0.42 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 50

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

auf Bestellung 176000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
39+	0.68 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR
2000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 27

DMN2004VK-7B

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

auf Bestellung 176000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8000+	0.17 EUR
16000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR
56000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 8000

DMN2004VK-7B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN2004WK

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2004WK-7

MOSFET N-Channel

auf Bestellung 39770 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
74+	0.71 EUR
160+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR
24000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 52

DMN2004WK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2004WK-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6370488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DMN2004WK-7
Produktcode: 183759

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6366000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR
75000+	0.17 EUR
150000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2004WK-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
32+	0.82 EUR
100+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN2004WKQ-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2004WKQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 10711 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
68+	0.77 EUR
141+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN2005DLP4K-7

MOSFET N-Channel

auf Bestellung 23333 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
57+	0.92 EUR
105+	0.5 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DMN2005DLP4K-7

Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

auf Bestellung 132075 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN2005DLP4K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.4W
Case: X2-DFN1310-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

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DMN2005DLP4K-7

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DMN2005DLP4K-7

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

auf Bestellung 123000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.27 EUR
75000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005K

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

auf Bestellung 972000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
30000+	0.2 EUR
75000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

341+	0.46 EUR
424+	0.36 EUR
428+	0.34 EUR
740+	0.19 EUR
748+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 341

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

auf Bestellung 974271 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	0.91 EUR
37+	0.72 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	0.37 EUR
740+	0.2 EUR
748+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 428

DMN2005K-7

MOSFET N-Channel

auf Bestellung 33044 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
76+	0.69 EUR
143+	0.36 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 59

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 1668000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005LP4K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.4W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

352+	0.44 EUR
740+	0.2 EUR
747+	0.19 EUR
755+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 352

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

auf Bestellung 1692000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR
75000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.53 EUR
349+	0.43 EUR
352+	0.41 EUR
740+	0.19 EUR
747+	0.18 EUR
755+	0.17 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 295

DMN2005LP4K-7

MOSFET 20V 300mA

auf Bestellung 71596 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

64+	0.82 EUR
72+	0.73 EUR
153+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 64

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

auf Bestellung 1697672 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005LP4K-7

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DMN2005LP4K-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005LPK-7

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005LPK-7

MOSFET 20V 200mA

auf Bestellung 1692 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
68+	0.77 EUR
148+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005LPK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

447+	0.16 EUR
544+	0.13 EUR
610+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 447

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 2328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

287+	0.55 EUR
369+	0.41 EUR
412+	0.35 EUR
691+	0.2 EUR
710+	0.19 EUR
762+	0.17 EUR
1318+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 287

DMN2005LPK-7

auf Bestellung 2910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

auf Bestellung 49957 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2005LPK-7

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

447+	0.16 EUR
544+	0.13 EUR
610+	0.12 EUR
633+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 447

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

auf Bestellung 2328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

412+	0.38 EUR
691+	0.22 EUR
710+	0.2 EUR
762+	0.18 EUR
1318+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 412

DMN2005LPK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005UFG

MOSFET

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DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005UFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005UFG-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

auf Bestellung 750000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR
30000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005UFG-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

auf Bestellung 4128 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
60+	0.87 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 53

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 747000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2005UFG-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

296+	0.53 EUR
377+	0.4 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 296

DMN2005UFG-13

auf Bestellung 2920 Stücke:

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DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

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19+	1.38 EUR
22+	1.19 EUR
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500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR

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DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

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264+	0.59 EUR
296+	0.51 EUR
377+	0.39 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.25 EUR

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DMN2005UFG-7

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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DMN2005UFG-7

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DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

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2000+	0.3 EUR

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DMN2005UFG-7
Produktcode: 201744

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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DMN2005UFG-7

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2000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
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50000+	0.45 EUR

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DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

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426+	0.37 EUR
443+	0.34 EUR
445+	0.33 EUR
496+	0.28 EUR
501+	0.27 EUR
520+	0.25 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 426

DMN2005UFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

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445+	0.35 EUR
496+	0.3 EUR
501+	0.29 EUR
520+	0.27 EUR
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DMN2005UFG-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

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39+	1.35 EUR
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100+	0.81 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.48 EUR

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DMN2005UFG-7

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DMN2005UFGQ-13

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DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8

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DMN2005UFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2005UFGQ-13

