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IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 4660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
12+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IAUA120N04S5N014AUMA1

Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4828 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA120N04S5N014AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

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IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

SP005423391

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IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
10+	4.07 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR
10+	3.89 EUR
100+	2.8 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA170N10S5N031AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA170N10S5N031AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 519A; 197W
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 197W
Pulsed drain current: 519A
Drain current: 22A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

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IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 75

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.8 EUR
86+	1.56 EUR
100+	1.41 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 81

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.8 EUR
86+	1.56 EUR
100+	1.41 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 81

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.54 EUR
10+	2.54 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N04S5N012AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.5 EUR
2000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.54 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.18 EUR
2000+	1.92 EUR
4000+	1.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N08S5N026AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

SP005423387

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N08S5N026AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.85 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.61 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.56 EUR
10+	3.96 EUR
100+	2.85 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.53 EUR
2000+	2.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

SP005423385

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs

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IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUA200N04S5N010ATMA1

Infineon Technologies

SP005423841

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	2.46 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 53837 Stücke:

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221+	2.46 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1516 Stücke:

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57+	2.45 EUR
58+	2.35 EUR
100+	2.25 EUR
250+	2.15 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 57

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Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

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59+	2.47 EUR
76+	1.83 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.48 EUR
2000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1516 Stücke:

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57+	2.45 EUR
58+	2.35 EUR
100+	2.25 EUR
250+	2.15 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 57

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 481913 Stücke:

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221+	2.46 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.9 EUR
10000+	1.63 EUR
100000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

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IAUA200N04S5N010AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	2.47 EUR
76+	1.83 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.48 EUR
2000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1065 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.21 EUR
85+	1.64 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 66

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IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.8 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.72 EUR
2000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор
Produktcode: 215193

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IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.88 EUR
10+	4.54 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA210N10S5N024AUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.86 EUR
10+	4.54 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.96 EUR
2000+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA210N10S5N024AUMA1

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA210N10S5N024AUMA1

Infineon Technologies

SP005412964

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IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.32 EUR
10+	3.98 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.5 EUR
2000+	2.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

auf Bestellung 2944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.92 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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IAUA220N08S5N021AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7219 pF @ 40 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUA220N08S5N021AUMA1

Description: INFINEON - IAUA220N08S5N021AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

SP005596859

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IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3309 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.91 EUR
10+	3.88 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IAUA250N04S6N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 490A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 5746 Stücke:

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1+	4.73 EUR
10+	3.73 EUR
100+	2.36 EUR

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IAUA250N04S6N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5281 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2247 Stücke:

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1+	7.71 EUR
10+	6.11 EUR
100+	5.24 EUR
500+	4.84 EUR
1000+	4.44 EUR
2000+	3.77 EUR
4000+	3.75 EUR

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IAUA250N04S6N006AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N006AUMA1 - IAUA250N04S6N006 - MOSFET20V,40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
10+	5.1 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUA250N04S6N006AUMA1

Infineon Technologies

40V, N-Ch, 0.6 m ohm Max, Automotive MOSFET

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IAUA250N04S6N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5281 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IAUA250N04S6N007AUMA1 - IAUA250N04 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

SP003127494

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 712 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1787 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.8 EUR
10+	3.33 EUR
100+	3.04 EUR
500+	3.01 EUR
2000+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 435 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 712 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 10204 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 9111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.25 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.88 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 10204 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

SP005596862

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N007EAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.34 EUR
100+	2.05 EUR
500+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.76 EUR
2000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.63 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

SP005596860

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA250N04S6N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUA250N04S6N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

SP005412937

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1805 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.02 EUR
10+	4.7 EUR
100+	3.33 EUR
500+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.64 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.64 EUR
2000+	2.46 EUR

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUA250N08S5N018AUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.02 EUR
37+	3.83 EUR
40+	3.4 EUR
100+	3.24 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.88 EUR
1000+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

auf Bestellung 2874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.29 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.78 EUR
2000+	2.36 EUR

