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MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

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IXT-1-1N100S1

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

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IXT-1-1N100S1 T/R

- 8-Pin SOIC

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IXT-1-1N100S1-TR

MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

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IXT-1-1N100S1-TR

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

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IXT-705AT

Planet

Description: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	559.68 EUR

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IXTA02N250

Description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

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IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA02N250HV

Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.49 EUR
50+	12.42 EUR
100+	11.92 EUR

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IXTA02N250HV

Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	21.19 EUR
10+	18.34 EUR
25+	17.48 EUR
50+	15.87 EUR
100+	13.15 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IXTA02N250HV

IXTA02N250HV SMD N channel transistors

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	16.44 EUR
7+	10.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IXTA02N250HV

MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.25 EUR
10+	17.42 EUR
25+	16.56 EUR
50+	16.02 EUR
100+	15.01 EUR
500+	14.34 EUR
1000+	12.48 EUR

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IXTA02N250HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV T/R

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IXTA02N450HV

Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA02N450HV

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

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IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA05N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

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IXTA05N100

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA05N100

MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds

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IXTA05N100

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IXTA05N100-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

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IXTA05N100-TRL

MOSFETs IXTA05N100 TRL

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IXTA05N100-TRL

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA05N100HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.93 EUR
17+	4.45 EUR
21+	3.55 EUR
22+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IXTA05N100HV

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA05N100HV

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.93 EUR
17+	4.45 EUR
21+	3.55 EUR
22+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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IXTA05N100HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

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IXTA05N100HV

MOSFETs High Voltage Power MOSFET

auf Bestellung 1664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.97 EUR
10+	6.72 EUR
50+	4.22 EUR
100+	4.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA05N100HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA05N100HV-TRL

MOSFETs IXTA05N100HV TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA05N100HV-TRL

High Voltage Power MOSFET

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IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P

Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA06N120P

IXTA06N120P SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.27 EUR
50+	4.69 EUR
100+	4.27 EUR
500+	3.55 EUR
1000+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P

MOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	7.30 EUR
50+	5.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

auf Bestellung 6832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.27 EUR
10+	5.91 EUR
100+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.39 EUR
1600+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P-TRL

MOSFETs IXTA06N120P TRL

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 255-259 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	6.14 EUR
25+	5.79 EUR
100+	4.98 EUR
250+	4.70 EUR
500+	4.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC

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IXTA08N100D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 430-434 Tag (e)

1+	6.64 EUR
50+	3.38 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2-TRL

Description: IXTA08N100D2 TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2-TRL

MOSFETs IXTA08N100D2 TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2HV

MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.53 EUR
10+	5.68 EUR
50+	5.03 EUR
100+	4.40 EUR
250+	4.14 EUR
500+	3.92 EUR

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IXTA08N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 249 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA08N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors

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IXTA08N100D2HV TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA08N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA08N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA08N100D2HV-TRL

MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH

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IXTA08N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA08N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

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IXTA08N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA08N100P

MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds

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IXTA08N100P

IXTA08N100P SMD N channel transistors

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IXTA08N120P

MOSFETs 0.8 Amps 1200V 25 Rds

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.76 EUR
10+	6.69 EUR
50+	3.85 EUR
100+	3.63 EUR
500+	3.45 EUR

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IXTA08N120P

IXTA08N120P SMD N channel transistors

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IXTA08N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.48 EUR
50+	5.13 EUR
100+	4.40 EUR
500+	3.91 EUR
1000+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA08N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
50+	2.30 EUR
100+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IXTA08N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA08N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns

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IXTA08N50D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

auf Bestellung 732 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	3.85 EUR
50+	2.52 EUR
100+	2.45 EUR

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IXTA08N50D2
Produktcode: 118357

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IXTA08N50D2

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IXTA100N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA100N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

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IXTA100N04T2

MOSFET 100 Amps 40V

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.79 EUR
10+	4.00 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.13 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.60 EUR
2500+	2.46 EUR

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IXTA100N04T2

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IXTA100N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

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IXTA100N04T2-TRL

MOSFET IXTA100N04T2 TRL

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA100N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA100N15X4

MOSFETs TO263 150V 100A N-CH X4CLASS

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA102N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.85 EUR
10+	7.05 EUR
100+	5.78 EUR
500+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA102N15T

MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.69 EUR
10+	6.67 EUR
50+	6.44 EUR
100+	5.42 EUR
250+	5.26 EUR
500+	5.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA102N15T-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA10N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10N60P

MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA10P15T

MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA10P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P15T-TRL

MOSFET IXTA10P15T TRL

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA10P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.15 EUR
19+	7.58 EUR
25+	7.30 EUR
50+	6.88 EUR
100+	6.61 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.87 EUR
25+	10.92 EUR
50+	10.09 EUR
100+	9.36 EUR
250+	8.71 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.86 EUR
18+	8.17 EUR
25+	7.79 EUR
50+	7.42 EUR
100+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

auf Bestellung 3685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.29 EUR
10+	8.69 EUR
50+	6.86 EUR
100+	6.71 EUR
250+	6.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.86 EUR
18+	8.17 EUR
25+	7.79 EUR
50+	7.42 EUR
100+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.01 EUR
18+	8.29 EUR
25+	7.98 EUR
50+	7.53 EUR
100+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

IXTA10P50P SMD P channel transistors

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.25 EUR
13+	5.55 EUR
14+	5.25 EUR
250+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.67 EUR
18+	7.93 EUR
25+	7.08 EUR
100+	6.02 EUR
250+	5.63 EUR
500+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

auf Bestellung 61600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA10P50P-TRL

MOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.13 EUR
10+	9.13 EUR
25+	8.75 EUR
100+	6.71 EUR
800+	6.30 EUR

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IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA10P50P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.67 EUR
18+	7.93 EUR
25+	7.08 EUR
100+	6.02 EUR
250+	5.63 EUR
500+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

auf Bestellung 61900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.90 EUR
10+	8.86 EUR
100+	6.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055P