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DMN2005UFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

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DMN2005UFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2005UFGQ-7

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2000+	0.94 EUR
6000+	0.89 EUR

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DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

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2000+	0.55 EUR

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DMN2005UPS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

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13+	2.03 EUR
16+	1.65 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR

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DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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272+	0.57 EUR
292+	0.52 EUR
322+	0.45 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.35 EUR

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DMN2005UPS-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

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26+	2.03 EUR
32+	1.66 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

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2500+	0.83 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2005UPS-13

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DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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2500+	0.49 EUR

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DMN2008LFU-13

Description: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

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DMN2008LFU-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors

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DMN2008LFU-13

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors

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DMN2008LFU-7

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 54997 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.29 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR
9000+	0.5 EUR
30000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2008LFU-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 9489 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.5 EUR
40+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

auf Bestellung 31957 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
18+	1.53 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DMN2009LSS-13

MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

auf Bestellung 5979 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN2009LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 42A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 58.3nC

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DMN2009LSS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2009LSS-13

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DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.64 EUR
12500+	0.59 EUR
25000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2009UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

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DMN2009UFDF-13

Transistor MOSFET

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DMN2009USS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.7A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC

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DMN2009USS-13

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DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

auf Bestellung 1732 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN2009USS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 6594 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

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DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2010UDZ-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

auf Bestellung 10644 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2011UFDE-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V

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DMN2011UFDE-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

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DMN2011UFDE-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

auf Bestellung 75295 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
43+	1.23 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.53 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

auf Bestellung 131560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
20+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN2011UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDE-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

auf Bestellung 129000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2011UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2011UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDF-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

auf Bestellung 29786 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2011UFDF-7

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DMN2011UFDF-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

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DMN2011UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 1126 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
54+	0.98 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 46

DMN2011UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

auf Bestellung 7101 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.98 EUR
16+	1.71 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 14

DMN2011UFX-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

auf Bestellung 5945 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.01 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2011UFX-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN2050-4
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UFX-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

auf Bestellung 12723 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.51 EUR
5000+	0.48 EUR
12500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2011UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

39+	1.35 EUR
45+	1.16 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 39

DMN2012UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2012UCA6-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 2167 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

39+	1.37 EUR
46+	1.14 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 39

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFDE-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFDEQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFX-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2013UFX-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2014LHAB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 110886 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2014LHAB-7

MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

auf Bestellung 2768 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
49+	1.08 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 43

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR
30000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2014LHAB-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2014LHAB-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

auf Bestellung 66015 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.16 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMN2015UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.6nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR
15000+	0.42 EUR
30000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2015UFDE-7

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DMN2015UFDE-7

auf Bestellung 66015 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DMN2015UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.39 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 41

DMN2015UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2015UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

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DMN2015UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.3nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 70A

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2015UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 2576 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DMN2015UFDF-7

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DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

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DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

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DMN2016LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.77W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016LFG-7

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DMN2016LFG-7

MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.32 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

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DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

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DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2016LHAB-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6
Case: U-DFN2030-6
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 6A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016LHAB-7

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DMN2016LHAB-7

MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DMN2016LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2016UFX-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN2016UFX-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4

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DMN2016UFX-7

MOSFET MOSFET

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DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

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DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 124015 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN2016UTS-13

MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

auf Bestellung 10583 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.25 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.48 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 122500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.46 EUR
12500+	0.43 EUR
25000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2016UTS-13

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DMN2019UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

auf Bestellung 2357 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
63+	0.83 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.32 EUR
10000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 54

DMN2019UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2019UTS-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

auf Bestellung 40246 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
32+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.32 EUR
5000+	0.31 EUR
12500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 2318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	0.68 EUR
293+	0.52 EUR
327+	0.44 EUR
524+	0.27 EUR
546+	0.25 EUR
570+	0.23 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 231

DMN2020LSN-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 3095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	0.23 EUR
405+	0.18 EUR
455+	0.16 EUR
535+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 305

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

auf Bestellung 90541 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
31+	0.85 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2020LSN-7

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2559 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2020LSN-7

auf Bestellung 2559 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2020LSN-7

MOSFET MOSFET,N-CHANNEL

auf Bestellung 19820 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.85 EUR
111+	0.47 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
75000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 2318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	0.48 EUR
524+	0.29 EUR
546+	0.27 EUR
570+	0.25 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 327