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IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.55 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.05 EUR
500+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.21 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.02 EUR
37+	3.83 EUR
40+	3.4 EUR
100+	3.24 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.88 EUR
1000+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N004AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N004AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.93 EUR
10+	3.79 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N005AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.79 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.66 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.08 EUR
2000+	1.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N006AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	3.46 EUR
100+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.66 EUR
250+	2.5 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.15 EUR
2000+	1.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.91 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUAN04S7N007AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N007AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N007AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.38 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.57 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.38 EUR
250+	2.18 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.71 EUR
2000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N008AUMA1

Infineon Technologies

Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUAN04S7N009

Infineon Technologies

IAUAN04S7N009

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.87 EUR
5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 24643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 24643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14649 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 16462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14649 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.73 EUR
10000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.26 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.73 EUR
10000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.53 EUR
105+	1.33 EUR
122+	1.1 EUR
200+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3791 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.25 EUR
10+	1.44 EUR
25+	1.32 EUR
100+	0.98 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2560 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00206ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2560µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3791 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6L025ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2019 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.49 EUR
107+	1.31 EUR
131+	1.02 EUR
200+	0.92 EUR
1000+	0.69 EUR
5000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 98

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	1.74 EUR
85+	1.64 EUR
110+	1.23 EUR
250+	1.17 EUR
500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 84

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 10251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.88 EUR
5000+	0.77 EUR

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.1 EUR
84+	1.67 EUR
85+	1.58 EUR
110+	1.18 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 69

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IAUC100N04S6N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR
106+	1.32 EUR
130+	1.04 EUR
200+	0.96 EUR
500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4123 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
13+	1.42 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N022ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.26mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2421 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.13 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUC100N04S6N022ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
17+	1.09 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.5 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.65 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6N028ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.51 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.66 EUR
5000+	1.43 EUR

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IAUC100N08S5N031ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.1mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar

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IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.49 EUR
10+	2.91 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4559 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

SP005423080

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IAUC100N08S5N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N034ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.8mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

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IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.22 EUR
5000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.36 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N08S5N043ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2554 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.3 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.79 EUR
2000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Enhancement mode Power MOSFET

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IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.89 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.9 EUR
2500+	1.88 EUR
5000+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5L040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

SP005423079

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L054ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	1.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5L054ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.63 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3719 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.54 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.9 EUR
5000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N10S5N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4011 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.15 EUR
52+	2.7 EUR
54+	2.49 EUR
100+	2.14 EUR
250+	1.97 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.61 EUR
3000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.6 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.09 EUR
5000+	1.87 EUR

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.33 EUR
50+	2.82 EUR
52+	2.59 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2.02 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.63 EUR
3000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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IAUC120N04S6L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC120N04S6L008

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

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IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.53 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L008ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.05 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.42 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 16067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6L012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.89 EUR
10+	3.4 EUR
25+	3.38 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.94 EUR
5000+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.68 EUR
10+	3.23 EUR
100+	2.35 EUR
500+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N04S6N006ATMA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC120N04S6N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N006ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R

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IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IAUC120N04S6N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.83 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.62 EUR
2500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 26365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 26365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14844 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.42 EUR
2000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.4 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N010ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.88 EUR
110+	1.23 EUR
200+	1.16 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.06 EUR
2000+	1.01 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 12897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N04S6N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.44 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.17 EUR

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IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 9848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.46 EUR
10+	3.57 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.09 EUR
2500+	2.04 EUR
5000+	1.85 EUR

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IAUC120N06S5L011ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5L011 Trans MOSFET T/R

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IAUC120N06S5L015ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

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IAUC120N06S5L015ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

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IAUC120N06S5L015ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IAUC120N06S5L022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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IAUC120N06S5L022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 20681 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 3870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC120N06S5L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 41547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IAUC120N06S5L032ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 18183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

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IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.44 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N015ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N015ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 3954 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.43 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N017ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4684 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.28 EUR
10+	2.51 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive T/R

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUC120N06S5N022ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2240 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

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IAUC120N06S5N022ATMA1

Infineon Technologies

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

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IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4659 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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IAUC120N06S5N032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4659 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC120N06S5N032ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.09 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

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IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
2000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOST-5 Power Transistor

auf Bestellung 5005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 91

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

SP005423082

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IAUC26N10S5L245ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.61 EUR
101+	1.38 EUR
106+	1.27 EUR
111+	1.17 EUR
133+	0.94 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 90

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 8382 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.54 EUR
5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

H8 84R5 0.1% 25PPM

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUC28N08S5L230ATMA1
Produktcode: 193844