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T2

MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.10 EUR
50+	3.48 EUR
250+	3.01 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.46 EUR
2500+	2.45 EUR

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IXTA110N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA110N055T2

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA110N055T2-TRL

MOSFETs IXTA110N055T2 TRL

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA110N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N055T7

MOSFETs 110 Amps 55V 6.7 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA110N12T2

IXTA110N12T2 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA110N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N04T2

MOSFET 120 Amps 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N04T2

IXTA120N04T2 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 300

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N075T2

MOSFETs 120 Amps 75V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.30 EUR
6+	11.91 EUR
15+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120N075T2

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	14.30 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Case: TO263

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.42 EUR
14+	5.16 EUR
15+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.39 EUR
50+	7.72 EUR
100+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 258 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.75 EUR
25+	6.23 EUR
50+	5.77 EUR
100+	5.36 EUR
250+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds

auf Bestellung 10370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.96 EUR
10+	9.52 EUR
50+	6.64 EUR
100+	6.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.42 EUR
14+	5.16 EUR
15+	4.88 EUR
500+	4.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.01 EUR
50+	7.03 EUR
100+	6.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T-TRL

MOSFETs IXTA120P065T TRL

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.00 EUR
10+	8.41 EUR
25+	7.57 EUR
100+	6.69 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.95 EUR
800+	5.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T-TRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T-TRL

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065T-TRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA120P065TTRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA12N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA12N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.04 EUR
50+	4.30 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA12N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA12N50P

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IXTA12N50P

MOSFETs 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

auf Bestellung 414 Stücke:

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1+	7.00 EUR
10+	5.19 EUR
50+	4.61 EUR
100+	4.01 EUR
250+	3.78 EUR

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IXTA12N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA12N65X2

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IXTA12N65X2

MOSFETs TO263 650V 12A N-CH X2CLASS

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IXTA12N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA12N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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IXTA12N70X2

MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2

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IXTA130N065T2

Trans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA130N065T2

Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

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IXTA130N065T2

MOSFETs 130 Amps 65V

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IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA130N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised

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IXTA130N10T

MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds

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IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA130N10T

IXTA130N10T SMD N channel transistors

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IXTA130N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

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IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

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IXTA130N10T-TRL

IXTA130N10T-TRL SMD N channel transistors

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IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

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IXTA130N10T-TRL

MOSFETs IXTA130N10T TRL

auf Bestellung 773 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	5.60 EUR
25+	5.42 EUR
100+	5.16 EUR
250+	4.73 EUR
500+	4.38 EUR

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IXTA130N10T7

MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds

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IXTA130N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	3.90 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA130N10T7

IXTA130N10T7 SMD N channel transistors

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IXTA130N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA130N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.52 EUR
50+	11.61 EUR
100+	10.76 EUR
500+	10.03 EUR

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IXTA130N15X4

MOSFETs TO263 150V 130A N-CH X4CLASS

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.37 EUR
50+	12.50 EUR

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IXTA130N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.76 EUR
10+	16.53 EUR
50+	14.03 EUR
100+	13.75 EUR

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IXTA130N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	14.86 EUR
100+	13.29 EUR
250+	12.51 EUR
500+	11.73 EUR
1250+	10.56 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IXTA140N055T2

MOSFETs TO263 55V 140A N-CH TRENCH

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IXTA140N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

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IXTA140N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	8.46 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IXTA140N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Case: TO263
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	8.94 EUR
10+	7.15 EUR
50+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA140N12T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA140N12T2

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IXTA140N12T2

Power MOSFET

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IXTA140P05T

IXTA140P05T SMD P channel transistors

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IXTA140P05T

MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.45 EUR
10+	11.99 EUR
50+	8.31 EUR
100+	7.64 EUR
250+	7.48 EUR
500+	7.39 EUR

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IXTA140P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA140P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.17 EUR
50+	8.35 EUR
100+	7.69 EUR
500+	6.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA140P05T-TRL

Description: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

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IXTA140P05T-TRL

MOSFET MOSFET DISCRETE

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IXTA14N60P

MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds

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IXTA14N60P

IXTA14N60P SMD N channel transistors

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IXTA14N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.35 EUR
50+	4.92 EUR
100+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA14N60PTRL

IXTA14N60PTRL

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IXTA150N15X4

MOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.26 EUR
50+	14.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA150N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.73 EUR
50+	12.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA150N15X4

X4-Class Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA150N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

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IXTA150N15X4-7

X4-Class Power MOSFET

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IXTA150N15X4-7

MOSFETs TO263 150V 150A N-CH X4CLASS

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IXTA152N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263

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IXTA152N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7

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IXTA15N50L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA15N50L2

MOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.35 EUR
10+	21.86 EUR
25+	21.70 EUR
50+	14.57 EUR

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IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA15N50L2

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IXTA15N50L2

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

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IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA15N50L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

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IXTA15N50L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA15N50L2-TRL

MOSFETs IXTA15N50L2 TRL

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IXTA15P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263

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IXTA15P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA15P15T

MOSFET TenchP Power MOSFET

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IXTA15P15T

IXTA15P15T SMD P channel transistors

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IXTA15P15T-A2

MOSFET -150V -15A

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IXTA160N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke

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IXTA160N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V

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IXTA160N04T2

MOSFETs 160Amps 40V

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	4.86 EUR
50+	4.14 EUR
100+	3.78 EUR
250+	3.57 EUR

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IXTA160N04T2

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IXTA160N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

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IXTA160N075T

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

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IXTA160N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

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IXTA160N075T7

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

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IXTA160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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IXTA160N10T

MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds

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IXTA160N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA160N10T7

MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds

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IXTA160N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

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IXTA16N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA16N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	4.90 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA16N50P

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IXTA16N50P

MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.92 EUR
10+	6.97 EUR
50+	5.19 EUR
100+	5.07 EUR
250+	4.08 EUR
500+	4.05 EUR