DMN2020LSN-7

auf Bestellung 3095 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

305+	0.23 EUR
405+	0.18 EUR
455+	0.16 EUR
535+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 305

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2020UFCL-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC

auf Bestellung 9246 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
63+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 54

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR
9000+	0.28 EUR

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DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

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DMN2020UFCL-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2020UFCL-7

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DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

auf Bestellung 48211 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
32+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

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DMN2022UCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2022UCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

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DMN2022UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

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DMN2022UDH-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

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DMN2022UDH-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2022UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2022UDH-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

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DMN2022UDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

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DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2022UFDF-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

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DMN2022UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.3 EUR
30000+	0.29 EUR
50000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2022UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2022UFDF-7

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DMN2022UFDF-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

auf Bestellung 2996 Stücke:

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47+	1.11 EUR
61+	0.87 EUR
111+	0.47 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 47

DMN2022UFDF-7

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR
30000+	0.25 EUR
75000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2022UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2022UFDF-7

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2022UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

auf Bestellung 77699 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
31+	0.85 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DMN2022UNS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

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DMN2022UNS-13

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

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DMN2022UNS-7

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DMN2022UNS-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2022UNS-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN2023LSD

MOSFET

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DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

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DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 432 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.21 EUR
100+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DMN2023UCB4-7

auf Bestellung 432 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
15000+	0.36 EUR
30000+	0.32 EUR
45000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2023UCB4-7

MOSFET N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

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DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

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DMN2023UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2023UCB4-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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DMN2024LCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
15000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024LCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

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DMN2024LCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

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DMN2024U

MOSFET

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DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR
2000+	0.25 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN2024U-13

MOSFET MOSFET

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DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2024U-7

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 19988 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
64+	0.82 EUR
142+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 45

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 432000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024U-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR
24000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024U-7

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DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

auf Bestellung 408161 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR
24000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

auf Bestellung 408000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR
75000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024U-7-ML

MOSLEADER

Description: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR
30000+	0.097 EUR
75000+	0.089 EUR
150000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2024UDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.67W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2024UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

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DMN2024UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2024UFDF-13

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DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
34+	0.77 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 27

DMN2024UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.96W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DMN2024UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UFDF-7

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DMN2024UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 4546 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
81+	0.64 EUR
128+	0.41 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 52

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2024UFDF-7

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2024UFDF-7

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

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DMN2024UFU-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K

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DMN2024UFU-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.57 EUR
48+	1.08 EUR
100+	1.01 EUR
3000+	0.86 EUR
9000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DMN2024UFU-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.71W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UFU-7

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DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DMN2024UFU-7

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFU-7

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UFX-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UFX-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UFX-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K

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DMN2024UFX-7

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

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DMN2024UQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

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DMN2024UQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 198000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR
75000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UQ-7

auf Bestellung 5865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 384000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

auf Bestellung 3413 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.58 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.3 EUR
9000+	0.29 EUR
24000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 200010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
26+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 22

DMN2024UTS-13

High Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2024UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.39 EUR
10000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 43

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.39 EUR
12500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DMN2024UVT-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UVT-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UVT-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2024UVT-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2024UVT-7

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DMN2024UVT-7

High Enhancement Mode MOSFET

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DMN2024UVT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2024UVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K

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DMN2024UVTQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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DMN2024UVTQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

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DMN2024UVTQ-7

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DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

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DMN2024UVTQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UVTQ-7

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2024UVTQ-7

auf Bestellung 2915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2024UVTQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K

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DMN2024UVTQ-7

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DMN2024UVTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025U

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025U-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN2025U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2025U-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
42+	0.62 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DMN2025U-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 3002 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
78+	0.67 EUR
137+	0.38 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.13 EUR
24000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 57

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-13

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-7

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025UFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-7

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DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDB-7

auf Bestellung 2730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2025UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

DMN2025UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

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DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN2025UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDF-7

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2025UFDF-7

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 2966 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
69+	0.76 EUR
124+	0.42 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 54

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2025UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
36+	0.74 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DMN2026UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

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DMN2026UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2026UVT-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2026UVT-13

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2026UVT-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

Produkt ist nicht verfügbar

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DMN2026UVT-7