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR
106+	1.32 EUR
111+	1.22 EUR
133+	0.97 EUR
250+	0.89 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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IAUC28N08S5L230ATMA1

Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 160A; 56W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC40N08S5L140ATMA1

Infineon Technologies

SP005422123

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

auf Bestellung 24557 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 16207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V

auf Bestellung 19868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5L100ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 5602 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.54 EUR
5000+	0.51 EUR
10000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP003244390

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC41N06S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 9346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.71 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Infineon Technologies

SP004134516

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6L063HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 13522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.47 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 55A Automotive T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
12+	1.5 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
12+	1.56 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1684 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Description: INFINEON - IAUC50N08S5L096ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5L096ATMA1

Infineon Technologies

SP005423083

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.6 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

SP005423084

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC50N08S5N102ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

SP004134512

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 6
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 75W
Pulsed drain current: 311A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L030HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 2300 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 17800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 15505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.66 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	1.16 EUR
5000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.46 EUR
10000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 11852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.16 EUR
142+	0.99 EUR
170+	0.79 EUR
200+	0.73 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.46 EUR
5000+	0.42 EUR
10000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 15317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1109+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1109

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR
2000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 11595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1109+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1109

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 10093 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1109+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1109

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

SP004134514

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IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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IAUC60N04S6L045HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 52W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 4856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.92 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 6
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 75W
Pulsed drain current: 311A
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.22 EUR
5000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

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IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

SP003863382

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1922pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.63 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC60N04S6N044ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.53 EUR
106+	1.32 EUR
130+	1.04 EUR
200+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9707 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.09 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.14 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.91 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
13+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9707 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.31 EUR
13+	1.46 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

SP005423477

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.29 EUR
13+	1.44 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

SP005422122

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N10S5L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.76 EUR
11+	1.76 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

Description: INFINEON - IAUC64N08S5L075ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6300 µohm, TDSON-8-33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-8-33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC64N08S5L075ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 256A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 11.1mΩ
Power dissipation: 75W
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 256A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.94 EUR
2000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC70N08S5N074ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 4850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
5000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00262 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00262ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00262ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00282ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.45 EUR
118+	1.19 EUR
137+	0.98 EUR
200+	0.89 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.72 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6N036ATMA1

Description: INFINEON - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.00282 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00282ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	1.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 59µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3275 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.38 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.4 EUR
2000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N007T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1624 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.54 EUR
10+	3.62 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	4.07 EUR
25+	3.84 EUR
100+	3.27 EUR
250+	3.1 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N007TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2137 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.1 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N009TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N009TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 890 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 1697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.87 EUR
100+	3.1 EUR
250+	2.85 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.09 EUR

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IAUCN04S6N009TATMA1

Infineon Technologies

SP005562109

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IAUCN04S6N013T

Infineon Technologies

IAUCN04S6N013T

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IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFET_(20V,40V)

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IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.29 EUR
2000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N013TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N013TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
14+	1.3 EUR
100+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S6N017TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00173 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N017TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.27 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.09 EUR
2000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S6N018T

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IAUCN04S6N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.32 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.27 EUR
5000+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.73 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.36 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.47 EUR
100+	2.96 EUR
250+	2.8 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1
Produktcode: 205699

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.87 EUR
10+	2.81 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.37 EUR
2500+	1.33 EUR
5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.08 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00113 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 222A T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	0.98 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00143 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.8 EUR
211+	0.66 EUR
219+	0.61 EUR
225+	0.58 EUR
250+	0.53 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1
Produktcode: 213823

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	0.69 EUR
219+	0.64 EUR
225+	0.6 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.01 EUR
10+	0.72 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L037HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.29 EUR
100+	1.19 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7L053DATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
16+	1.1 EUR
25+	0.99 EUR
100+	0.87 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.67 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.7 EUR
5000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

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IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 5075 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	3.45 EUR
25+	3.43 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.99 EUR
5000+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.33 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.4 EUR
10+	2.85 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	2.71 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.44 EUR