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IXTA16N50P-TRL

MOSFET IXTA16N50P TRL

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA16N50P-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA16N50PTRL

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA170N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO263

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA170N075T2

IXTA170N075T2 SMD N channel transistors

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.42 EUR
24+	3.00 EUR
26+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA170N075T2

MOSFET 170 Amps 75V

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IXTA180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 151nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 72ns
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.38 EUR
16+	4.50 EUR
100+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N10T

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.38 EUR
16+	4.50 EUR
100+	4.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N10T

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.89 EUR
10+	8.27 EUR
50+	6.05 EUR
100+	5.53 EUR
250+	5.32 EUR
500+	5.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.95 EUR
50+	5.97 EUR
100+	5.48 EUR
500+	4.68 EUR
1000+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA180N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA180N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA180N10T-TRL

MOSFETs IXTA180N10T TRL

auf Bestellung 4004 Stücke:

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1+	8.52 EUR
10+	6.67 EUR
100+	5.12 EUR
800+	5.09 EUR

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IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

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800+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA180N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

auf Bestellung 2375 Stücke:

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3+	8.75 EUR
10+	6.86 EUR
100+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA180N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA180N10T7

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

auf Bestellung 300 Stücke:

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1+	9.72 EUR
10+	7.99 EUR
50+	6.79 EUR
250+	5.44 EUR
500+	5.16 EUR

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IXTA180N10T7

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

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IXTA180N10T7-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

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IXTA180N10T7-TRL

MOSFETs IXTA180N10T7 TRL

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IXTA180N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA182N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

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IXTA182N055T

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

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IXTA182N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

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IXTA182N055T7

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

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IXTA18P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA18P10T

IXTA18P10T SMD P channel transistors

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IXTA18P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

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IXTA18P10T

MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds

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IXTA1970-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IXTA1970-TRL

Littelfuse IXTA1970 TRL

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IXTA1970TRL

TRENCHT2 POWER MOSFET

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IXTA1N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.27 EUR
10+	6.52 EUR
100+	5.34 EUR
500+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA1N100P

MOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 673-677 Tag (e)

1+	4.58 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.48 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.36 EUR

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IXTA1N100P

IXTA1N100P SMD N channel transistors

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IXTA1N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V

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IXTA1N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1N100P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA1N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.71 EUR
50+	4.93 EUR
100+	4.54 EUR
500+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA1N120P

MOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds

auf Bestellung 1686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.34 EUR
10+	7.02 EUR
50+	5.97 EUR
100+	5.30 EUR
250+	5.17 EUR
500+	5.14 EUR

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IXTA1N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1N120P

IXTA1N120P SMD N channel transistors

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IXTA1N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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IXTA1N170DHV

Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised

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IXTA1N170DHV

MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 227-231 Tag (e)

1+	37.44 EUR
10+	37.36 EUR
25+	34.92 EUR
50+	27.70 EUR
100+	26.36 EUR

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IXTA1N170DHV

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.09 EUR
50+	28.25 EUR
100+	26.49 EUR

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IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV SMD N channel transistors

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IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA1N170DHV-TRL

Littelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV

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IXTA1N170DHVTRL

IXTA1N170DHVTRL

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IXTA1N200P3HV

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

auf Bestellung 2067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.65 EUR
50+	9.99 EUR
100+	9.09 EUR
500+	8.75 EUR

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IXTA1N200P3HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA1N200P3HV

MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.87 EUR
10+	14.85 EUR
50+	10.54 EUR
100+	9.59 EUR
250+	9.49 EUR

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IXTA1N200P3HV

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA1N200P3HV

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IXTA1N200P3HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.85 EUR
10+	10.65 EUR
100+	8.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA1N200P3HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA1N200P3HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	8.01 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA1N200P3HV.

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 26527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

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IXTA1N80

Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

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IXTA1R4N100P

MOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds

auf Bestellung 473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.00 EUR
10+	4.33 EUR
50+	3.29 EUR
100+	3.03 EUR
250+	2.96 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.59 EUR

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IXTA1R4N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
50+	3.34 EUR
100+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P SMD N channel transistors

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IXTA1R4N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1R4N100PTRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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IXTA1R4N100PTRL

MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH POLAR

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IXTA1R4N120P

MOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.42 EUR
10+	9.40 EUR
50+	7.44 EUR

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IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P SMD N channel transistors

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IXTA1R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.45 EUR
50+	7.49 EUR
100+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA1R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA1R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

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IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.86 EUR
100+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IXTA1R6N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV

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IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	5.50 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA1R6N100D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

auf Bestellung 2499 Stücke:

Lieferzeit 423-427 Tag (e)

1+	6.64 EUR
50+	4.61 EUR

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IXTA1R6N100D2

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IXTA1R6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

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IXTA1R6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA1R6N100D2-TRL

MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL

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IXTA1R6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

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IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

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IXTA1R6N100D2HV

MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.01 EUR
10+	8.99 EUR
50+	5.33 EUR
100+	5.10 EUR
500+	4.86 EUR

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IXTA1R6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

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IXTA1R6N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA1R6N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: Polar™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 970ns
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

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IXTA1R6N100D2HV

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IXTA1R6N100D2HV-TRL

IXTA1R6N100D2HV-TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA1R6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA1R6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.95 EUR
10+	5.35 EUR
50+	5.05 EUR
100+	4.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA1R6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.83 EUR
50+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N055T2

MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

auf Bestellung 1199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.34 EUR
50+	4.34 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N055T2

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IXTA200N055T2-7

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

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IXTA200N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA200N055T2-TRL

MOSFETs IXTA200N055T2 TRL

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA200N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N085T

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N085T7

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA200N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7

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IXTA20N65X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC

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IXTA20N65X

MOSFETs 650V/9A Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA20N65X

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IXTA20N65X

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA20N65X-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

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IXTA20N65X-TRL

MOSFETs IXTA20N65X TRL

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IXTA20N65X2

MOSFETs TO263 650V 20A N-CH X3CLASS

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IXTA20N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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IXTA20N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: 22A

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.45 EUR
13+	5.81 EUR
16+	4.62 EUR
17+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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IXTA20N65X2

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	6.45 EUR
13+	5.81 EUR
16+	4.62 EUR
17+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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IXTA220N04T2

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

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IXTA220N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

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IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA220N04T2

IXTA220N04T2 SMD N channel transistors

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IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA220N04T2 TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA220N04T2-7

IXTA220N04T2-7 SMD N channel transistors

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IXTA220N04T2-7

MOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds

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IXTA220N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

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IXTA220N04T2-7TRL

IXTA220N04T2-7TRL

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IXTA220N04T2-TRL

MOSFETs IXTA220N04T2 TRL

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IXTA220N04T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

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IXTA220N04T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA220N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

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IXTA220N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

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IXTA220N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V

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IXTA220N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V

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IXTA230N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V

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IXTA230N04T4

IXTA230N04T4 SMD N channel transistors

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IXTA230N04T4

MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

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IXTA230N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.79 EUR
50+	6.22 EUR
100+	5.76 EUR
500+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA230N075T2

IXTA230N075T2 SMD N channel transistors

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IXTA230N075T2

MOSFETs 230 Amps 75V

auf Bestellung 256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.24 EUR
10+	8.78 EUR
50+	6.21 EUR
100+	5.95 EUR

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IXTA230N075T2

Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA230N075T2-7

MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA230N075T2-7

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263

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IXTA230N075T2-7

IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors

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IXTA240N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

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IXTA240N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

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IXTA24N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA24N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA24N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V

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IXTA24N65X2

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IXTA24N65X2

MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS

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IXTA24N65X2TRL

IXTA24N65X2TRL

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IXTA24P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.19 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IXTA24P085T

IXTA24P085T SMD P channel transistors

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IXTA24P085T

MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.80 EUR
10+	4.61 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.57 EUR

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IXTA260N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

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IXTA260N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA260N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

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IXTA260N055T2

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IXTA260N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

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IXTA260N055T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA260N055T2-7

MOSFET 260 Amps 55V

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IXTA260N055T2-7

Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA

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IXTA260N055T2-7

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IXTA26P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA26P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns

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IXTA26P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263

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IXTA26P10T

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IXTA26P10T

MOSFET TenchP Power MOSFET

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IXTA26P20P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA26P20P
Produktcode: 162385

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IXTA26P20P

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

auf Bestellung 2291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.69 EUR
50+	8.14 EUR
100+	7.80 EUR
500+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA26P20P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 349 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.15 EUR
12+	5.98 EUR
13+	5.65 EUR
250+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA26P20P

MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

auf Bestellung 4567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.58 EUR
10+	12.30 EUR
50+	7.44 EUR
100+	7.04 EUR

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IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA26P20P

auf Bestellung 349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.15 EUR
12+	5.98 EUR
13+	5.65 EUR
250+	5.43 EUR

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IXTA26P20P TRL

IXTA26P20P TRL

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IXTA26P20P-TRL

MOSFETs IXTA26P20P TRL

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.48 EUR
10+	8.17 EUR
100+	6.35 EUR

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IXTA26P20P-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.44 EUR
10+	8.86 EUR
100+	6.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

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IXTA270N04T4

IXTA270N04T4 SMD N channel transistors

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IXTA270N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 270A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA270N04T4

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

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IXTA270N04T4-7

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

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IXTA270N04T4-7

IXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors

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IXTA27N20T

Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263

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IXTA27N20T

MOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds

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IXTA28P065T

IXTA28P065T SMD P channel transistors

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.90 EUR
33+	2.19 EUR
35+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IXTA28P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA28P065T

MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds

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IXTA2N100

MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds

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IXTA2N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

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IXTA2N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

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IXTA2N100P

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

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IXTA2N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA2N100P

IXTA2N100P SMD N channel transistors

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IXTA2N100P-TRL

MOSFET IXTA2N100P TRL

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IXTA2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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IXTA2N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA2N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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IXTA2R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.25 EUR
10+	10.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA2R4N120P

MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.11 EUR
10+	9.50 EUR
50+	8.98 EUR
100+	8.04 EUR
250+	7.71 EUR
500+	7.09 EUR
1000+	6.41 EUR

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IXTA2R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA2R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA2R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

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IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA300N04T2

IXTA300N04T2 SMD N channel transistors

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IXTA300N04T2

MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds

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IXTA300N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA300N04T2-7

MOSFETs 300 Amps 40V

auf Bestellung 591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.72 EUR
10+	8.54 EUR
50+	7.25 EUR
100+	6.60 EUR
250+	6.37 EUR
500+	5.93 EUR
1000+	5.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA300N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA30N25L2

MOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR

auf Bestellung 647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.18 EUR
10+	16.24 EUR
50+	13.78 EUR
250+	12.87 EUR
500+	12.55 EUR
1000+	12.18 EUR

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IXTA30N65X2

MOSFET MOSFET DISCRETE

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IXTA32N20T

IXTA32N20T SMD N channel transistors

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IXTA32N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V

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IXTA32N20T

MOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA32P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR
50+	3.52 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA32P05T

MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds

auf Bestellung 1229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	4.05 EUR
50+	3.50 EUR
100+	3.01 EUR
250+	2.92 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.60 EUR

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IXTA32P05T

IXTA32P05T SMD P channel transistors

auf Bestellung 291 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.66 EUR
36+	2.00 EUR
38+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA32P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA32P05T-TRL

MOSFET IXTA32P05T TRL

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IXTA32P05T-TRL

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA32P05TTRL

IXYS/Littelfuse

P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	0.75 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IXTA32P20T