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IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

auf Bestellung 12736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.4 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR
2000+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.15 EUR
2000+	1.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6318 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.33 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N009ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.43 EUR
25+	1.4 EUR
100+	1.22 EUR
250+	1.21 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 214A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 9053 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.27 EUR
250+	1.19 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.1 EUR
2000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.14 EUR
25+	1.09 EUR
100+	0.92 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N019DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N019DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 5149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.15 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.48 EUR
5000+	1.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N019DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00205 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.84 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.02 EUR
10+	1.81 EUR
25+	1.72 EUR
100+	1.41 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

IAUCN04S7N020ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020DATMA1

Infineon Technologies

Mosfet, package: PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.38 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 72W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N024DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.47 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	0.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N030ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.68 EUR
11+	1.7 EUR
100+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N040HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.92 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N054HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N056DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N056DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N056DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.64 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N056DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N056DAUMA1

Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L018ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 3486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.47 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L033ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7L110ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.47 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MosFet - PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.49 EUR
10+	4.28 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N013ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N016TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

auf Bestellung 5983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.37 EUR
10+	4.89 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.29 EUR
2000+	2.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N016TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.87 EUR
5000+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.44 EUR
10+	4.22 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.8 EUR
1000+	2.41 EUR
2000+	2.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.35 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.59 EUR
5000+	1.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

auf Bestellung 5987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.02 EUR
2000+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N024TATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.25 EUR
5000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN08S7N034ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.41 EUR
250+	2.22 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.72 EUR
2500+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S5L094DATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L040ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
12+	1.5 EUR
100+	1 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7L180ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.13 EUR
10+	1.49 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.8 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.86 EUR
10+	4.53 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.83 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.5 EUR
500+	3.1 EUR
1000+	2.66 EUR
2500+	2.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N021ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N040ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN10S7N074ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.4 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.08 EUR
5000+	0.93 EUR
10000+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.74 EUR
10+	4.51 EUR
100+	3.47 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.92 EUR
2000+	2.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N005GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N006GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.72 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	1.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

Power Mosfet Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N009GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN04S7N009GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N012GATMA1

Infineon Technologies

SP005730155

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1859 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.85 EUR
10+	5.73 EUR
100+	4.52 EUR
500+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 232µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13550 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N012GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N012GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.06 EUR
10+	6.12 EUR
25+	5.86 EUR
100+	5.26 EUR
250+	5.09 EUR
500+	4.88 EUR
2000+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tray
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N013GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.39 EUR
10+	5.26 EUR
100+	4.45 EUR
500+	4.05 EUR
1000+	3.89 EUR
2000+	3.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 214µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12496 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.55 EUR
10+	4.95 EUR
25+	4.55 EUR
100+	4.11 EUR
250+	3.9 EUR
500+	3.78 EUR
1000+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.04 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.75 EUR
500+	4.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.93 EUR
10+	5.77 EUR
100+	4.86 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	4.28 EUR
2000+	3.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N016GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1937 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUMN10S5N017GAUMA1

Description: INFINEON - IAUMN10S5N017GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1937 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUMN10S5N017GAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 215µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12514 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.04 EUR
30+	4.65 EUR
50+	4.31 EUR
100+	4 EUR
250+	3.72 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.86 EUR
10+	4.17 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.64 EUR
1800+	2.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.02 EUR
10+	4.31 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	2.71 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS180N04S4N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.16 EUR
10+	4.09 EUR
100+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1227 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR
10+	4.4 EUR
25+	4.21 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.83 EUR
1800+	2.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	2.98 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 182

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1339 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	5.87 EUR
34+	4.21 EUR
50+	3.22 EUR
1000+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1339 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 182

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS200N08S5N023ATMA1 транзистор
Produktcode: 197348

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.65 EUR
30+	4.75 EUR
50+	3.94 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.07 EUR
10+	4.42 EUR
100+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 173A; Idm: 960A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

SP001792360

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IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.97 EUR
10+	4.26 EUR
100+	3.31 EUR
500+	3.2 EUR
1000+	2.83 EUR

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IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

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IAUS260N10S5N019TATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Case: PG-HDSOP-16
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain current: 91A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	10.66 EUR
21+	6.95 EUR
50+	6.04 EUR
100+	5.61 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

SP002952334

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 6536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.28 EUR
10+	6.55 EUR
100+	5.23 EUR
500+	5.19 EUR
1000+	4.96 EUR
1800+	4.05 EUR

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.75 EUR
10+	6.56 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	4.82 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 113

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 14695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	4.82 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 113