MOSFET TenchP Power MOSFET

auf Bestellung 1370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.56 EUR
10+	12.41 EUR
50+	10.65 EUR
100+	9.68 EUR
250+	9.28 EUR
500+	9.20 EUR

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IXTA32P20T

Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA32P20T

IXTA32P20T SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA32P20T

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

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IXTA32P20T

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA32P20T-TRL

MOSFET IXTA32P20T TRL

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IXTA32P20T-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

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IXTA32P20T-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA340N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

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IXTA340N04T4

IXTA340N04T4 SMD N channel transistors

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IXTA340N04T4

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

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IXTA340N04T4-7

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

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IXTA340N04T4-7

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

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IXTA340N04T4-7

IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors

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IXTA340N04T4-7TRL

IXTA340N04T4-7TRL

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IXTA340N04T4-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IXTA34N65X2

MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS

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IXTA34N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns

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IXTA34N65X2

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IXTA34N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA34N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

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IXTA34N65X2-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

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IXTA34N65X2-TRL

MOSFETs IXTA34N65X2 TRL

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IXTA34N65X2TRL

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA36N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263

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IXTA36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

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IXTA36N30P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.71 EUR
18+	4.00 EUR
19+	3.79 EUR
500+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 9100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	4.58 EUR
500+	4.16 EUR
1000+	3.33 EUR
2000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA36N30P

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.64 EUR
50+	4.55 EUR
100+	4.30 EUR
500+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 9100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	4.40 EUR
2250+	3.89 EUR
4500+	3.51 EUR
6750+	3.20 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IXTA36N30P

MOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A

auf Bestellung 2956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.41 EUR
10+	6.93 EUR
50+	4.75 EUR
100+	4.38 EUR
500+	4.21 EUR

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IXTA36N30P

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.71 EUR
18+	4.00 EUR
19+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IXTA36N30P
Produktcode: 52904

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IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 9100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA36N30P-PDP

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk

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IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA36N30P-TRL

MOSFETs IXTA36N30P TRL

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IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA36N30P-TRL

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

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IXTA36N30PTRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA36N30T

MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds

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IXTA36N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

auf Bestellung 2235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.75 EUR
50+	8.59 EUR
100+	7.69 EUR
500+	6.78 EUR
1000+	6.10 EUR
2000+	5.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P

MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

auf Bestellung 515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.86 EUR
50+	7.44 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P

IXTA36P15P SMD P channel transistors

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.19 EUR
13+	5.65 EUR
14+	5.35 EUR
50+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P TRL

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.69 EUR
10+	11.46 EUR
25+	10.93 EUR
100+	9.49 EUR
500+	8.27 EUR
800+	7.02 EUR
2400+	6.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

auf Bestellung 4789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.53 EUR
10+	9.20 EUR
100+	6.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA36P15P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.80 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA380N036T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA380N036T4-7

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IXTA380N036T4-7

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

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IXTA380N036T4-7

MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

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IXTA380N036T4-7-TR

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

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IXTA380N036T4-7-TR

MOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL

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IXTA38N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

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IXTA3N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

auf Bestellung 641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.95 EUR
50+	6.30 EUR
100+	5.83 EUR
500+	5.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100D2

IXTA3N100D2 SMD N channel transistors

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IXTA3N100D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.56 EUR
10+	8.06 EUR
50+	7.27 EUR
100+	6.42 EUR
250+	6.37 EUR
500+	6.09 EUR
1000+	5.84 EUR

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IXTA3N100D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA3N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

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IXTA3N100D2-TRL

MOSFET IXTA3N100D2 TRL

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IXTA3N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA3N100D2HV

MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.05 EUR
50+	6.56 EUR
500+	6.42 EUR

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IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors

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IXTA3N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

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IXTA3N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

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IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA3N100D2HV TRL

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IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA3N100P

IXTA3N100P SMD N channel transistors

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IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100P

MOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds

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IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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IXTA3N100P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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IXTA3N100P-TRL

MOSFETs IXTA3N100P TRL

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IXTA3N110

Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

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IXTA3N110

MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

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IXTA3N110-TRL

MOSFETs IXTA3N110 TRL

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IXTA3N110-TRL

Description: IXTA3N110 TRL

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IXTA3N120

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

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IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

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IXTA3N120
Produktcode: 190833

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IXTA3N120

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA3N120

IXTA3N120 SMD N channel transistors

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IXTA3N120

MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.24 EUR
50+	11.28 EUR
100+	10.08 EUR
250+	9.49 EUR
500+	8.89 EUR
5000+	7.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

High Voltage Power MOSFET

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IXTA3N120-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 681 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

MOSFETs IXTA3N120 TRL

auf Bestellung 1141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.52 EUR
10+	10.19 EUR
100+	7.92 EUR
800+	7.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.70 EUR
10+	10.77 EUR
100+	7.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.08 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRR

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120-TRR

MOSFETs IXTA3N120 TRR

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA3N120HV

IXTA3N120HV SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA3N120HV

MOSFETs MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 409-413 Tag (e)

1+	12.88 EUR
10+	11.04 EUR
50+	10.01 EUR
100+	9.20 EUR
250+	8.66 EUR
500+	8.47 EUR
1000+	7.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA3N120HV

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.65 EUR
50+	10.11 EUR
100+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA3N120HV-TRL

MOSFETs MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

auf Bestellung 800 Stücke:

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1+	12.88 EUR
10+	11.04 EUR
25+	10.01 EUR
100+	9.20 EUR
250+	8.66 EUR
500+	8.11 EUR
800+	7.78 EUR

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IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N120HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N120HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.43 EUR
8+	9.45 EUR
50+	9.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IXTA3N150HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N150HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 3 A, 7.3 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA3N150HV

MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 423-427 Tag (e)

1+	18.22 EUR
50+	13.82 EUR
100+	13.04 EUR
250+	12.14 EUR

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IXTA3N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA3N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.58 EUR
50+	11.71 EUR
100+	10.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA3N150HV

auf Bestellung 72 Stücke:

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6+	12.43 EUR
8+	9.45 EUR
50+	9.09 EUR

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IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N150HV-TRL

MOSFETs IXTA3N150HV TRL

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 423-427 Tag (e)

1+	17.56 EUR
10+	15.47 EUR
25+	15.07 EUR
50+	14.22 EUR
100+	13.38 EUR
250+	12.97 EUR
500+	12.71 EUR

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IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA3N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

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IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA3N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

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IXTA3N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA3N50D2

IXTA3N50D2 SMD N channel transistors

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IXTA3N50D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	6.55 EUR
50+	5.23 EUR
100+	5.12 EUR
250+	5.03 EUR

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IXTA3N50D2-TRL

MOSFETs IXTA3N50D2 TRL

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IXTA3N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

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IXTA3N50P
Produktcode: 131345

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IXTA3N50P

MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA3N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.3nC
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IXTA3N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

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IXTA3N50P

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IXTA3N60P

MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IXTA3N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO263

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IXTA42N15T

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.23 EUR
10+	4.59 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.54 EUR
250+	3.34 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.87 EUR

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IXTA42N25P

Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

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IXTA42N25P

IXTA42N25P SMD N channel transistors

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IXTA42N25P

MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds

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IXTA42N25P-TRL

Trans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA42N28P

09+

auf Bestellung 322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IXTA44N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263

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IXTA44N25T

MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds

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IXTA44N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

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IXTA44N30T

MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds

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IXTA44N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO263

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IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA44P15T

MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds

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IXTA44P15T

IXTA44P15T SMD P channel transistors

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.68 EUR
14+	5.21 EUR
15+	4.92 EUR
1000+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1601 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.28 EUR
50+	6.76 EUR
100+	6.21 EUR
500+	5.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

auf Bestellung 30400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA44P15T-TRL

MOSFET MOSFET 150 V

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.24 EUR
10+	9.20 EUR
25+	8.64 EUR
100+	7.62 EUR
250+	7.46 EUR
500+	6.56 EUR
800+	5.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

auf Bestellung 31181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.44 EUR
10+	8.37 EUR
100+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15T-TRL

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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IXTA44P15T-TRL

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA44P15T-TRL.

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA44P15TTRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA460P2

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA460P2

IXTA460P2 SMD N channel transistors

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IXTA460P2

MOSFETs PolarP2 Power MOSFET

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.01 EUR
10+	8.20 EUR
50+	7.96 EUR
100+	7.02 EUR
250+	6.74 EUR
500+	6.56 EUR
1000+	6.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA48N20T

IXTA48N20T SMD N channel transistors

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IXTA48N20T

MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

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IXTA48N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.97 EUR
10+	5.86 EUR
100+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA48P05T

MOSFETs TenchP Power MOSFET

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
50+	4.00 EUR
100+	3.75 EUR

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IXTA48P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V

auf Bestellung 923 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.00 EUR
50+	3.97 EUR
100+	3.40 EUR
500+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IXTA48P05T

IXTA48P05T SMD P channel transistors

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IXTA48P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA48P05T-TRL

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263

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IXTA4N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns

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IXTA4N150HV

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IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA4N150HV

MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.57 EUR
10+	17.18 EUR
100+	14.91 EUR
500+	14.61 EUR
1000+	14.33 EUR

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IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

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IXTA4N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

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IXTA4N150HV-TRL

MOSFETs IXTA4N150HV TRL

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IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA4N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

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IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA4N150HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

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IXTA4N60P

MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

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IXTA4N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263

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IXTA4N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA4N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V

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IXTA4N65X2

MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.22 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.39 EUR
2500+	2.32 EUR

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IXTA4N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IXTA4N65X2

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR
15+	4.76 EUR
39+	1.83 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IXTA4N65X2TRL

IXTA4N65X2TRL

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IXTA4N70X2

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V

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IXTA4N70X2

MOSFETs TO263 700V 4A N-CH X2CLASS

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IXTA4N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.8nC
Pulsed drain current: 8A

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	3.42 EUR
24+	3.09 EUR
30+	2.46 EUR
31+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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IXTA4N70X2

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

21+	3.42 EUR
24+	3.09 EUR
30+	2.46 EUR
31+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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IXTA4N80P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns

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IXTA4N80P

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IXTA4N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA4N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

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IXTA4N80P

MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds

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IXTA4N80P-TRL

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

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IXTA4N80P-TRL

MOSFETs IXTA4N80P TRL

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IXTA50N20P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P

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IXTA50N20P

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P

MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	8.41 EUR
50+	4.75 EUR
100+	4.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N20P-TRL

MOSFETs IXTA50N20P TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N25T

MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.94 EUR
10+	7.52 EUR
50+	7.08 EUR
100+	5.95 EUR
250+	4.84 EUR
500+	4.66 EUR

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IXTA50N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 166ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N25T

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA50N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA50N25T-TRL

MOSFETs IXTA50N25T TRL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA52P10P

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

auf Bestellung 1401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.87 EUR
50+	7.08 EUR
100+	6.50 EUR
500+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 100 Stücke:

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IXTA52P10P

MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

auf Bestellung 245 Stücke:

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1+	10.84 EUR
10+	9.70 EUR
50+	9.31 EUR
100+	8.03 EUR
250+	7.64 EUR
500+	7.06 EUR
1000+	6.93 EUR

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IXTA52P10P

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 278 Stücke:

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IXTA52P10P

IXTA52P10P SMD P channel transistors

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IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.92 EUR
10+	9.16 EUR
100+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA52P10P-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA52P10P-TRL

MOSFET IXTA52P10P TRL

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 311-315 Tag (e)

1+	10.84 EUR
10+	9.28 EUR
25+	8.41 EUR
100+	7.73 EUR
250+	7.29 EUR
500+	6.83 EUR
800+	6.30 EUR

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IXTA54N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263

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IXTA54N30T

MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds

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IXTA56N15T

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA56N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO263

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

300+	4.67 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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IXTA5N50P

MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds

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IXTA5N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

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IXTA5N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA5N60P

MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds

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IXTA5N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO263

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IXTA60N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA60N10T

MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds

auf Bestellung 316 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.89 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.46 EUR

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IXTA60N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.95 EUR
50+	2.69 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IXTA60N10T

IXTA60N10T SMD N channel transistors

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IXTA60N10T
Produktcode: 148376

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IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.95 EUR
10+	3.89 EUR
100+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA60N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA60N10T-TRL

MOSFETs IXTA60N10T TRL

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.42 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.48 EUR
800+	2.01 EUR

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IXTA60N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA60N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	7.95 EUR
11+	6.51 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IXTA60N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA60N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

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IXTA60N20T
Produktcode: 108659

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTA60N20T

MOSFETs 60 Amps 200V

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IXTA60N20T

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	7.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IXTA60N20T-TRL

MOSFETs IXTA60N20T TRL

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IXTA60N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

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IXTA60N20X4

Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

auf Bestellung 729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.78 EUR
50+	10.64 EUR
100+	9.92 EUR
500+	9.71 EUR

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IXTA60N20X4

MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

auf Bestellung 678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.93 EUR
10+	16.83 EUR
50+	10.14 EUR
100+	9.82 EUR

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IXTA62N15P

MOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.90 EUR
10+	6.12 EUR
50+	5.26 EUR
100+	4.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N15P

Description: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA62N15P

IXTA62N15P SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N15P

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.03 EUR
50+	6.36 EUR
100+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N15P-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N15P-TRL

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA62N15P-TRL

MOSFETs IXTA62N15P TRL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA62N25T

MOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA64N10L2

MOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR

auf Bestellung 1445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.25 EUR
10+	18.06 EUR
25+	16.81 EUR
50+	16.07 EUR
100+	15.40 EUR
250+	14.63 EUR
500+	14.43 EUR

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IXTA64N10L2

IXTA64N10L2 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA64N10L2

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.23 EUR
50+	13.58 EUR
100+	13.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA64N10L2

Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA64N10L2

Description: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA64N10L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263

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IXTA64N10L2-TRL

MOSFET IXTA64N10L2 TRL

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IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA6N100D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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1+	17.46 EUR
50+	10.98 EUR
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IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA6N100D2

IXTA6N100D2 SMD N channel transistors

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IXTA6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

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IXTA6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

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IXTA6N100D2-TRL

MOSFET IXTA6N100D2 TRL

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IXTA6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

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IXTA6N100D2HV

MOSFETs TO263 1KV 6A N-CH DEPL

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1+	24.25 EUR
10+	20.03 EUR
25+	18.74 EUR
50+	17.86 EUR
100+	17.18 EUR
250+	16.17 EUR

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IXTA6N100D2HV

High Voltage MOSFET

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IXTA6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA6N50D2

IXTA6N50D2 SMD N channel transistors

auf Bestellung 226 Stücke:

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7+	11.70 EUR
9+	7.95 EUR
500+	7.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IXTA6N50D2

Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

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IXTA6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

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IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA6N50D2

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

auf Bestellung 720 Stücke:

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50+	11.55 EUR
100+	10.54 EUR
500+	9.79 EUR

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IXTA6N50D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.36 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Produktcode: 84036

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IXTA6N50D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

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IXTA6N50D2-TRL

MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 461-465 Tag (e)

1+	15.14 EUR
10+	10.86 EUR
100+	10.47 EUR
800+	10.45 EUR

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IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

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IXTA6N50P

MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds

auf Bestellung 276 Stücke:

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IXTA6N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

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IXTA70N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

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IXTA70N075T2

MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds

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IXTA70N075T2

IXTA70N075T2 SMD N channel transistors

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IXTA70N075T2-TRL

MOSFET IXTA70N075T2 TRL

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IXTA70N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

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IXTA70N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA70N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V

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IXTA72N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263

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IXTA72N20T

MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds

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IXTA74N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA75N10P

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 844 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.66 EUR
50+	4.88 EUR
100+	4.50 EUR
500+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA75N10P

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA75N10P

MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.89 EUR
10+	7.99 EUR
50+	7.55 EUR
100+	6.53 EUR
500+	5.58 EUR

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IXTA75N10P

IXTA75N10P SMD N channel transistors

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IXTA75N10P-TRL

MOSFET IXTA75N10P TRL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA75N10P-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA76N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V

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IXTA76N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA76N25T

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IXTA76N25T

MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds

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IXTA76N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

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IXTA76N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA76N25T-TRL

MOSFETs IXTA76N25T TRL

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IXTA76N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

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IXTA76P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.19 EUR
12+	6.46 EUR
14+	5.16 EUR
15+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IXTA76P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.23 EUR
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IXTA76P10T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

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IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T
Produktcode: 198462

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IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T

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IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T

MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds

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50+	6.95 EUR
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IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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22+	6.54 EUR
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IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

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10+	8.21 EUR
100+	6.21 EUR

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IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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22+	6.54 EUR
25+	5.92 EUR
100+	5.24 EUR
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IXTA76P10T-TRL

MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds

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10+	8.25 EUR
25+	8.06 EUR
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IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

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IXTA7N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK

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IXTA80N075L2

MOSFETs MOSFET N CHANNEL

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IXTA80N075L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 285 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.07 EUR
7+	11.41 EUR
50+	11.20 EUR
100+	10.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IXTA80N075L2

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

auf Bestellung 321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.91 EUR
50+	15.08 EUR
100+	13.57 EUR

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IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IXTA80N075L2

auf Bestellung 285 Stücke:

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6+	12.07 EUR
7+	11.41 EUR
50+	11.20 EUR
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IXTA80N075L2

Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

auf Bestellung 117 Stücke:

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IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IXTA80N075L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

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IXTA80N075L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA80N075L2-TRL

MOSFETs IXTA80N075L2 TRL

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IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA80N10T

MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds

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IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA80N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

auf Bestellung 2447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.79 EUR
50+	3.78 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA80N10T

IXTA80N10T SMD N channel transistors

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IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA80N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA80N10T-TRL

MOSFETs IXTA80N10T TRL

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IXTA80N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

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IXTA80N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W

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IXTA80N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V

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IXTA80N12T2

MOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs

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IXTA80N12T2

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IXTA86N20T

MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds

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IXTA86N20T

IXTA86N20T SMD N channel transistors

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IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA86N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA86N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263

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IXTA86N20T-TRL

MOSFET IXTA86N20T TRL

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IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

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IXTA86N20X4

Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.62 EUR
50+	12.83 EUR
100+	11.90 EUR
500+	11.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA86N20X4

MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.08 EUR
10+	16.76 EUR
25+	16.30 EUR
50+	12.72 EUR
100+	12.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

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IXTA86N20X4-TRL

IXTA86N20X4-TRL

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IXTA86N20X4-TRL

Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

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IXTA88N085T

Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA88N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

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IXTA88N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

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IXTA8N50P
Produktcode: 99415

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IXTA8N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA8N50P

MOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds

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IXTA8N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

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IXTA8N65X2

MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.98 EUR
50+	3.29 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.73 EUR

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IXTA8N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.98 EUR
50+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA8N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

26+	2.80 EUR
34+	2.16 EUR
38+	1.89 EUR
300+	1.36 EUR
500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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IXTA8N65X2

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	2.80 EUR
34+	2.16 EUR
38+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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IXTA8N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

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IXTA8N65X2TRL

IXTA8N65X2TRL

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IXTA8N70X2

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.73 EUR
50+	3.98 EUR
100+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IXTA8N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA8N70X2

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IXTA8N70X2

MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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IXTA8N70X2TRL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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IXTA8PN50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

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IXTA90N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

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IXTA90N055T2

MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds

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IXTA90N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA90N055T2

IXTA90N055T2 SMD N channel transistors

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IXTA90N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V

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IXTA90N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

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IXTA90N075T2

MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.56 EUR
10+	3.92 EUR
50+	3.82 EUR
100+	3.22 EUR
250+	3.15 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.82 EUR

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IXTA90N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

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IXTA90N075T2-TRL

MOSFET IXTA90N075T2 TRL

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IXTA90N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IXTA90N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

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IXTA90N20X3

MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS

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IXTA90N20X3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V

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IXTA90N20X3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube

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IXTA90N20X3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IXTA90N20X3

Power MOSFET

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IXTA90N20X3

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IXTA90N20X3-TRL

DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

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IXTA94N20X4

Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

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IXTA94N20X4

MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.60 EUR
50+	13.27 EUR

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IXTA94N20X4

Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.07 EUR
50+	12.46 EUR
100+	12.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA94N20X4-TRL

Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

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IXTA94N20X4-TRL

MOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

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IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.31 EUR
50+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

IXTA96P085T SMD P channel transistors

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.41 EUR
14+	5.15 EUR
15+	4.86 EUR
1000+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 138 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA96P085T

MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds

auf Bestellung 7380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.07 EUR
10+	8.25 EUR
50+	6.21 EUR
100+	6.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.70 EUR
25+	8.03 EUR
50+	7.44 EUR
100+	6.91 EUR
250+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 6762 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.89 EUR
50+	7.90 EUR
100+	7.07 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	5.62 EUR
2000+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.33 EUR
50+	6.07 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.86 EUR
50+	6.33 EUR
100+	5.48 EUR
500+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.86 EUR
50+	6.33 EUR
100+	5.48 EUR
500+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.66 EUR
25+	5.90 EUR
26+	5.49 EUR
100+	4.87 EUR
250+	4.56 EUR
500+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2013 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

auf Bestellung 7711 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.95 EUR
10+	8.80 EUR
100+	6.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2013 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IXTA96P085T-TRL

MOSFETs IXTA96P085T TRL

auf Bestellung 1150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.84 EUR
10+	8.52 EUR
25+	8.08 EUR
100+	7.15 EUR
250+	6.92 EUR
500+	6.02 EUR
800+	5.60 EUR

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IXTA98N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTA98N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTB1909

Description: POWER MOSFET 500V 100AMP

auf Bestellung 19470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	41.01 EUR
10+	37.83 EUR
100+	32.30 EUR
500+	29.33 EUR

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IXTB30N100L

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTB30N100L

Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTB30N100L

MOSFETs 30 Amps 1000V

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IXTB30N100L

IXTB30N100L THT N channel transistors

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IXTB62N50L

MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds

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IXTB62N50L

IXTB62N50L THT N channel transistors

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	89.23 EUR
2+	63.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTB62N50L

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	97.12 EUR
25+	71.61 EUR

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IXTC102N20T

Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

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IXTC102N25T

Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

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IXTC1088

auf Bestellung 2928 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IXTC1088/6E/2C

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IXTC110N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

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IXTC130N15T

Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTC13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

Produkt ist nicht verfügbar

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IXTC160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC180N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC200N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC200N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC220N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC220N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC230N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC240N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC250N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC26N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC280N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC36P15P

Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC62N15P

Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC72N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTC75N10

Description: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD1R4N60P 11

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD2N60P-1J

Description: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD3N50P-2J

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD3N60P-2J

Description: MOSFET N-CH 600V 3A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD4N80P-3J

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTD5N100A

Description: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTE250N10

Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
Power Dissipation (Max): 730W
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTE250N10

MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTF02N450

Description: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTF02N450

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

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IXTF02N450 THT N channel transistors

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IXTF02N450

MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTF02N450

Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK

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IXTF02N450

Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK

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IXTF03N400

Description: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V

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IXTF1N250

Description: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V

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IXTF1N250

Trans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

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