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Description: INFINEON - IAUS260N10S5N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS260N10S5N019TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET Automotive AEC-Q101

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IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

N-channel - Enhancement mode MOSFET

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IAUS300N04S4N007ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 19800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	4.89 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427388

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	4.95 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS-5 Power-Transistor

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IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.07 EUR
10+	7.66 EUR
25+	7.48 EUR
100+	5.83 EUR
500+	5.49 EUR
1800+	4.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1654 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.3 EUR
25+	7.66 EUR
50+	7.1 EUR
100+	6.59 EUR
250+	6.14 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 31953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	5.91 EUR
100+	5.47 EUR
500+	5.05 EUR
1000+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.93 EUR
10+	7.23 EUR
100+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.81 EUR
25+	8.13 EUR
50+	7.53 EUR
100+	7 EUR
250+	6.51 EUR
500+	6.07 EUR
1000+	5.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.73 EUR
10+	5.68 EUR
100+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1001 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.49 EUR
32+	4.38 EUR
33+	4.09 EUR
100+	3.82 EUR
250+	3.56 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

auf Bestellung 26749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	4.71 EUR
500+	4.35 EUR
1000+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

auf Bestellung 3561 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.79 EUR
20+	7.21 EUR
50+	6.15 EUR
100+	4.82 EUR
200+	4.44 EUR
500+	4.17 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1001 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.49 EUR
32+	4.38 EUR
33+	4.09 EUR
100+	3.82 EUR
250+	3.56 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 187 Stücke:

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

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IAUS300N08S5N012ATMA1

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MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3909 Stücke:

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1+	9.15 EUR
10+	6.42 EUR
25+	6.39 EUR
100+	4.88 EUR
250+	4.86 EUR
500+	4.35 EUR

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	4.65 EUR

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

auf Bestellung 785 Stücke:

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115+	4.71 EUR
500+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R - Arrow.com

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IAUS300N08S5N012T

Infineon Technologies

IAUS300N08S5N012T

auf Bestellung 1800 Stücke:

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14+	10.72 EUR
25+	9.89 EUR
50+	9.16 EUR
100+	8.51 EUR
250+	7.92 EUR
500+	7.39 EUR
1000+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

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MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3416 Stücke:

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1+	10.42 EUR
10+	7.13 EUR
25+	6.97 EUR
100+	5.86 EUR
250+	5.84 EUR
500+	5.74 EUR
1000+	5.28 EUR

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 423240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	5.63 EUR
101+	5.21 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 97

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1041 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 3611 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	5.63 EUR
101+	5.21 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 97

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4119 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.61 EUR
10+	7.16 EUR
100+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N012TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1041 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N08S5N012TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 400A Automotive AEC-Q101 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	5.63 EUR
101+	5.21 EUR
500+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 97

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IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	4.14 EUR
500+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.4 EUR
10+	5.6 EUR
100+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP001792358

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1257 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	4.14 EUR
500+	3.83 EUR
1000+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 132

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IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	4.73 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 16200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	4.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

SP002952338

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3047 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	4.73 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.98 EUR
10+	6.39 EUR
100+	4.66 EUR
1000+	4.28 EUR
1800+	3.96 EUR

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.63 EUR
10+	6.46 EUR
100+	4.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	4.73 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 327A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	4.73 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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IAUS300N08S5N014TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005423088

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 1315A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.38 EUR
10+	7 EUR
100+	5.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 360A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	9.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUS300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.03 EUR
22+	6.53 EUR
500+	6.12 EUR
1000+	5.35 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N10S5N015TATMA1

Description: INFINEON - IAUS300N10S5N015TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	5.8 EUR
100+	5.36 EUR
500+	4.95 EUR
1000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.52 EUR
10+	6.76 EUR
100+	5.46 EUR
500+	5.39 EUR
1800+	4.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 28242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	5.8 EUR
100+	5.36 EUR
500+	4.95 EUR
1000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.88 EUR
10+	7.35 EUR
100+	5.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 350A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1936 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.35 EUR
50+	3.12 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.1 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 21653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.91 EUR
10000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 7153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.24 EUR
2000+	2.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 708 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

IAUT165N08S5N029ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

auf Bestellung 1022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.16 EUR
2000+	2.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.31 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.28 EUR
10+	4.13 EUR
100+	2.91 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.67 EUR
10+	3.98 EUR
25+	3.84 EUR
100+	3.12 EUR
250+	3.06 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 200A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.64 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.71 EUR
2000+	2.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.55 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.27 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT240N08S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.97 EUR
10+	4.91 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 260A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.71 EUR
10+	4.68 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.7 EUR
1000+	3.54 EUR
2000+	3.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	4.24 EUR
500+	3.87 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 128

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

SP005427386

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 128

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 410 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.13 EUR
10+	6.12 EUR
100+	4.41 EUR
500+	4.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 3115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	4.24 EUR
500+	3.87 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 128

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IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

auf Bestellung 1870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.98 EUR
25+	8.29 EUR
50+	7.68 EUR
100+	7.13 EUR
250+	6.64 EUR
500+	6.19 EUR
1000+	5.77 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

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IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOS-5 Power Transistor

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IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

SP001434098

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 84775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	4.03 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.35 EUR
10000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 135

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IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 33499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.03 EUR
40+	3.36 EUR
100+	3.16 EUR
250+	2.97 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.94 EUR
50+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

auf Bestellung 11659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.57 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4.19 EUR
500+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 267681 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	4.03 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.35 EUR
10000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

auf Bestellung 3158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.43 EUR
10+	5.4 EUR
100+	4.12 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.94 EUR
2000+	3.61 EUR
4000+	3.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.03 EUR
40+	3.36 EUR
100+	3.16 EUR
250+	2.97 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 33499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.94 EUR
50+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Infineon MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.72 EUR
50+	4.7 EUR
100+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1521 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 104781 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	3.56 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	2.95 EUR
10000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 153

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 153

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.99 EUR
10+	5.32 EUR
100+	3.81 EUR
500+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 4402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.54 EUR
1000+	3.41 EUR
2000+	3.1 EUR

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 53919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	3.56 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	2.95 EUR
10000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 153

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.12 EUR
10+	6.55 EUR
100+	4.75 EUR
500+	4.35 EUR
2000+	4.1 EUR

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

SP005427384

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.54 EUR
10+	6.4 EUR
100+	4.63 EUR
500+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.2 EUR
10+	6.16 EUR
100+	4.44 EUR
500+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 213528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	4.28 EUR
500+	3.9 EUR
1000+	3.56 EUR
10000+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 127

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1821 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	4.28 EUR
500+	3.9 EUR
1000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 127

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 5919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.96 EUR
10+	5.81 EUR
100+	4.44 EUR
500+	4.38 EUR
1000+	4.33 EUR
2000+	3.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	4.28 EUR
500+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 127

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.85 EUR
50+	5.48 EUR
100+	5.03 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN04S7N005

Infineon Technologies

SP005569107

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 5255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.77 EUR
10+	6.65 EUR
100+	4.86 EUR
500+	4.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.73 EUR
10+	6.32 EUR
100+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	5.96 EUR
28+	4.82 EUR
100+	3.85 EUR
250+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	5.96 EUR
28+	4.82 EUR
100+	3.85 EUR
250+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.48 EUR
10+	5.65 EUR
100+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.85 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 1770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.05 EUR
10+	6.92 EUR
100+	5.12 EUR
500+	4.73 EUR

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.85 EUR
21+	6.66 EUR
25+	6.24 EUR
100+	5.24 EUR
250+	4.91 EUR
500+	4.38 EUR
1000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 25200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	5.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.11 EUR
10+	8.29 EUR
100+	6.71 EUR
500+	6.11 EUR
1800+	5.16 EUR

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 21600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	6.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA

auf Bestellung 606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.05 EUR
10+	8.1 EUR
100+	6.55 EUR
500+	5.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.13 EUR
10+	6.97 EUR
25+	6.43 EUR
100+	5.84 EUR
250+	5.56 EUR
500+	5.39 EUR
1000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.47 EUR
10+	7.66 EUR
100+	6.21 EUR
500+	5.51 EUR
1000+	5.35 EUR
2000+	4.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S7N007

Infineon Technologies

IAUTN08S7N007 ***OPN not given yet***

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IAUTN08S7N014

Infineon Technologies

SP005908409

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IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 314A

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IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH